ROHM開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界超低損耗的650V耐壓IGBT

作者 | 發(fā)布日期 2026 年 06 月 26 日 15:34 | 分類 產(chǎn)業(yè)

6月25日,ROHM宣布,開發(fā)出650V耐壓第4代IGBT,新產(chǎn)品非常適用于車載電動壓縮機(jī)、HV加熱器以及工業(yè)設(shè)備用變頻器等應(yīng)用。作為支持車載應(yīng)用的650V級產(chǎn)品,實現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通損耗VCE(sat)=1.55V,同時具備出色的短路耐受能力*2,符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101。

該產(chǎn)品通過改善工藝以及包括外圍結(jié)構(gòu)在內(nèi)的器件結(jié)構(gòu),提高了電流密度,同時降低了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。而且,與低損耗特性之間存在權(quán)衡關(guān)系的高短路耐受能力在Tj=25℃時也可達(dá)到7微秒(μs)。因此,新產(chǎn)品非常有助于應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步提高效率和可靠性。

產(chǎn)品陣容包括采用TO-247N封裝的“RGAxxTS65HR/RGAxxTS65EHR”12個型號和裸芯片形式的“SG83xxWN”10個型號。另外,ROHM也正在開發(fā)TO-247-4L封裝的“RGAxxTR65HR/RGAxxTR65EHR”12個型號的產(chǎn)品。

本系列產(chǎn)品已于2026年5月起以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)。TO-247N封裝產(chǎn)品也支持網(wǎng)售。

ROHM計劃今后進(jìn)一步擴(kuò)展同一封裝形式的型號陣容,并開發(fā)采用TO-263L封裝和頂部散熱(TSC:Top-Side Cooling)封裝的小型且可表面貼裝的IGBT產(chǎn)品。致力于通過擴(kuò)充高性能的IGBT產(chǎn)品陣容,助力汽車和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用實現(xiàn)高效驅(qū)動及小型化。

ROHM表示,隨著電動汽車向更高電壓方向發(fā)展,在主驅(qū)逆變器等大功率應(yīng)用中,高效SiC器件加速普及;而在車載電動壓縮機(jī)、HV加熱器等功率容量較小的輔助設(shè)備中,則廣泛采用650V耐壓的IGBT作為開關(guān)器件。另外,在工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,以電機(jī)和壓縮機(jī)等為主的應(yīng)用中也廣泛采用硅基IGBT,預(yù)計未來相應(yīng)的需求將持續(xù)增長。

這類應(yīng)用需要更節(jié)能和更小的外殼尺寸,同時對功率器件也有提高可靠性、更小型、更高效的強(qiáng)烈需求。特別是對于變頻器和加熱器電路而言,在短路時從檢測到過電流到切斷電流的時間內(nèi)的短路耐受能力至關(guān)重要。在這種背景下,ROHM通過器件結(jié)構(gòu)等的改進(jìn),開發(fā)出既支持高電壓,又同時實現(xiàn)了低損耗特性和出色短路耐受能力的第4代IGBT。

(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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