2026年一季度，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體（碳化硅SiC/氮化鎵GaN）產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn) “冰火兩重天” 格局。受益于5G基站建設(shè)與新能源汽車車載電源（OBC）需求爆發(fā)，GaN射頻企業(yè)業(yè)績(jī)高增；而SiC功率賽道受價(jià)格戰(zhàn)、產(chǎn)能爬坡折舊壓力影響，多數(shù)企業(yè)利潤(rùn)承壓。
圖片來(lái)源：集邦化合物半導(dǎo)體制圖
GaN射頻領(lǐng)跑，設(shè)備與車規(guī)SiC兌現(xiàn)紅利
1、中瓷電子受益5G與衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)
中瓷電子以79.05%的營(yíng)收增速領(lǐng)跑三代半企業(yè)，核心動(dòng)力來(lái)自子公司博威的GaN射頻器件業(yè)務(wù)。作為國(guó)內(nèi)GaN射頻領(lǐng)軍企業(yè)，博威產(chǎn)品批量供貨國(guó)內(nèi)5G宏基站與衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)終端，疊加軍工電子訂單放量，驅(qū)動(dòng)中瓷電子營(yíng)收規(guī)模突破10億元大關(guān)。同時(shí)，公司SiC功率產(chǎn)品在頭部車廠OBC實(shí)現(xiàn)批量供貨，成為第二增長(zhǎng)曲線。
2、揚(yáng)杰科技車規(guī)突破，盈利韌性凸顯
揚(yáng)杰科技Q1營(yíng)收、凈利潤(rùn)雙增，核心得益于SiC功率器件的車規(guī)級(jí)突破。公司首條SiC芯片產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，覆蓋650V-1700V全電壓平臺(tái)，車規(guī)級(jí)功率模塊封裝項(xiàng)目順利投產(chǎn)，并獲得多家Tier1客戶訂單。在新能源汽車800V平臺(tái)滲透加速背景下，SiC模塊需求持續(xù)旺盛，疊加工業(yè)光伏領(lǐng)域剛需，推動(dòng)公司SiC業(yè)務(wù)收入同比增長(zhǎng)超50%，成為業(yè)績(jī)核心引擎。
3、中微公司GaN MOCVD市占領(lǐng)先，利潤(rùn)彈性釋放
中微公司Q1凈利潤(rùn)同比大增197.20%，雖包含出售拓荊科技股權(quán)的一次性收益（約3.97億元），但扣非凈利潤(rùn)仍同比增長(zhǎng)60.09%，主業(yè)增長(zhǎng)扎實(shí)。公司GaN MOCVD設(shè)備在國(guó)內(nèi)市占率領(lǐng)先，受益于GaN射頻、Mini LED、功率器件產(chǎn)能擴(kuò)張，訂單持續(xù)飽滿；SiC/GaN功率用MOCVD設(shè)備已進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段，有望在下半年實(shí)現(xiàn)批量出貨，打開長(zhǎng)期成長(zhǎng)空間。
SiC襯底與IDM產(chǎn)能爬坡，折舊與價(jià)格戰(zhàn)拖累利潤(rùn)
1、SiC襯底：天岳先進(jìn)由盈轉(zhuǎn)虧
天岳先進(jìn)作為國(guó)內(nèi)SiC襯底龍頭，Q1營(yíng)收同比下滑10.41%，歸母凈利潤(rùn)虧損6051萬(wàn)元，同比由盈轉(zhuǎn)虧。核心原因是SiC襯底行業(yè)價(jià)格戰(zhàn)持續(xù)，6英寸襯底價(jià)格同比下降超30%，疊加8英寸產(chǎn)線產(chǎn)能爬坡，單位成本高企，毛利率持續(xù)為負(fù)。不過(guò)，公司6/8英寸襯底出貨量環(huán)比增長(zhǎng)3.58%，隨著產(chǎn)能利用率提升與良率改善，后續(xù)盈利有望邊際修復(fù)。
2、三安光電轉(zhuǎn)型陣痛，傳統(tǒng)業(yè)務(wù)+新業(yè)務(wù)雙承壓
三安光電Q1營(yíng)收、凈利潤(rùn)雙雙大幅下滑，處于轉(zhuǎn)型陣痛期。一方面，傳統(tǒng)LED業(yè)務(wù)需求低迷，價(jià)格持續(xù)下跌，營(yíng)收同比下滑超40%；另一方面，SiC襯底、射頻濾波器等新業(yè)務(wù)仍處于產(chǎn)能爬坡階段，湖南三安SiC產(chǎn)線折舊費(fèi)用高企，且客戶認(rèn)證周期長(zhǎng)，尚未實(shí)現(xiàn)盈利，持續(xù)拖累整體利潤(rùn)。不過(guò)，公司SiC器件已通過(guò)部分車規(guī)客戶驗(yàn)證，射頻濾波器在通信基站領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)小批量供貨，長(zhǎng)期成長(zhǎng)邏輯不變。
3、斯達(dá)半導(dǎo)折舊壓力激增，短期利潤(rùn)承壓
斯達(dá)半導(dǎo)Q1營(yíng)收同比下滑6%，歸母凈利潤(rùn)同比暴跌74.32%，核心原因公司芯片制造全資子公司嘉興斯達(dá)微電子有限公司多個(gè)產(chǎn)品線順利投產(chǎn)但還處于產(chǎn)能爬坡期，本期折舊費(fèi)用同比增加7543.39萬(wàn)元，疊加固定資產(chǎn)折舊攤銷上升，階段性成本高企。同時(shí)，下游新能源汽車需求短期承壓，SiC模塊價(jià)格略有下滑，進(jìn)一步擠壓利潤(rùn)空間。不過(guò)，公司SiC模塊已批量供貨國(guó)內(nèi)主流新能源車企，隨著產(chǎn)能利用率提升與成本下降，下半年業(yè)績(jī)有望回暖。
分化將持續(xù)，技術(shù)突破與成本控制成關(guān)鍵
2026年Q1國(guó)內(nèi)三代半企業(yè)業(yè)績(jī)分化，本質(zhì)是賽道景氣度、技術(shù)成熟度、產(chǎn)能釋放節(jié)奏的綜合體現(xiàn)。
短期來(lái)看，GaN射頻受益于5G基站建設(shè)與衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展，高景氣度將持續(xù)；SiC功率器件在新能源汽車800V平臺(tái)、工業(yè)光伏領(lǐng)域的滲透加速，車規(guī)級(jí)認(rèn)證突破的企業(yè)將率先兌現(xiàn)紅利；SiC襯底行業(yè)價(jià)格戰(zhàn)仍將持續(xù)，具備規(guī)模效應(yīng)與技術(shù)優(yōu)勢(shì)的企業(yè)有望在洗牌中勝出。
長(zhǎng)期來(lái)看，第三代半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)彎道超車的關(guān)鍵賽道，政策支持力度持續(xù)加大，下游應(yīng)用場(chǎng)景不斷拓展。企業(yè)需聚焦技術(shù)突破（如SiC襯底良率提升、GaN器件可靠性優(yōu)化）、成本控制（如產(chǎn)能利用率提升、規(guī)?；a(chǎn)降本）、客戶認(rèn)證（如車規(guī)級(jí)、工業(yè)級(jí)認(rèn)證）三大核心，方能在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)一席之地。
（集邦化合物半導(dǎo)體 林曉 整理）
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