Atomera與Synopsys近日深化長期戰(zhàn)略合作，共同發(fā)力氮化鎵（GaN）領(lǐng)域。作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體，GaN在射頻和功率器件上優(yōu)勢顯著，有望重塑產(chǎn)業(yè)路徑。

此前，雙方已將Atomera的Mears硅基技術(shù)集成至Synopsys的Sentaurus TCAD平臺，推出MSTcad解決方案，幫助芯片設(shè)計人員在流片前完成高精度仿真，降低試錯成本。在此基礎(chǔ)上，合作將拓展至GaN全流程，覆蓋從設(shè)計到量產(chǎn)的標準化鏈路。

本次合作聚焦三點：一是建立GaN器件全參數(shù)校準方法與高保真仿真數(shù)據(jù)集，構(gòu)建數(shù)字孿生模型；二是優(yōu)化從仿真到量產(chǎn)的流程，減少實體原型迭代，縮短研發(fā)周期；三是Atomera向Synopsys反饋真實量產(chǎn)經(jīng)驗，驅(qū)動仿真工具持續(xù)升級。

5G/6G、新能源汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域亟需可在極端工況下穩(wěn)定運行的高性能芯片，GaN是最優(yōu)路徑之一。Synopsys方面表示，合作旨在提升GaN仿真精度，助力設(shè)計更高效的功率與射頻器件。Atomera CEO稱，雙方將共同攻克射頻和功率半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸。

此次合作為半導(dǎo)體材料與EDA工具深度協(xié)同樹立了新范式，有望降低新材料產(chǎn)業(yè)化門檻，推動下一代智能產(chǎn)業(yè)底層技術(shù)迭代。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。