方正微電子車規(guī)級(jí)SiC MOSFET出貨破3000萬顆

作者 | 發(fā)布日期 2026 年 04 月 29 日 15:35 | 分類 碳化硅SiC

4月26日,深圳方正微電子有限公司(簡稱:“方正微電子”)宣布其車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)MOSFET芯片累計(jì)出貨量突破3000萬顆,并同步推出全新一代車規(guī)級(jí)SiC MOSFET——G3新平臺(tái)系列產(chǎn)品。

圖片來源:方正微電子

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體核心材料,主要應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)逆變器等關(guān)鍵部件,其性能與新能源汽車能效、續(xù)航表現(xiàn)密切相關(guān)。此次3000萬顆的累計(jì)出貨量,顯示出該公司車規(guī)級(jí)SiC MOSFET芯片已實(shí)現(xiàn)規(guī)?;逃?,并通過市場(chǎng)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景的驗(yàn)證。

據(jù)方正微電子總裁吳偉濤在發(fā)布會(huì)上介紹,3000萬顆的出貨規(guī)模,是客戶在實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景中長期驗(yàn)證的結(jié)果。公開信息顯示,該公司碳化硅MOSFET主機(jī)芯片良率超85%,全系車規(guī)產(chǎn)品通過AEC-Q101認(rèn)證,2025年已應(yīng)用于部分國產(chǎn)新能源乘用車與商務(wù)車。

本次發(fā)布的G3新平臺(tái)系列產(chǎn)品,為方正微電子第三代車規(guī)SiC技術(shù)產(chǎn)品,其首款1200V 11mΩ產(chǎn)品標(biāo)注的核心性能參數(shù)達(dá)到行業(yè)主流水平。該平臺(tái)產(chǎn)品具備導(dǎo)通損耗較低、高溫穩(wěn)定性較強(qiáng)、集成度與可靠性較高的特點(diǎn),芯片尺寸經(jīng)過優(yōu)化,可適配車規(guī)級(jí)應(yīng)用環(huán)境,覆蓋主驅(qū)逆變器、車載充電機(jī)(OBC)、DC-DC轉(zhuǎn)換器及高壓配電單元(PDU)等應(yīng)用場(chǎng)景。

公開資料顯示,方正微電子成立于2003年12月,2021年8月由深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團(tuán)入主,業(yè)務(wù)涵蓋SiC晶圓、器件、模組的研發(fā)、制造與銷售,應(yīng)用領(lǐng)域包括新能源汽車、光儲(chǔ)充、工業(yè)電源、AI數(shù)據(jù)中心、低空飛行器(eVTOL)等。該公司已建成6英寸研發(fā)量產(chǎn)兼容線及8英寸SiC產(chǎn)線,具備規(guī)?;桓赌芰?。

據(jù)悉,方正微電子于2023年實(shí)現(xiàn)主驅(qū)SiC MOSFET量產(chǎn),2024年實(shí)現(xiàn)規(guī)?;宪嚕?025年推出第二代1200V 13mΩ車規(guī)產(chǎn)品;其工規(guī)級(jí)SiC MOS/SBD 1200V系列已在光伏、儲(chǔ)能、工業(yè)電源領(lǐng)域部分企業(yè)批量應(yīng)用。此次出貨量突破及新平臺(tái)發(fā)布,是該公司在車規(guī)級(jí)SiC領(lǐng)域的重要進(jìn)展。

當(dāng)前,新能源汽車與光儲(chǔ)充產(chǎn)業(yè)需求增長,帶動(dòng)SiC功率器件市場(chǎng)需求提升。方正微電子表示,未來將繼續(xù)推進(jìn)技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)能擴(kuò)張,完善G3平臺(tái)產(chǎn)品布局,拓展多元應(yīng)用場(chǎng)景。

(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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