7月2日，中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)管理委員會(huì)正式印發(fā)《第四代半導(dǎo)體未來產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)建設(shè)行動(dòng)方案（2026-2028年）》，該文件為國內(nèi)首個(gè)專門面向第四代半導(dǎo)體賽道出臺(tái)的地方性專項(xiàng)產(chǎn)業(yè)政策。

方案清晰劃定第四代半導(dǎo)體兩大核心發(fā)展主線，覆蓋超寬禁帶、超窄禁帶兩類前沿材料體系。其中超寬禁帶半導(dǎo)體以氧化鎵、金剛石、氮化鋁為核心發(fā)展材料；超窄禁帶半導(dǎo)體重點(diǎn)布局銻化銦、銻化鎵兩類材料路線，覆蓋功率器件、紅外探測(cè)、量子傳感、芯片熱管理、深紫外光電器件等多元應(yīng)用賽道。

文件配套構(gòu)建八大重點(diǎn)工程全鏈條培育體系，完整覆蓋基礎(chǔ)材料攻關(guān)、外延工藝研發(fā)、核心器件量產(chǎn)、專用裝備配套、先進(jìn)封裝、公共驗(yàn)證平臺(tái)搭建、場(chǎng)景示范落地、產(chǎn)業(yè)生態(tài)培育全環(huán)節(jié)，形成從實(shí)驗(yàn)室研發(fā)、概念驗(yàn)證、工程化中試到規(guī)?；逃玫耐暾涞芈窂?，明確2026至2028三年分階段實(shí)施時(shí)間表與落地細(xì)則。

方案設(shè)定量化產(chǎn)業(yè)發(fā)展目標(biāo)，至2028年末，臨港新片區(qū)集聚第四代半導(dǎo)體上下游關(guān)聯(lián)企業(yè)數(shù)量不少于50家，區(qū)域第四代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模力爭(zhēng)突破50億元，建成國內(nèi)領(lǐng)先、輻射長三角區(qū)域的第四代半導(dǎo)體材料與專用器件產(chǎn)業(yè)先導(dǎo)區(qū)。

產(chǎn)業(yè)空間布局方面，方案規(guī)劃分階段梯度承載模式。短期以滴水湖青創(chuàng)灣、片區(qū)大學(xué)科技園為啟動(dòng)核心區(qū)，布局孵化器、概念驗(yàn)證平臺(tái)與中小研發(fā)企業(yè)；中長期產(chǎn)業(yè)載體向“東方芯港”集成電路產(chǎn)業(yè)片區(qū)拓展，聯(lián)動(dòng)現(xiàn)有成熟晶圓制造、封測(cè)配套資源，實(shí)現(xiàn)第四代半導(dǎo)體與現(xiàn)有集成電路、新能源汽車、航空航天、高端裝備產(chǎn)業(yè)協(xié)同配套發(fā)展。

政策配套層面，臨港同步配套未來產(chǎn)業(yè)基金、項(xiàng)目攻關(guān)專項(xiàng)補(bǔ)貼、流片驗(yàn)證補(bǔ)助、載體空間扶持等落地舉措，針對(duì)氧化鎵襯底、金剛石半導(dǎo)體加工、銻基紅外芯片等卡脖子技術(shù)設(shè)立專項(xiàng)攻關(guān)支持通道，單個(gè)核心技術(shù)項(xiàng)目可申報(bào)高額研發(fā)扶持資金，降低企業(yè)產(chǎn)業(yè)化試錯(cuò)成本。

公開產(chǎn)業(yè)資料顯示，第四代半導(dǎo)體屬于繼硅、砷化鎵、碳化硅/氮化鎵之后的新一代半導(dǎo)體材料體系，在高壓電力電子、極端環(huán)境探測(cè)、AI芯片散熱、量子精密測(cè)量等領(lǐng)域具備不可替代性能優(yōu)勢(shì)，當(dāng)前全球整體處于產(chǎn)業(yè)化前期階段。臨港本次專項(xiàng)方案落地，為國內(nèi)第四代半導(dǎo)體區(qū)域集群化發(fā)展提供清晰政策指引。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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