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Wolfspeed推出兩款3.3kV碳化硅功率模塊
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 22 日 17:52 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
5月21日，Wolfspeed推出布兩款全新3.3kV碳化硅功率模塊系列，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝的高功率半橋帶基板模塊，以及可擴(kuò)展的全橋無(wú)基板模塊，直擊AI數(shù)據(jù)中心擴(kuò)容、能源轉(zhuǎn)型進(jìn)程中凸顯的電力供需瓶頸，為全球能源基礎(chǔ)設(shè)施升級(jí)提供高性能解決方案。 此次新品包含兩大核心品類(lèi)，分別為大功率...  [詳內(nèi)文]

九峰山實(shí)驗(yàn)室攻克8英寸ALD鉬工藝
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 22 日 17:49 | 分類(lèi) 化合物半導(dǎo)體
近日，九峰山實(shí)驗(yàn)室化合物半導(dǎo)體中試工藝平臺(tái)攜手國(guó)內(nèi)本土原子層沉積（ALD）設(shè)備企業(yè)開(kāi)展聯(lián)合技術(shù)攻關(guān)，順利完成ALD金屬鉬工藝重大技術(shù)突破，此次技術(shù)成果落地也填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)相關(guān)工藝在8英寸量產(chǎn)平臺(tái)應(yīng)用領(lǐng)域的空白。 此次研發(fā)攻關(guān)過(guò)程中，研發(fā)團(tuán)隊(duì)選用穩(wěn)定性強(qiáng)、使用效率更高的二氯二氧化鉬作為...  [詳內(nèi)文]

浙江晶瑞SuperSiC 年產(chǎn)60萬(wàn)片8英寸碳化硅加速投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 22 日 17:46 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
5月21日，“晶盛機(jī)電”官微發(fā)布消息，其子公司浙江晶瑞電子材料有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“浙江晶瑞SuperSiC”）正搶抓戰(zhàn)略發(fā)展機(jī)遇，全面加速年產(chǎn)60萬(wàn)片8英寸SiC襯底項(xiàng)目的投產(chǎn)，并同步啟動(dòng)新一期基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，以迎接未來(lái)AI、AR等新興產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長(zhǎng)帶來(lái)的需求。 圖片來(lái)源：晶盛機(jī)電 ...  [詳內(nèi)文]

TMC2026 國(guó)際汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)年會(huì)「初步日程」首發(fā)
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 22 日 17:39 | 分類(lèi) 展會(huì)
本屆大會(huì)將匯聚全球整車(chē)、動(dòng)力系統(tǒng)、產(chǎn)業(yè)鏈核心企業(yè)及科研院所技術(shù)專(zhuān)家，圍繞動(dòng)力系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)與熱點(diǎn)方向，通過(guò)全體大會(huì)、專(zhuān)題論壇、技術(shù)展示、新品發(fā)布與創(chuàng)新評(píng)選，共同探討技術(shù)路線(xiàn)、前沿技術(shù)與工程創(chuàng)新。TMC2026期待與您共同推動(dòng)動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)深層次創(chuàng)新與落地，助力新能源汽車(chē)高質(zhì)量發(fā)展。...  [詳內(nèi)文]

東芝開(kāi)始出貨1200V溝槽柵SiC MOSFET測(cè)試樣品
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 21 日 15:12 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
5月21日，東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，開(kāi)始提供1200V溝槽柵SiC MOSFET——“TW007D120E”的測(cè)試樣品出貨，該產(chǎn)品主要面向下一代AI數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)，同時(shí)也適用于可再生能源相關(guān)設(shè)備。 隨著生成式AI的快速發(fā)展，功耗不斷上升已成為數(shù)據(jù)中心面臨...  [詳內(nèi)文]

國(guó)內(nèi)碳化硅龍頭談產(chǎn)業(yè)供需格局與未來(lái)前景
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 21 日 15:08 | 分類(lèi) 企業(yè)
在5月19日舉行的2025年度暨2026年第一季度業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上，天岳先進(jìn)董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理宗艷民披露，得益于行業(yè)供需關(guān)系持續(xù)優(yōu)化，公司2026年一季度毛利率環(huán)比大幅改善25個(gè)百分點(diǎn)，核心產(chǎn)品8英寸碳化硅襯底的全球市場(chǎng)占有率已達(dá)到51.3%。 宗艷民指出，碳化硅材料的應(yīng)用邏輯正從單一的...  [詳內(nèi)文]

國(guó)際首次！超厚碳化硅外延材料成功研制
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 21 日 15:05 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
近日，浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心（簡(jiǎn)稱(chēng)科創(chuàng)中心）先進(jìn)半導(dǎo)體研究院皮孝東教授與王蓉研究員團(tuán)隊(duì)官宣重大突破，成功制備出厚度超300微米的碳化硅（SiC）超厚外延薄膜，首次在國(guó)際上實(shí)現(xiàn)該厚度級(jí)別薄膜的穩(wěn)定制備，為3萬(wàn)伏級(jí)超高壓功率器件研發(fā)筑牢材料根基。 作為第三代半導(dǎo)體核心材料，碳化硅具...  [詳內(nèi)文]

【相聚蘇州】2026功率半導(dǎo)體大會(huì)暨玻璃基板TGV與先進(jìn)封裝論壇！
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 21 日 14:51 | 分類(lèi) 展會(huì)
會(huì)議背景 當(dāng)前，全球能源結(jié)構(gòu)加速轉(zhuǎn)型，新能源發(fā)電、新型儲(chǔ)能、新能源汽車(chē)、特高壓輸電等領(lǐng)域迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)，功率半導(dǎo)體作為電能轉(zhuǎn)換、控制與傳輸?shù)暮诵钠骷切履茉串a(chǎn)業(yè)升級(jí)的關(guān)鍵支撐。以SiC、GaN 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)突破，正重塑新能源裝備的效率、功率密度與可靠性格局。 先...  [詳內(nèi)文]

洞察AI變革，匯聚產(chǎn)業(yè)精英：TSS2026半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高層論壇六大核心亮點(diǎn)一覽
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 20 日 17:24 | 分類(lèi) 展會(huì)
2026年6月23日，TrendForce集邦咨詢(xún)將在深圳舉辦“TSS2026集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高層論壇”。 屆時(shí)，集邦咨詢(xún)多位重量級(jí)資深分析師將聚焦晶圓代工、存儲(chǔ)器、AI服務(wù)器、CPO、具身智能等熱門(mén)議題，全方位剖析半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀與未來(lái)。本次會(huì)議為主要面向集邦咨詢(xún)付費(fèi)會(huì)員和產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

第四代半導(dǎo)體領(lǐng)域，簽署合作協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 20 日 17:17 | 分類(lèi) 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
近日，第四代半導(dǎo)體氧化鎵領(lǐng)域核心龍頭企業(yè)杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“杭州鎵仁”）與山東兩極溫域新材料有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“兩極溫域”）正式簽署深度戰(zhàn)略合作協(xié)議，簽約儀式圓滿(mǎn)舉行。 作為全球氧化鎵產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍者，杭州鎵仁2025年成功研制全球首顆8英寸氧化鎵單晶，貫通單晶生長(zhǎng)、精密加工及外...  [詳內(nèi)文]