據(jù)科創(chuàng)板日報(bào)報(bào)道，近日，星鑰半導(dǎo)體（武漢）有限公司完成數(shù)億元新一輪股權(quán)融資，本輪融資由鼎暉投資獨(dú)家投資。

星鑰半導(dǎo)體2022年成立，核心路線聚焦大尺寸硅基氮化鎵（GaN-on-Silicon），并結(jié)合混合鍵合技術(shù)開發(fā)Micro LED芯片。公司在武漢打造國內(nèi)首條8英寸硅基氮化鎵Micro LED全流程中試產(chǎn)線，產(chǎn)線已順利通線，現(xiàn)階段實(shí)現(xiàn)單色Micro LED芯片批量生產(chǎn)。該產(chǎn)線打通氮化鎵外延生長、芯片制備、晶圓鍵合等整套工序，驗(yàn)證了8英寸硅基氮化鎵平臺(tái)用于光電器件制造的可行性。

硅基氮化鎵是第三代半導(dǎo)體重要技術(shù)路線。相較于碳化硅基氮化鎵、藍(lán)寶石基氮化鎵方案，GaN-on-Si最大優(yōu)勢在于能夠復(fù)用成熟8英寸硅晶圓制造體系，晶圓尺寸更大、原材料成本更低，具備大規(guī)模商業(yè)化降本潛力。傳統(tǒng)藍(lán)寶石襯底氮化鎵多用于常規(guī)LED制造，但受限于晶圓尺寸與集成難度，較難適配下一代光電異質(zhì)集成需求；碳化硅基氮化鎵性能上限更高，但襯底價(jià)格昂貴，難以大規(guī)模普及。

長期以來，國內(nèi)硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化重心集中在功率器件與射頻芯片。隨著產(chǎn)業(yè)探索持續(xù)深入，行業(yè)開始嘗試將這套材料工藝延伸至光電器件領(lǐng)域。依托硅襯底可與CMOS驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行晶圓級(jí)混合鍵合的特性，硅基氮化鎵被視作Micro LED近眼顯示方案重要突破口，有望解決傳統(tǒng)路線巨量轉(zhuǎn)移難度高、集成成本居高不下的行業(yè)痛點(diǎn)。

當(dāng)前全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)處于多元應(yīng)用擴(kuò)張階段。功率氮化鎵已經(jīng)在快充、服務(wù)器電源、車載電源實(shí)現(xiàn)規(guī)模上量；射頻氮化鎵持續(xù)向通信基站、衛(wèi)星終端滲透。與此同時(shí)，產(chǎn)業(yè)界持續(xù)拓寬氮化鎵應(yīng)用邊界，探索“硅基氮化鎵+混合集成”路線在光電芯片的落地。多家國內(nèi)企業(yè)布局8英寸硅基氮化鎵中試平臺(tái)，試圖打通電、光兩條應(yīng)用賽道，最大化釋放產(chǎn)線價(jià)值。

不過8英寸硅基氮化鎵仍面臨不少工程難題。硅與氮化鎵之間天然存在晶格失配、熱失配問題，容易造成外延層翹曲、裂紋，影響外延片良率；晶圓級(jí)混合鍵合對(duì)平整度、應(yīng)力控制提出嚴(yán)苛要求，相關(guān)工藝仍處于持續(xù)優(yōu)化階段。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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