美國東部時(shí)間2026年6月8日，通用電氣航空航天（GE Aerospace）與全球碳化硅（SiC）半導(dǎo)體龍頭企業(yè)Wolfspeed聯(lián)合宣布簽署一項(xiàng)諒解備忘錄（MOU）。雙方將圍繞高壓碳化硅技術(shù)展開全面的戰(zhàn)略協(xié)作，旨在共同加速該項(xiàng)前沿技術(shù)在工業(yè)、航空航天及國防（A&D）市場(chǎng)的商業(yè)化落地與大規(guī)模普及。

根據(jù)簽署的備忘錄內(nèi)容，此次合作的核心是Wolfspeed全球首款商用的10千伏碳化硅MOSFET芯片。根據(jù)協(xié)議，雙方計(jì)劃基于該技術(shù)制定高壓功率模塊的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)用于固態(tài)變壓器、工業(yè)電氣化以及下一代航空航天和國防平臺(tái)，同時(shí)加強(qiáng)供應(yīng)鏈韌性。GE 航空航天電氣動(dòng)力總裁 Kris Shepherd 表示，更高電壓的功率模塊將減少系統(tǒng)串聯(lián)器件數(shù)量，降低復(fù)雜度，從而實(shí)現(xiàn)更緊湊、高效且可靠的解決方案。

依托這種超高電壓的芯片與模塊，系統(tǒng)能夠顯著減少內(nèi)部所需的串聯(lián)器件數(shù)量，進(jìn)而降低整體電路復(fù)雜度。這將使固態(tài)變壓器、工業(yè)電氣化系統(tǒng)以及下一代國防航空航天平臺(tái)的體積大幅縮減，并顯著提升其在極端環(huán)境下的運(yùn)行效率與系統(tǒng)可靠性。

這并非雙方的首次技術(shù)交集。通用電氣航空航天在過去十余年中，一直作為美國防部先進(jìn)研究計(jì)劃局（DARPA）高壓碳化硅項(xiàng)目的主要承包商，在10kV功率模塊的設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域積累了深厚的技術(shù)底蘊(yùn)。

公開信息顯示，通用電氣航空航天近期已完成美國軍用地面車輛高壓電源單元資質(zhì)認(rèn)證，第四代碳化硅功率MOSFET器件也已成功演示，在開關(guān)速度、能效及耐久性方面實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。

Wolfspeed則是全球碳化硅晶圓及功率器件的研發(fā)與制造巨頭，擁有200毫米碳化硅大規(guī)模產(chǎn)線，10千伏碳化硅MOSFET芯片為行業(yè)首款商用產(chǎn)品。

兩家公司在公告中明確指出，此次合作的整體范疇與當(dāng)前美國政府加快關(guān)鍵技術(shù)部署的既定方向高度契合。面對(duì)當(dāng)下暴漲的人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心算力需求，高壓碳化硅技術(shù)能夠有效解決電力輸送過程中的損耗瓶頸，大幅縮減數(shù)據(jù)中心及重工業(yè)設(shè)施的“投產(chǎn)供電時(shí)間”（Time-to-power）。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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