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國內(nèi)功率半導(dǎo)體“小巨人”企業(yè)重啟上市之路
作者 |發(fā)布日期 2026 年 06 月 11 日 17:02 | 分類 企業(yè)
深圳證券交易所官網(wǎng)近期披露，江蘇長晶科技股份有限公司（以下簡稱“長晶科技”）的主板IPO申請(qǐng)已正式獲得受理，此次保薦機(jī)構(gòu)為華泰聯(lián)合證券。 圖片來源：深圳證券交易所信息截圖 這家功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的國家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)，此前曾于2022年9月向深交所創(chuàng)業(yè)板遞交上市申請(qǐng)并獲受理...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵嵌單晶金剛石散熱技術(shù)取得突破
作者 |發(fā)布日期 2026 年 06 月 10 日 15:00 | 分類 氮化鎵GaN
2026年6月8日，美國麻省理工學(xué)院（MIT）官方發(fā)布消息，該校研究團(tuán)隊(duì)成功將氮化鎵（GaN）晶體管嵌入超薄單晶金剛石層，攻克高功率無線芯片散熱瓶頸，研制出性能創(chuàng)紀(jì)錄的無線功率放大器。相關(guān)研究成果已于2026年IEEE國際微波研討會(huì)（IMS）上正式發(fā)布，為6G通信、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)等高...  [詳內(nèi)文]

這家上市企業(yè)跨界布局磷化銦，擬3億元投建兩期項(xiàng)目
作者 |發(fā)布日期 2026 年 06 月 10 日 14:57 | 分類 磷化銦
2026年6月8日晚間，精細(xì)化工企業(yè)宿遷聯(lián)盛科技股份有限公司發(fā)布公告，披露與自然人朱蓉輝、匯智光芯人工智能科技（蘇州）有限公司簽署《合資意向協(xié)議》，擬共同出資設(shè)立合資公司，正式跨界進(jìn)軍磷化銦襯底研發(fā)、生產(chǎn)與銷售領(lǐng)域。 根據(jù)公告，合資公司注冊(cè)資本1000萬元，宿遷聯(lián)盛出資700萬元...  [詳內(nèi)文]

安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目迎新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2026 年 06 月 10 日 14:34 | 分類 企業(yè) , 化合物半導(dǎo)體
“重慶建工三建”官微消息，近日，由該公司承建的安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目V2/V3配套工程順利完成全部建設(shè)任務(wù)，并正式移交甲方后續(xù)分包單位，為安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目整體竣工及核心生產(chǎn)線調(diào)試投產(chǎn)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 據(jù)悉，該公司承建的V2/V3配套工程是安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目的節(jié)點(diǎn)工程之一。安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目...  [詳內(nèi)文]

聚焦工業(yè)航空國防領(lǐng)域，兩巨頭達(dá)成高壓碳化硅戰(zhàn)略合作
作者 |發(fā)布日期 2026 年 06 月 09 日 15:21 | 分類 碳化硅SiC
美國東部時(shí)間2026年6月8日，通用電氣航空航天（GE Aerospace）與全球碳化硅（SiC）半導(dǎo)體龍頭企業(yè)Wolfspeed聯(lián)合宣布簽署一項(xiàng)諒解備忘錄（MOU）。雙方將圍繞高壓碳化硅技術(shù)展開全面的戰(zhàn)略協(xié)作，旨在共同加速該項(xiàng)前沿技術(shù)在工業(yè)、航空航天及國防（A&D）市場...  [詳內(nèi)文]

大疆發(fā)布首款140W氮化鎵快充充電器
作者 |發(fā)布日期 2026 年 06 月 09 日 15:17 | 分類 氮化鎵GaN
6月8日，大疆發(fā)布品牌首款高效能氮化鎵快充充電器POWER 140W。該充電器采用第三代氮化鎵（GaN）芯片，機(jī)身尺寸68.3mm×32.2mm×64mm，重量約245g，搭配折疊式插頭設(shè)計(jì)，便于收納攜帶。 作為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于大功率快充設(shè)備。相較于傳統(tǒng)硅基...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)車企發(fā)布SiC MOSFET領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)成果
作者 |發(fā)布日期 2026 年 06 月 09 日 15:10 | 分類 碳化硅SiC
在近期舉行的國際功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（ISPSD）上，理想汽車功率芯片團(tuán)隊(duì)發(fā)表了兩篇論文，分別圍繞SiC MOSFET芯片中極低概率工藝缺陷的識(shí)別與攔截方法，以及考慮溫度變化影響的芯片壽命預(yù)測模型展開。兩項(xiàng)研究基于大量測試數(shù)據(jù)，揭示了傳統(tǒng)測試方法可能高估芯片壽命的問題，并...  [詳內(nèi)文]

西安奕材擬增資珠海奕源、重慶欣暉，加碼碳化硅功率模組載板及部件
作者 |發(fā)布日期 2026 年 06 月 08 日 15:05 | 分類 企業(yè)
近日，西安奕材接連發(fā)布公告，擬使用自有資金，分別向兩家關(guān)聯(lián)方——珠海奕源科技有限公司（以下簡稱“珠海奕源”）和重慶欣暉材料技術(shù)有限公司（以下簡稱“重慶欣暉”）進(jìn)行增資，投資金額分別不超過4000萬元和3000萬元，分別參與珠海奕源的Pre-A+輪融資和重慶欣暉的B+輪融資。業(yè)界認(rèn)...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)氧化鎵長晶裝備落地驗(yàn)收
作者 |發(fā)布日期 2026 年 06 月 08 日 15:01 | 分類 氧化鎵
6月8日，杭州富加鎵業(yè)科技有限公司披露，公司自研VB法（坩堝下降法）氧化鎵晶體生長裝備已完成客戶現(xiàn)場驗(yàn)收并正式交付。該設(shè)備在首次爐次試生產(chǎn)中，成功生長出完整氧化鎵單晶，設(shè)備運(yùn)行指標(biāo)及工藝效果符合客戶使用標(biāo)準(zhǔn)。 圖片來源：富加鎵業(yè) 據(jù)公開技術(shù)進(jìn)展資料，富加鎵業(yè)自2023年啟動(dòng)VB...  [詳內(nèi)文]

3家三代半及相關(guān)企業(yè)IPO獲新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2026 年 06 月 08 日 14:57 | 分類 企業(yè)
近期，國內(nèi)多家第三代半導(dǎo)體及相關(guān)企業(yè)持續(xù)推進(jìn)上市進(jìn)程，產(chǎn)業(yè)鏈資本活躍度顯著提升。其中，基本半導(dǎo)體三度遞表沖擊港股IPO，華太電子科創(chuàng)板IPO進(jìn)入問詢階段，永志半導(dǎo)體順利完成北交所上市輔導(dǎo)驗(yàn)收，展現(xiàn)了國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈不同環(huán)節(jié)的資本化進(jìn)展。 01、基本半導(dǎo)體三度遞表港交所 20...  [詳內(nèi)文]