2026年VLSI超大規(guī)模集成電路國(guó)際研討會(huì)期間，英特爾代工對(duì)外發(fā)布Intel 18A-P制程最新進(jìn)展，同步披露多項(xiàng)面向中長(zhǎng)期產(chǎn)業(yè)落地的前沿技術(shù)研發(fā)成果，其中300mm晶圓氮化鎵功率器件與硅邏輯單片集成方案成為電源半導(dǎo)體賽道重要看點(diǎn)。

據(jù)英特爾官方披露，Intel 18A-P為18A工藝家族首款性能增強(qiáng)迭代節(jié)點(diǎn)，目前已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段。對(duì)比基準(zhǔn)18A工藝，該節(jié)點(diǎn)可實(shí)現(xiàn)同等功耗下性能提升9%，同等性能下功耗降低18%；依托全新Power Boost能效增強(qiáng)方案，芯片熱阻下降20%-40%，層間過(guò)孔電阻降低10%-30%，同時(shí)完全兼容18A原有設(shè)計(jì)規(guī)則，客戶可直接復(fù)用成熟IP與設(shè)計(jì)流程。

除先進(jìn)邏輯制程升級(jí)外，英特爾代工在本次大會(huì)集中展出三大長(zhǎng)線研發(fā)方向，分別為單片式CFET垂直晶體管、減成法釕互連工藝，以及氮化鎵與硅基邏輯單片集成技術(shù)。

英特爾官方明確，團(tuán)隊(duì)已完成300mm大尺寸硅基晶圓氮化鎵單片集成工藝驗(yàn)證，在同一片晶圓內(nèi)同步制備氮化鎵功率器件與硅基數(shù)字控制電路，片內(nèi)集成規(guī)模約1000個(gè)邏輯門(mén)的完整控制模塊。官方通稿表述，該單片集成方案能夠讓高效率功率器件與大規(guī)模數(shù)字控制單元在同一套制造工藝協(xié)同實(shí)現(xiàn)，從芯片底層減少分立器件組合帶來(lái)的外部布線、封裝層級(jí)，直接降低終端電源系統(tǒng)整體架構(gòu)復(fù)雜度。

英特爾同步披露該氮化鎵集成方案配套超薄襯底工藝，硅基底厚度可減至19微米，縮短載流子傳導(dǎo)路徑，降低寄生電阻損耗，同時(shí)優(yōu)化器件散熱能力，氮化鎵開(kāi)關(guān)速度、高壓耐受指標(biāo)均保持穩(wěn)定一致性，整片300mm晶圓器件性能均勻度滿足量產(chǎn)研發(fā)標(biāo)準(zhǔn)。

傳統(tǒng)電源方案多采用氮化鎵功率芯片搭配獨(dú)立CMOS控制芯片分立封裝，兩類(lèi)器件分屬不同產(chǎn)線制造，系統(tǒng)互連損耗、延遲、體積均存在固有短板，英特爾單片集成路線實(shí)現(xiàn)功率、控制電路同源制造。

從氮化鎵產(chǎn)業(yè)維度來(lái)看，本次英特爾在300mm產(chǎn)線完成異質(zhì)集成驗(yàn)證，補(bǔ)齊氮化鎵規(guī)?；圃礻P(guān)鍵環(huán)節(jié)。當(dāng)前全球氮化鎵器件量產(chǎn)多基于200mm及以下晶圓，300mm產(chǎn)線可大幅攤薄單片制造成本；而功率與控制單片整合，解決行業(yè)長(zhǎng)期分立設(shè)計(jì)痛點(diǎn)。官方資料顯示，該技術(shù)面向AI服務(wù)器電源、車(chē)載電源適配器、工業(yè)工控電源等場(chǎng)景，可縮小電源模組體積、提升轉(zhuǎn)換效率。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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