7月11日，江蘇省科技廳公示首批企業(yè)主導(dǎo)省級重點實驗室籌建名單，江蘇長晶科技股份有限公司牽頭、聯(lián)合南京郵電大學(xué)共建的“江蘇省新型功率半導(dǎo)體重點實驗室”正式入選籌建序列。

圖片來源：公示名單截圖

實驗室面向能源轉(zhuǎn)型、集成電路自主可控需求，瞄準(zhǔn)新型功率半導(dǎo)體共性技術(shù)瓶頸，規(guī)劃四大核心攻關(guān)方向：高性能SGT器件及先進封裝技術(shù)、極致CSP晶圓級功率器件研究、高功率密度IGBT產(chǎn)品開發(fā)、第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化落地。平臺構(gòu)建“器件理論創(chuàng)新—芯片研發(fā)—設(shè)計方法迭代—系統(tǒng)集成應(yīng)用”完整創(chuàng)新鏈條，推動基礎(chǔ)研究成果快速向量產(chǎn)產(chǎn)品轉(zhuǎn)化。

依托長晶科技IDM垂直一體化布局優(yōu)勢，疊加南京郵電大學(xué)在功率器件物理、先進封測領(lǐng)域科研與人才儲備，實驗室采用企業(yè)主導(dǎo)、高校協(xié)同的產(chǎn)學(xué)研模式。長晶科技擁有從芯片設(shè)計、晶圓制造到封裝測試全鏈條能力，主營MOSFET、IGBT、電源管理IC等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)控制、新能源汽車等賽道；本次省級重點實驗室落地，將進一步補齊前沿技術(shù)預(yù)研平臺。

放眼國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，新能源、儲能、車載電子持續(xù)拉動硅基高端功率器件與碳化硅器件需求。傳統(tǒng)硅基MOSFET持續(xù)向低內(nèi)阻、小型化CSP封裝演進；SiC器件逐步從車規(guī)主驅(qū)拓展至儲能、工控場景，但第二代SiC MOSFET在可靠性、成本層面仍存在諸多工程難題。國內(nèi)廠商普遍面臨前沿基礎(chǔ)研發(fā)投入不足、實驗室成果難以規(guī)?；慨a(chǎn)等痛點。

江蘇省近期啟動首批企業(yè)牽頭省重點實驗室建設(shè)，鼓勵龍頭企業(yè)作為創(chuàng)新主體，直面產(chǎn)業(yè)真實技術(shù)難題。同期省內(nèi)多家功率半導(dǎo)體企業(yè)相繼啟動創(chuàng)新平臺建設(shè)，推動江蘇形成硅基功率器件與第三代半導(dǎo)體協(xié)同發(fā)展格局。長晶科技實驗室兼顧硅基高端分立器件與碳化硅寬禁帶器件研發(fā)，和省內(nèi)其他功率半導(dǎo)體創(chuàng)新平臺形成差異化互補。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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