據(jù)韓媒《ETNEWS》近日?qǐng)?bào)道，為改變本國功率半導(dǎo)體市場(chǎng)90%~95%依賴進(jìn)口的現(xiàn)狀，韓國政府計(jì)劃投入5000億韓元，全力支持化合物功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

根據(jù)政府公布的路線圖，韓國將在今年啟動(dòng)8英寸（200mm）化合物功率半導(dǎo)體晶圓廠的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，目標(biāo)是到2027年量產(chǎn)1200V SiC MOSFET等關(guān)鍵功率器件。至2030年，韓國希望將功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)與產(chǎn)能自給率提升至當(dāng)前水平的兩倍。

報(bào)道指出，此次政府主導(dǎo)的發(fā)展戰(zhàn)略預(yù)計(jì)還將撬動(dòng)2500億韓元的民間配套資金。該計(jì)劃將由需求企業(yè)牽頭，組建包含需求方、Fabless設(shè)計(jì)公司及晶圓代工廠在內(nèi)的產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，確保研發(fā)成果能夠快速投入實(shí)際應(yīng)用。

近年來，韓國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長迅速，尤其在碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域持續(xù)加大投入，力求實(shí)現(xiàn)技術(shù)自主并提升全球競(jìng)爭(zhēng)力。

在企業(yè)布局方面，三星電子計(jì)劃于2026年第三季度生產(chǎn)SiC功率半導(dǎo)體樣品，主要面向車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)應(yīng)用，未來還將拓展至溝槽型SiC MOSFET及功率模塊等產(chǎn)品。此外，ChipScale等企業(yè)專注于GaN功率半導(dǎo)體的量產(chǎn)，現(xiàn)代汽車、起亞等車企則通過自研或與供應(yīng)商合作，積極推動(dòng)SiC技術(shù)在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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