6月23日，芯聯(lián)集成發(fā)布對外投資進展公告。近日，公司與芯聯(lián)先進集成電路制造（紹興）有限公司（簡稱“芯聯(lián)先進”）、紹興柯橋芯合先進集成創(chuàng)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）（簡稱“產(chǎn)業(yè)基金”）共同簽署《關(guān)于芯聯(lián)先進集成電路制造（紹興）有限公司之增資及股東協(xié)議》（簡稱《增資及股東協(xié)議》）。

圖片來源：芯聯(lián)集成公告截圖

根據(jù)《增資及股東協(xié)議》，產(chǎn)業(yè)基金擬向芯聯(lián)先進增資20.04億元，認購其新增注冊資本20.04億元；芯聯(lián)集成擬向芯聯(lián)先進增資6.62億元，認購新增注冊資本6.62億元。本次增資完成后，產(chǎn)業(yè)基金、芯聯(lián)集成分別持有芯聯(lián)先進74.9%和25.1%的股權(quán)。

具體來看，芯聯(lián)集成于6月11日披露，公司與#芯聯(lián)先進、#浙江紹興杭紹臨空示范區(qū)產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團有限公司（簡稱“杭紹臨空”）于6月9日簽署《合資框架協(xié)議》，各方合資經(jīng)營芯聯(lián)先進，作為芯聯(lián)12英寸車規(guī)級數(shù)?；旌闲酒圃祉椖浚ê喎Q“四期項目”）的實施主體。

根據(jù)公告，芯聯(lián)先進將建設(shè)一條5萬片/月的12英寸集成電路車規(guī)級數(shù)?；旌闲酒a(chǎn)線，主要技術(shù)和產(chǎn)品方向為40/28納米MCU/DSP、90/55納米BCD/DrMOS等模擬電路、55納米硅光/激光驅(qū)動等芯片。

四期項目計劃總投資約200億元，其中資本金120億元（芯聯(lián)集成擬出資30.12億元，杭紹臨空及其他聯(lián)合體擬出資30億元，其他市場化資金擬出資59.88億元），銀行貸款80億元。

芯聯(lián)集成表示，本次投資事項如順利實施，有利于加快完善公司在高端模擬集成電路芯片領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，增強核心競爭力；有利于抓住當前AI算力服務(wù)器、新能源汽車、機器人、光互聯(lián)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展契機，推動公司主營業(yè)務(wù)持續(xù)成長。

此外，6月22日，芯聯(lián)集成宣布，他們依托自研8英寸碳化硅（SiC）工藝平臺，公司正式推出3300V?SiC?MOSFET器件。該產(chǎn)品面向固態(tài)變壓器（SST）等高壓、高功率密度、高可靠性應(yīng)用場景深度定制，目前已向核心客戶送樣驗證。

據(jù)介紹，芯聯(lián)集成的3300V?SiC器件采用高壓平面柵SiC?MOSFET技術(shù)，以更小的單元面積和更優(yōu)的導通電阻-柵電荷優(yōu)值（RDS(on)×QG），實現(xiàn)了卓越的導通與開關(guān)性能。

以10kV中壓固態(tài)變壓器前端為例，相比1200V方案，3300V器件優(yōu)勢：

①?母線電壓升至1800~2200V，級聯(lián)數(shù)減60%；

②?功率單元及MOSFET總量減60%，外圍器件減70%，PCB大幅簡化；

③?控制與裝配成本降低。綜合BOM成本降20%~35%，支撐SST高頻、小型化、高效演進。

綜合來看，3300V方案可實現(xiàn)系統(tǒng)級BOM成本降低20%~35%，為固態(tài)變壓器向更高開關(guān)頻率、更小體積和更高轉(zhuǎn)換效率演進提供核心器件支撐。

為進一步補強固態(tài)變壓器供應(yīng)鏈，公司也將推出適配3300V?SiC?MOSFET的高頻高耐壓高功率密度磁性器件。

（集邦化合物半導體整理）

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