近日，芯聯(lián)集成宣布，依托自研8英寸碳化硅（SiC）工藝平臺(tái)，正式推出3300V SiC MOSFET器件。該產(chǎn)品面向固態(tài)變壓器（SST）等高壓、高功率密度、高可靠性應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行定制設(shè)計(jì)，目前已向核心客戶送樣驗(yàn)證。

該產(chǎn)品基于8英寸產(chǎn)線自研高壓平面柵SiC MOSFET技術(shù)，以更小的單元面積和更優(yōu)的導(dǎo)通電阻-柵電荷優(yōu)值（RDS(on)×QG），實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)性能的平衡優(yōu)化。

以10kV中壓固態(tài)變壓器前端為例，相較于1200V方案，采用3300V器件后，母線電壓可提升至1800~2200V，級(jí)聯(lián)數(shù)量減少約60%；功率單元及MOSFET總量同步減少60%，外圍器件減少約70%，PCB設(shè)計(jì)大幅簡(jiǎn)化；同時(shí)控制與裝配成本有所下降，綜合系統(tǒng)級(jí)BOM成本降低約20%至35%，為固態(tài)變壓器向更高開(kāi)關(guān)頻率、更小體積和更高轉(zhuǎn)換效率演進(jìn)提供了核心器件支撐。

為進(jìn)一步補(bǔ)強(qiáng)固態(tài)變壓器供應(yīng)鏈，芯聯(lián)集成也將推出適配該3300V SiC MOSFET的高頻高耐壓高功率密度磁性器件。

芯聯(lián)集成已完成650V至3300V全電壓段SiC MOSFET產(chǎn)品布局，新一代SiC G2.0工藝平臺(tái)在能效與可靠性上實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步突破，8英寸SiC產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

芯聯(lián)集成指出，隨著生成式AI算力需求增長(zhǎng)，單AI機(jī)柜功率密度正向兆瓦級(jí)別邁進(jìn)，英偉達(dá)年初宣布推動(dòng)AI數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)向800V HVDC演進(jìn)，固態(tài)變壓器成為AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的關(guān)鍵環(huán)節(jié)；在智能電網(wǎng)與新能源領(lǐng)域，固態(tài)變壓器同樣具有重要應(yīng)用。隨著固態(tài)變壓器市場(chǎng)逐步起量，高壓SiC器件的量產(chǎn)需求將更加明確。芯聯(lián)集成正以3300V SiC MOSFET為支點(diǎn)，撬動(dòng)固態(tài)變壓器這一藍(lán)海市場(chǎng)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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