6月16日，ROHM（羅姆半導(dǎo)體）宣布，推出600V耐壓超級(jí)結(jié)MOSFET新產(chǎn)品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”，新產(chǎn)品已于2026年6月開(kāi)始逐步量產(chǎn)。

在封裝方面，新增了DFN8080-5L（8.0×8.0×0.85mm）和TOLL（11.68×9.9×2.3mm）兩種表貼型新系列產(chǎn)品，非常適合AI服務(wù)器、工業(yè)設(shè)備電源等需要節(jié)省空間和提高功率密度的應(yīng)用；在特性方面，將MOSFET導(dǎo)通所需的柵極閾值電壓（VGS(th)）設(shè)定在一般產(chǎn)品廣為使用的3V~5V區(qū)間，能夠支持更廣泛的驅(qū)動(dòng)條件。而且，通過(guò)改善跨導(dǎo)特性，使該特性較現(xiàn)有系列產(chǎn)品更為優(yōu)異，實(shí)現(xiàn)了更高通用性和更低損耗。

新產(chǎn)品的產(chǎn)品陣容包括“R60xxXNx系列”21款高速開(kāi)關(guān)型產(chǎn)品，以及“R60xxWNx系列”11款具有業(yè)界超高速反向恢復(fù)特性的PrestoMOS?型產(chǎn)品。從重視兼容性的設(shè)計(jì)到重視低損耗的設(shè)計(jì)，客戶可根據(jù)應(yīng)用需求選擇合適的產(chǎn)品。

ROHM表示，在數(shù)據(jù)中心和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，隨著處理負(fù)荷的增加，電力需求不斷攀升。為降低功耗和發(fā)熱量，市場(chǎng)對(duì)電源的效率提升有迫切需求。另外，在設(shè)備的小型化發(fā)展趨勢(shì)下，要在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高輸出功率，就必須進(jìn)一步提高電源電路的功率密度并更加節(jié)省空間。

為滿足這些要求，超級(jí)結(jié)MOSFET也需要進(jìn)一步降低損耗并提高熱性能，因此，散熱性優(yōu)異的表貼型封裝產(chǎn)品備受青睞。此外，近年來(lái)，從降低采購(gòu)風(fēng)險(xiǎn)的角度出發(fā)，多源設(shè)計(jì)和確保第二供貨源至關(guān)重要，因此與現(xiàn)有通用產(chǎn)品的高度兼容性也成為了重要考量條件。

ROHM于2022年開(kāi)始量產(chǎn)內(nèi)置高速恢復(fù)二極管的PrestoMOS?型“R60xxVNx系列”以及高速開(kāi)關(guān)型“R60xxYNx系列”。這次開(kāi)發(fā)出的“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”不僅繼承了原有系列低損耗特性和高可靠性，還采用了散熱性能優(yōu)異的表貼型封裝，并具備與常用產(chǎn)品之間的高度兼容性，有助于提高電源設(shè)計(jì)的靈活性。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。