繼年初發(fā)布1200V JFET產(chǎn)品后，至信微近日推出了第二款量產(chǎn)級碳化硅JFET器件——650V 140mΩ SiC JFET。

該產(chǎn)品具備650V耐壓和低導通電阻，利用JFET特有的高速開關(guān)能力，可降低系統(tǒng)導通損耗，提升能效。供貨方式上，至信微提供兩種選擇：一是晶圓銷售，支持客戶自定義封裝與模塊集成；二是采用TO-220封裝的Cascode結(jié)構(gòu)成品，便于直接使用。

碳化硅JFET的制造工藝在寬禁帶半導體領(lǐng)域難度較高，至信微是為數(shù)不多掌握該技術(shù)量產(chǎn)能力的企業(yè)之一。此次650V產(chǎn)品的量產(chǎn)，主要面向適配器、PD快充、數(shù)據(jù)中心電源等對功率密度和轉(zhuǎn)換效率要求較高的電源場景。

相比傳統(tǒng)硅基器件，碳化硅JFET在高溫、高頻和高電壓環(huán)境下穩(wěn)定性更優(yōu)，有助于提升電源系統(tǒng)的可靠性與能效。

至信微表示，接下來將繼續(xù)推進更高電壓等級、更低導通電阻的JFET產(chǎn)品研發(fā)，并與國內(nèi)外電源廠商合作，推動碳化硅JFET在新能源、工業(yè)電源、車載充電等更多領(lǐng)域規(guī)?；瘧?yīng)用。

（集邦化合物半導體整理）

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