擬募資14.36億元,東微半導(dǎo)加碼功率半導(dǎo)體

作者 | 發(fā)布日期 2026 年 07 月 06 日 14:19 | 分類 企業(yè)

2026年7月2日晚間,東微半導(dǎo)發(fā)布向不特定對(duì)象發(fā)行可轉(zhuǎn)換公司債券預(yù)案公告,計(jì)劃發(fā)行可轉(zhuǎn)債募集資金總額(含發(fā)行費(fèi)用)不超過14.36億元,募集資金扣除發(fā)行相關(guān)費(fèi)用后,將分別投入新一代功率管理控制芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化、研發(fā)中心建設(shè)兩大主業(yè)項(xiàng)目,剩余資金用于補(bǔ)充公司日常流動(dòng)資金。

圖片來源:東微半導(dǎo)公告截圖

資料顯示,東微半導(dǎo)是科創(chuàng)板上市的專業(yè)高性能功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè),總部坐落蘇州工業(yè)園區(qū),聚焦硅基MOSFET、碳化硅SiC、氮化鎵GaN等新型功率器件研發(fā)、設(shè)計(jì)與銷售,是國(guó)內(nèi)少數(shù)具備器件專利、工藝開發(fā)到產(chǎn)品量產(chǎn)完整落地能力的功率芯片廠商。公司產(chǎn)品廣泛配套AI服務(wù)器電源、新能源汽車電控、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)固態(tài)變壓器等賽道,持續(xù)推進(jìn)高端寬禁帶功率器件國(guó)產(chǎn)化,在高壓SiC、中低壓GaN功率器件領(lǐng)域搭建多代自研產(chǎn)品平臺(tái)。

根據(jù)公告披露的細(xì)分資金分配規(guī)劃,本次14.36億元募資精準(zhǔn)對(duì)應(yīng)四大使用板塊。

其中新型功率器件技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目擬投入5.48億元,項(xiàng)目周期36個(gè)月,重點(diǎn)拓展3300V至10kV全系列SiC器件平臺(tái),同步布局GaN HEMT、氧化鎵第四代半導(dǎo)體、先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā);新一代功率管理控制芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目投入4.59億元,自研配套驅(qū)動(dòng)、電源控制IC,與自有功率器件形成一體化解決方案,適配算力電源、車載、儲(chǔ)能整機(jī)需求;研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目投入3.29億元,購置仿真、可靠性、芯片測(cè)試專業(yè)設(shè)備,搭建綜合研發(fā)驗(yàn)證平臺(tái);剩余1億元募集資金用于補(bǔ)充流動(dòng)資金,緩解采購、研發(fā)及市場(chǎng)拓展帶來的營(yíng)運(yùn)資金壓力。

公司表示,當(dāng)前AI算力、新能源車、儲(chǔ)能行業(yè)需求持續(xù)爆發(fā),高壓、高頻功率器件供需持續(xù)偏緊,國(guó)內(nèi)高端SiC、配套電源控制芯片對(duì)外依賴度較高。本次大額融資將擴(kuò)充公司寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品矩陣,完善功率管理芯片自研能力,補(bǔ)齊研發(fā)硬件配套短板,強(qiáng)化在AI數(shù)據(jù)中心、車載功率市場(chǎng)的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力,加速高端功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。

(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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