在全球功率半導體技術競逐愈演愈烈的背景下，三菱化學與日本制鋼所（JSW）正加快在氮化鎵（GaN）領域的投資步伐。根據(jù)日經(jīng)新聞7日報道，雙方計劃到2027年將GaN基板產(chǎn)能較2026年提升五成，以應對電動汽車快充、逆變器及數(shù)據(jù)中心電源等下游應用對高性能功率器件日益旺盛的需求。這一擴產(chǎn)目標建立在今年4月產(chǎn)能已較2021年翻倍的基礎之上，意味著屆時總產(chǎn)能將達到2021年度的三倍。
作為新一代寬帶隙半導體材料，氮化鎵在電力電子領域展現(xiàn)出獨特的技術優(yōu)勢。與傳統(tǒng)的硅基材料相比，GaN能夠耐受更高的工作電壓；而與同為寬禁帶材料的碳化硅（SiC）相比，它又具備更快的電流調(diào)控速度和更低的電能損耗，尤其適合高頻、高功率密度的應用場景。正是這些特性，使GaN成為下一代功率半導體器件最受關注的候選材料之一，也吸引了全球主要經(jīng)濟體在材料和工藝環(huán)節(jié)展開密集布局。
三菱化學與JSW自2021年起便攜手推進功率半導體用GaN基板的聯(lián)合研發(fā)，在技術路徑上選擇了低壓酸性氨熱法（SCAAT-LP）工藝，旨在降低制造成本的同時提升晶體品質(zhì)。雙方的合作分工清晰：三菱化學主導技術開發(fā)與原料供應，JSW則承擔基板量產(chǎn)職能。通過整合各自旗下相關子公司的資源，兩家企業(yè)正在將實驗室階段的工藝積累加速向產(chǎn)線轉(zhuǎn)移。
從產(chǎn)品路線圖來看，目前4英寸基板仍處于客戶性能驗證階段，但市場的增量預期已促使雙方提前部署更大尺寸規(guī)格。按照規(guī)劃，2026年度將開始提供6英寸基板樣品，2028年度進一步推出8英寸產(chǎn)品。大尺寸化不僅有助于降低單顆芯片的制造成本，也是GaN基板從高端利基市場走向大規(guī)模商用必須跨越的門檻。
此番擴產(chǎn)的信號意義在于，功率半導體產(chǎn)業(yè)正從“材料替代”的驗證期轉(zhuǎn)向“產(chǎn)能卡位”的競爭期。隨著電動汽車800V高壓平臺的普及和數(shù)據(jù)中心能耗標準的持續(xù)升級，GaN器件在快速充電、DC-DC轉(zhuǎn)換和電源管理模塊中的滲透率有望加速提升。三菱化學與JSW的提前擴產(chǎn)，既是響應現(xiàn)有客戶需求的務實舉措，也是對中遠期結構性增長機會的戰(zhàn)略押注。而日本企業(yè)在化合物半導體襯底材料領域積累的裝備與工藝經(jīng)驗，或?qū)⒃谶@一輪全球產(chǎn)能競賽中成為關鍵的競爭變量。
在全球功率半導體技術競逐愈演愈烈的背景下，三菱化學與日本制鋼所（JSW）正加快在氮化鎵（GaN）領域的投資步伐。根據(jù)日經(jīng)新聞7日報道，雙方計劃到2027年將GaN基板產(chǎn)能較2026年提升五成，以應對電動汽車快充、逆變器及數(shù)據(jù)中心電源等下游應用對高性能功率器件日益旺盛的需求。這一擴產(chǎn)目標建立在今年4月產(chǎn)能已較2021年翻倍的基礎之上，意味著屆時總產(chǎn)能將達到2021年度的三倍。
作為新一代寬帶隙半導體材料，氮化鎵在電力電子領域展現(xiàn)出獨特的技術優(yōu)勢。與傳統(tǒng)的硅基材料相比，GaN能夠耐受更高的工作電壓；而與同為寬禁帶材料的碳化硅（SiC）相比，它又具備更快的電流調(diào)控速度和更低的電能損耗，尤其適合高頻、高功率密度的應用場景。正是這些特性，使GaN成為下一代功率半導體器件最受關注的候選材料之一，也吸引了全球主要經(jīng)濟體在材料和工藝環(huán)節(jié)展開密集布局。
三菱化學與JSW自2021年起便攜手推進功率半導體用GaN基板的聯(lián)合研發(fā)，在技術路徑上選擇了低壓酸性氨熱法（SCAAT-LP）工藝，旨在降低制造成本的同時提升晶體品質(zhì)。雙方的合作分工清晰：三菱化學主導技術開發(fā)與原料供應，JSW則承擔基板量產(chǎn)職能。通過整合各自旗下相關子公司的資源，兩家企業(yè)正在將實驗室階段的工藝積累加速向產(chǎn)線轉(zhuǎn)移。
從產(chǎn)品路線圖來看，目前4英寸基板仍處于客戶性能驗證階段，但市場的增量預期已促使雙方提前部署更大尺寸規(guī)格。按照規(guī)劃，2026年度將開始提供6英寸基板樣品，2028年度進一步推出8英寸產(chǎn)品。大尺寸化不僅有助于降低單顆芯片的制造成本，也是GaN基板從高端利基市場走向大規(guī)模商用必須跨越的門檻。
此番擴產(chǎn)的信號意義在于，功率半導體產(chǎn)業(yè)正從“材料替代”的驗證期轉(zhuǎn)向“產(chǎn)能卡位”的競爭期。隨著電動汽車800V高壓平臺的普及和數(shù)據(jù)中心能耗標準的持續(xù)升級，GaN器件在快速充電、DC-DC轉(zhuǎn)換和電源管理模塊中的滲透率有望加速提升。三菱化學與JSW的提前擴產(chǎn)，既是響應現(xiàn)有客戶需求的務實舉措，也是對中遠期結構性增長機會的戰(zhàn)略押注。而日本企業(yè)在化合物半導體襯底材料領域積累的裝備與工藝經(jīng)驗，或?qū)⒃谶@一輪全球產(chǎn)能競賽中成為關鍵的競爭變量。
（集邦化合物半導體整理）
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