6月2日上午，格晶半導(dǎo)體氮化鎵功率模組西南總部項(xiàng)目簽約儀式在四川南充舉辦，南充高新區(qū)管委會(huì)與項(xiàng)目投資方上海格晶半導(dǎo)體有限公司正式簽署項(xiàng)目投資合作協(xié)議，標(biāo)志該第三代半導(dǎo)體西南產(chǎn)業(yè)化基地落地南充高新區(qū)（臨江新區(qū)順慶片區(qū)）。

據(jù)南充市政府發(fā)布公示信息，本次落地項(xiàng)目定位為企業(yè)西南區(qū)域總部，聚焦氮化鎵功率模組研發(fā)、封裝與量產(chǎn)制造，產(chǎn)品面向新能源車(chē)載電源、工業(yè)變頻、通信電源、快充模組等下游應(yīng)用領(lǐng)域，是格晶半導(dǎo)體繼江蘇、江西生產(chǎn)基地布局之后，在國(guó)內(nèi)西南片區(qū)落地的首個(gè)規(guī)?；壆a(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。

氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具備高功率密度、耐高溫以及在高開(kāi)關(guān)頻率下穩(wěn)定工作的突出優(yōu)勢(shì)，在消費(fèi)電子快充、數(shù)據(jù)中心電源、電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電及牽引逆變等領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景。

公開(kāi)工商及企業(yè)資料顯示，上海格晶半導(dǎo)體2017年注冊(cè)成立，主體總部坐落上海臨港新片區(qū)，為IDM模式第三代半導(dǎo)體廠(chǎng)商，業(yè)務(wù)覆蓋氮化鎵外延片、功率芯片、功率模組全鏈條研發(fā)制造。

企業(yè)此前已在江蘇徐州布局外延生產(chǎn)基地、江西上饒落地總投資25億元氮化鎵晶圓制造項(xiàng)目，上饒項(xiàng)目建成后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)20萬(wàn)片8英寸氮化鎵功率晶圓量產(chǎn)能力，是江西本土首家氮化鎵車(chē)載功率器件量產(chǎn)晶圓項(xiàng)目。

從地方產(chǎn)業(yè)配套來(lái)看，南充近年依托成渝雙城經(jīng)濟(jì)圈區(qū)位優(yōu)勢(shì)，持續(xù)完善電子信息產(chǎn)業(yè)集群，已落地顯示芯片、半導(dǎo)體元器件、功率器件配套等多個(gè)重點(diǎn)制造項(xiàng)目，形成上下游配套產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。