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日本功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重組：電裝放棄收購，羅姆轉(zhuǎn)向新盟友
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 13 日 15:28 | 分類 功率
據(jù)《日經(jīng)亞洲》報道，日本汽車零部件巨頭電裝（Denso）已放棄對羅姆（Rohm）的全面收購計(jì)劃。由于雙方在估值及整合方式上未能達(dá)成一致，以車用功率半導(dǎo)體為核心的垂直整合構(gòu)想最終告吹。 此后，羅姆轉(zhuǎn)而尋求與東芝（Toshiba）及三菱電機(jī)（Mitsubishi Electric）展...  [詳內(nèi)文]

黃河旋風(fēng)金剛石復(fù)合材料技術(shù)獲重大突破
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 13 日 15:25 | 分類 化合物半導(dǎo)體
據(jù)河南日報報道，經(jīng)許昌市工業(yè)和信息化局確認(rèn)，河南黃河旋風(fēng)股份有限公司（簡稱“黃河旋風(fēng)”）自主研發(fā)的“金剛石—碳化硅復(fù)合材料”項(xiàng)目于5月10日取得重大階段性成果，核心性能指標(biāo)達(dá)國際先進(jìn)水平，成功破解半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)長期存在的熱膨脹失配難題，為我國高端半導(dǎo)體散熱技術(shù)自主可控提供關(guān)鍵支撐。 ...  [詳內(nèi)文]

碳化硅設(shè)備批量交付，天岳先進(jìn)市場表現(xiàn)活躍
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 13 日 15:08 | 分類 碳化硅SiC
5月12日，高測股份在投資者互動平臺披露，公司碳化硅金剛線切片機(jī)及配套碳化硅金剛線已獲得天岳先進(jìn)等頭部客戶訂單；同時確認(rèn)，6寸及8寸碳化硅金剛線切片機(jī)已形成批量訂單并交付，12寸機(jī)型亦獲頭部客戶訂單，國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體加工設(shè)備實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破。 高測股份官方回復(fù)道，在碳化硅領(lǐng)域，公司已...  [詳內(nèi)文]

二次沖擊科創(chuàng)板！化合物半導(dǎo)體IPO熱潮涌動
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 12 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
2026年以來，全球化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入新一輪擴(kuò)張周期，中國企業(yè)在政策與市場雙輪驅(qū)動下加速資本化進(jìn)程。 5月11日，株洲科能新材料股份有限公司（簡稱“株洲科能”）科創(chuàng)板IPO申請獲上海證券交易所受理，成為2026年以來第7家獲受理的科創(chuàng)板IPO項(xiàng)目。 與此同時，如臻寶科技、度亙核...  [詳內(nèi)文]

碳化硅大廠最新財(cái)報：AI業(yè)務(wù)成亮點(diǎn)
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 12 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近日，碳化硅領(lǐng)域龍頭企業(yè)Wolfspeed公布了2026財(cái)年第三季度（截至2026年3月31日）財(cái)報。數(shù)據(jù)顯示，公司當(dāng)期營收約1.502億美元，同比下滑19%，GAAP毛利率為-27%，Non-GAAP毛利率為-21%。 從業(yè)務(wù)亮點(diǎn)來看，Wolfspeed的AI數(shù)據(jù)中心相關(guān)業(yè)務(wù)環(huán)...  [詳內(nèi)文]

AIXTRON向瑞薩交付多套GaN MOCVD設(shè)備
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 11 日 15:17 | 分類 氮化鎵GaN
近日，德國半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)AIXTRON（愛思強(qiáng)）官方宣布，已向全球知名半導(dǎo)體制造商瑞薩電子交付多套Planetary G5+C型MOCVD系統(tǒng)，用于擴(kuò)充瑞薩氮化鎵（GaN）功率器件的大規(guī)模量產(chǎn)（HVM）產(chǎn)能，設(shè)備已全部交付并投入滿負(fù)荷運(yùn)行。 瑞薩電子總部位于日本東京，2010年由...  [詳內(nèi)文]

中天晶科宣布突破12英寸碳化硅單晶生長技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 11 日 15:13 | 分類 碳化硅SiC
5月10日，中天晶科通過官方渠道發(fā)布消息稱，繼成功制備8英寸碳化硅晶體之后，公司已進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅單晶生長技術(shù)的突破。 在大尺寸碳化硅晶體領(lǐng)域，中天晶科的技術(shù)演進(jìn)路徑清晰： 2022年10月，公司首塊8英寸碳化硅晶體問世；2025年3月，首塊12英寸碳化硅晶體順利出爐。隨...  [詳內(nèi)文]

AI散熱革命來襲！6家國內(nèi)金剛石企業(yè)密集突破
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 11 日 15:09 | 分類 化合物半導(dǎo)體
2026年3月，英偉達(dá)在GTC大會上官宣，下一代Vera Rubin架構(gòu)GPU將全面采用“金剛石—銅復(fù)合散熱+液冷”方案；AMD也同步推出搭載金剛石冷卻系統(tǒng)的MI350X AI服務(wù)器，兩大巨頭的動作，正式將金剛石從實(shí)驗(yàn)室材料推高至AI算力散熱的“標(biāo)配”核心地位。 全球市場需求爆發(fā)...  [詳內(nèi)文]

南京大學(xué)葉建東團(tuán)隊(duì)發(fā)表 α-Ga?O?異質(zhì)外延新成果
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 09 日 14:54 | 分類 氧化鎵
近日，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院葉建東教授團(tuán)隊(duì)在國際權(quán)威學(xué)術(shù)期刊《Applied Physics Letters》發(fā)表最新研究論文，聚焦m面非極性 α-Ga?O?異質(zhì)外延中的應(yīng)變轉(zhuǎn)變與鑲嵌結(jié)構(gòu)演化，系統(tǒng)揭示超寬禁帶半導(dǎo)體α-Ga?O?薄膜生長的核心物理機(jī)制，為高質(zhì)量氧化鎵功率器件...  [詳內(nèi)文]

宏微科技：SiC模塊通過海外認(rèn)證并小批量供貨
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 09 日 14:51 | 分類 碳化硅SiC
近日，國內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)宏微科技發(fā)布投資者關(guān)系活動記錄表公告，披露公司在高端半導(dǎo)體器件研發(fā)、市場拓展及成本控制等方面的多項(xiàng)重要進(jìn)展，涵蓋AI服務(wù)器供應(yīng)鏈、第三代半導(dǎo)體技術(shù)、成本應(yīng)對及前沿領(lǐng)域布局。 公告顯示，公司自主研發(fā)的NCB SiC模塊已成功通過海外主流AI服務(wù)器廠商整機(jī)認(rèn)證...  [詳內(nèi)文]