近期，國內(nèi)多家第三代半導(dǎo)體及相關(guān)企業(yè)持續(xù)推進上市進程，產(chǎn)業(yè)鏈資本活躍度顯著提升。其中，基本半導(dǎo)體三度遞表沖擊港股IPO，華太電子科創(chuàng)板IPO進入問詢階段，永志半導(dǎo)體順利完成北交所上市輔導(dǎo)驗收，展現(xiàn)了國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈不同環(huán)節(jié)的資本化進展。

01、基本半導(dǎo)體三度遞表港交所

2026年6月5日，深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司正式向香港聯(lián)交所主板遞交上市申請，聯(lián)席保薦人為國金證券（香港）有限公司、中銀國際亞洲有限公司。本次為公司第三次沖擊港股IPO，此前兩次遞表分別于2025年5月27日、2025年12月4日提交，均因期滿未獲進展而失效，其中第二次遞表材料于2026年6月4日正式失效。

圖片來源：港交所信息截圖

基本半導(dǎo)體成立于2016年，總部位于深圳，為國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅功率器件IDM企業(yè)，專注于碳化硅功率器件的研發(fā)、制造及銷售。公司主要產(chǎn)品包括車規(guī)級和工業(yè)級碳化硅功率模塊、碳化硅分立器件及功率半導(dǎo)體柵極驅(qū)動，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、可再生能源、儲能系統(tǒng)、工業(yè)控制及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

財務(wù)數(shù)據(jù)顯示，2022年至2024年，基本半導(dǎo)體營業(yè)收入分別為1.17億元、2.21億元、2.99億元人民幣；同期年內(nèi)虧損分別為2.42億元、3.42億元、2.37億元人民幣，三年累計虧損達8.21億元人民幣。

該公司兩大新基地正在建設(shè)：其中山生產(chǎn)基地一期投資2.2億元，規(guī)劃年產(chǎn)100萬只碳化硅模塊，預(yù)計2026年12月建成；坪山生產(chǎn)基地由基本半導(dǎo)體子公司基本封裝測試（深圳）有限公司實施，后者于2025年7月獲深圳市投控基石新能源汽車產(chǎn)業(yè)基金戰(zhàn)略注資，總投資超8億元，規(guī)劃年產(chǎn)70萬只碳化硅功率模塊，計劃2027年底前投產(chǎn)。據(jù)悉，兩大基地全部投產(chǎn)后，公司碳化硅模塊年產(chǎn)能將突破200萬只。

02、華太電子科創(chuàng)板IPO申請獲受理

2026年5月15日，蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司科創(chuàng)板首次公開發(fā)行股票申請正式獲上海證券交易所受理，全套IPO申報材料同步披露，目前項目審核狀態(tài)已更新為“已問詢”。

圖片來源：上海證券交易所信息截圖

華太電子深耕射頻與第三代功率半導(dǎo)體賽道，為國家級專精特新重點小巨人企業(yè)。公司搭建起“設(shè)計-自研工藝-封測-材料”垂直整合體系，主營LDMOS射頻器件、氮化鎵射頻功放器件、碳化硅功率器件等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于通信基站、衛(wèi)星通信、新能源汽車、光伏儲能、AI算力設(shè)備等領(lǐng)域，也是國內(nèi)少數(shù)可量產(chǎn)超高功率射頻LDMOS產(chǎn)品的企業(yè)。

本次IPO，公司擬募集資金27.81億元。募資主要投向超大功率LDMOS與氮化鎵器件研發(fā)、射頻大功率封測平臺建設(shè)、高性能功率芯片研發(fā)、企業(yè)研發(fā)中心升級項目，同時補充營運資金，持續(xù)加碼第三代半導(dǎo)體核心技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。

財務(wù)數(shù)據(jù)顯示，公司2023年至2025年持續(xù)經(jīng)營，2025年虧損幅度大幅收窄，整體經(jīng)營狀況穩(wěn)步改善。公司未實現(xiàn)盈利主要系前期研發(fā)投入、產(chǎn)線設(shè)備投入及股權(quán)激勵費用支出較高所致。

03、永志半導(dǎo)體北交所輔導(dǎo)驗收通過

5月19日，江蘇#永志半導(dǎo)體 材料股份有限公司順利通過江蘇證監(jiān)局上市輔導(dǎo)驗收，北交所IPO進程取得關(guān)鍵進展，正式進入上市申報沖刺階段。

圖片來源：證監(jiān)會官網(wǎng)信息截圖

2026年1月29日，永志股份掛牌新三板，同日與華泰聯(lián)合證券簽署輔導(dǎo)協(xié)議，提交北交所上市輔導(dǎo)。

永志半導(dǎo)體是國內(nèi)半導(dǎo)體封裝材料領(lǐng)域國家級專精特新小巨人企業(yè)，專注半導(dǎo)體引線框架與先進封裝基板研發(fā)生產(chǎn)，為SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體提供DBC/AMB陶瓷基板等關(guān)鍵材料。

2023-2025年前5月，公司營收分別為7.75億元、9.81億元、4.52億元，凈利潤分別為248萬元、6008萬元、3271萬元，2024年業(yè)績爆發(fā)式增長，核心受益于SiC陶瓷基板需求激增。

03、需求提振，第三代半導(dǎo)體賽道持續(xù)升溫

第三代半導(dǎo)體以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為核心，憑借高頻、高壓、低損耗特性，成為新能源汽車、光伏儲能、AI數(shù)據(jù)中心的核心支撐，當前正處于規(guī)?；逃玫年P(guān)鍵期。

下游需求高增驅(qū)動行業(yè)快速擴容，新能源車800V平臺滲透、光伏儲能裝機高增、AI算力基礎(chǔ)設(shè)施擴張，正持續(xù)拉動SiC與GaN器件需求。

技術(shù)趨勢聚焦大尺寸化、高良率與系統(tǒng)集成。SiC從6英寸向8英寸規(guī)模化過渡，12英寸進入中試階段，成本持續(xù)下行；GaN發(fā)力硅基異質(zhì)集成，適配CMOS工藝拓展應(yīng)用場景。封裝端，Chiplet與3D集成技術(shù)提升散熱與高頻性能，車規(guī)級認證與可靠性優(yōu)化成為競爭關(guān)鍵。

國內(nèi)產(chǎn)業(yè)梯隊逐步成型，上下游協(xié)同發(fā)展態(tài)勢明顯。碳化硅賽道涌現(xiàn)出多家具備量產(chǎn)能力的本土企業(yè)，IDM、器件、襯底、封裝材料等環(huán)節(jié)均有代表性企業(yè)落地，部分產(chǎn)品順利通過車規(guī)、工業(yè)級認證，逐步切入主流供應(yīng)鏈。氮化鎵領(lǐng)域企業(yè)則重點布局射頻器件、電源芯片兩大方向，在通信、消費電子及算力設(shè)備領(lǐng)域不斷提升市場份額。

總體來看，上述IPO進展的三家企業(yè)分別代表了碳化硅IDM、射頻功率器件、半導(dǎo)體封裝材料的核心環(huán)節(jié)。隨著下游新能源、儲能、AI算力需求持續(xù)釋放，疊加資本市場持續(xù)賦能，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)突破與產(chǎn)能落地節(jié)奏將持續(xù)加快，國產(chǎn)替代空間持續(xù)打開。

（集邦化合物半導(dǎo)體 林曉 整理）

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