近期，國內(nèi)第三代半導體領(lǐng)域多個項目迎來新進展。從京津冀到粵港澳，從碳化硅、氮化鎵到磷化銦，多個重點項目簽約落地、產(chǎn)能提速、產(chǎn)學研聯(lián)動深化，覆蓋材料、裝備、器件全產(chǎn)業(yè)鏈。

1、北京晶坤簽約天津，碳化硅基地落戶

4月24日，北京晶坤新材料有限公司與天津?qū)氎婢┙蛑嘘P(guān)村科技城管委會正式簽署合作協(xié)議，敲定第三代碳化硅晶體生產(chǎn)研發(fā)基地項目落戶事宜，助力京津冀半導體產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同升級。

據(jù)天津日報消息，該項目總投資超1億元，擬于2027年竣工投產(chǎn)，預計年產(chǎn)值可達3億元。項目將打造集研發(fā)、制造、應用、服務于一體的碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈體系，主要從事碳化硅晶體材料的研發(fā)與生產(chǎn)，產(chǎn)品應用于半導體芯片制造、光伏等領(lǐng)域。

北京晶坤新材料成立于2023年，是一家高新技術(shù)企業(yè)，聯(lián)合北京化工大學等高校開展技術(shù)研發(fā)，已完成碳化硅材料小批量生產(chǎn)，目前正申報工信部國家重點研發(fā)計劃項目。

2、河北晶馳半導體裝備項目加速推進

同期，河北晶馳半導體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項目加速推進，持續(xù)完善北方半導體裝備制造布局。該項目位于河北正定高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，總投資2億元，占地50.26畝，分兩期建設(shè)。一期計劃建設(shè)2棟生產(chǎn)車間和1棟綜合樓，預計2026年9月底建成投產(chǎn)。

項目建成后，將獨立研發(fā)、生產(chǎn)、制造碳化硅晶體生長和金剛石晶體生長及相關(guān)半導體材料設(shè)備，達產(chǎn)后預計年營業(yè)收入2.2億元，年產(chǎn)值可達3億元以上。

作為杭州晶馳機電科技有限公司在北方設(shè)立的重要生產(chǎn)基地，河北晶馳專注于第三代、第四代半導體材料裝備研發(fā)。2025年5月，公司成功交付河北省首臺（套）12寸電阻法高純碳化硅晶體生長爐，采用AI算法與PVT工藝結(jié)合，突破12英寸碳化硅晶體生長溫場不均、晶體開裂等核心難題，填補省內(nèi)高端半導體裝備領(lǐng)域空白。

3、河南銘鎵二期：磷化銦合成爐調(diào)試

4月15日，安陽縣重點半導體項目——河南銘鎵半導體有限公司二期建設(shè)傳來捷報，50臺磷化銦多晶合成爐全面進入調(diào)試階段，標志著國產(chǎn)磷化銦核心材料量產(chǎn)進入沖刺期。

據(jù)河南省人民政府官網(wǎng)信息，該產(chǎn)線為國內(nèi)頂尖的超高頻半導體材料生產(chǎn)線，達產(chǎn)后年產(chǎn)磷化銦將達近30噸，可覆蓋國內(nèi)近半市場需求，顯著緩解市場供應緊張局面。

磷化銦作為高端光通信、自動駕駛激光雷達、6G射頻器件、AI算力模塊的核心材料，長期依賴進口，供貨周期長、成本高，嚴重制約國內(nèi)相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

此次調(diào)試的50臺設(shè)備均為企業(yè)與設(shè)備供應商合作研發(fā)的國產(chǎn)化裝備，成本比進口低40%以上，工藝穩(wěn)定性、成晶率、產(chǎn)品質(zhì)量達到國際一流水準，實現(xiàn)從原料、設(shè)備到工藝的全鏈條自主可控。

4、鎵奧科技啟動深圳半導體研發(fā)項目

4月15日，鎵奧科技攜手深圳職業(yè)技術(shù)大學、南方科技大學、平湖實驗室、芯茂微電子，隆重召開深圳市重點產(chǎn)業(yè)研發(fā)計劃項目啟動會，聚焦氮化鎵技術(shù)產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新。

鎵奧科技作為氮化鎵領(lǐng)域高新技術(shù)企業(yè)，核心團隊深耕行業(yè)20年，專注于中大功率氮化鎵功率芯片“國產(chǎn)替代”與模組應用“國產(chǎn)設(shè)計”，產(chǎn)品聚焦新能源、AI兩大賽道。

此次聯(lián)合的南方科技大學、平湖實驗室在半導體材料與器件領(lǐng)域具備深厚研發(fā)實力，深圳職業(yè)技術(shù)大學提供人才支撐，芯茂微電子作為國家級專精特新“小巨人”企業(yè)，專注于電源管理芯片設(shè)計，已實現(xiàn)5kW PFC芯片等產(chǎn)品量產(chǎn)，形成“研發(fā)+人才+產(chǎn)業(yè)化”的協(xié)同模式。

5、致能半導體啟動高壓GaN器件項目

4月20日，致能半導體發(fā)文稱，由該公司牽頭的高壓GaN功率器件（≥1200V/10kW）項目已于2026年4月16日成功舉行項目啟動會，助力我國高壓氮化鎵器件產(chǎn)業(yè)化突破。據(jù)電子工程專輯報道，該項目屬于廣東省重點領(lǐng)域研發(fā)計劃“前沿新材料”專項，已獲廣東省科技廳批準立項。

項目由致能半導體牽頭，聯(lián)合佛山國星半導體、中山大學、西安電子科技大學廣州研究院、匯川技術(shù)等產(chǎn)業(yè)鏈骨干企業(yè)及頂尖科研院所共同承擔。

致能半導體成立于2018年，是國內(nèi)氮化鎵領(lǐng)域具備完整IDM能力的高新技術(shù)企業(yè)，2025年實現(xiàn)全球首個8英寸藍寶石基氮化鎵功率器件量產(chǎn)落地，2024年推出國產(chǎn)首發(fā)1200V高可靠性氮化鎵器件平臺。

6、結(jié)語

近期，國內(nèi)第三代半導體多個重點項目有序推進，涵蓋碳化硅、氮化鎵、磷化銦等多個領(lǐng)域，覆蓋材料、裝備、器件全產(chǎn)業(yè)鏈，各地結(jié)合自身優(yōu)勢推動產(chǎn)業(yè)布局完善。目前國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)仍存在部分發(fā)展挑戰(zhàn)，后續(xù)相關(guān)企業(yè)將持續(xù)推進技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)能落地，助力產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展。

（集邦化合物半導體 林曉 整理）

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