隨著全球?qū)Ω咝堋⒏哳l及高壓電力電子器件需求的持續(xù)攀升，第三代半導(dǎo)體（以碳化硅 SiC 和氮化鎵 GaN 為代表）已成為當(dāng)前硬科技投資與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的重要戰(zhàn)場(chǎng)。

近期國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈迎來(lái)新一輪上市潮，天科合達(dá)、中導(dǎo)光電、博雅新材相繼更新了IPO動(dòng)態(tài)，累計(jì)擬募集資金近65億元。

01、天科合達(dá)科創(chuàng)板IPO獲受理

6月30日，上交所官網(wǎng)披露，北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)正式獲受理，保薦機(jī)構(gòu)為中金公司，本次計(jì)劃募集資金總額27.8億元，全部投向第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目。

圖片來(lái)源：上交所信息截圖

公司深耕碳化硅單晶襯底研發(fā)制造，依托中科院物理所技術(shù)成果，搭建從高純粉料、晶體生長(zhǎng)、晶片加工到檢測(cè)的完整自主產(chǎn)線，產(chǎn)品包含導(dǎo)電型、半絕緣型碳化硅襯底，適配新能源汽車功率器件、5G射頻芯片兩大主流應(yīng)用場(chǎng)景，是國(guó)內(nèi)碳化硅襯底核心廠商之一。

本次募投項(xiàng)目將擴(kuò)充6英寸碳化硅襯底規(guī)?；a(chǎn)能，同步推進(jìn)8英寸、12英寸大尺寸襯底工藝落地，匹配下游800V高壓車載平臺(tái)、光伏逆變器持續(xù)增長(zhǎng)的訂單需求。

公告顯示，公司此前三次申報(bào)科創(chuàng)板IPO，今年5月撤回材料完成股權(quán)、財(cái)務(wù)、技術(shù)合規(guī)梳理，時(shí)隔不足兩月再度遞交全套申報(bào)文件。

隨著全球新能源汽車、光伏儲(chǔ)能及5G基站對(duì)高壓、高頻電力電子器件的需求迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)，高品質(zhì)碳化硅襯底的產(chǎn)能供給成為制約整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸。

02、中導(dǎo)光電科創(chuàng)板IPO獲受理

6月29日，中導(dǎo)光電設(shè)備股份有限公司科創(chuàng)板IPO審核狀態(tài)更新為“已受理”，本次擬募集資金18億元，資金分別投向武漢生產(chǎn)研發(fā)中心一期新建、肇慶生產(chǎn)研發(fā)中心擴(kuò)建，剩余3.7億元用于補(bǔ)充流動(dòng)資金。

圖片來(lái)源：科創(chuàng)板信息截圖

公司創(chuàng)立于2006年，由海外設(shè)備專家團(tuán)隊(duì)創(chuàng)辦，主營(yíng)平板顯示與半導(dǎo)體晶圓前道光學(xué)檢測(cè)設(shè)備，是國(guó)內(nèi)少數(shù)實(shí)現(xiàn)納米級(jí)晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備量產(chǎn)的本土廠商。

據(jù)該公司官方平臺(tái)顯示，中導(dǎo)光電自主研發(fā)的NanoPro-150C 8 吋 SiC納米級(jí)晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備，成功開(kāi)拓兩家國(guó)內(nèi)8吋碳化硅制造企業(yè)，并達(dá)成正式設(shè)備采購(gòu)訂單。

財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，公司近三年?duì)I收高速增長(zhǎng)，2023至2025年?duì)I收復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)145.99%，2025年歸母凈利潤(rùn)突破9000萬(wàn)元，在同行業(yè)可比企業(yè)中盈利表現(xiàn)突出。

在第三代半導(dǎo)體材料（如SiC晶圓）的加工過(guò)程中，由于材料硬度高、脆性大，前道制程中的缺陷檢測(cè)與微觀量測(cè)面臨極高的技術(shù)壁壘。

本次擴(kuò)產(chǎn)將新增Micro-LED、3D封裝、SiC晶圓檢測(cè)設(shè)備產(chǎn)能，同步布局12英寸碳化硅檢測(cè)設(shè)備研發(fā)，補(bǔ)齊第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)設(shè)備短板。

03、博雅新材創(chuàng)業(yè)板IPO獲受理

6月29日，博雅新材料股份有限公司創(chuàng)業(yè)板IPO申請(qǐng)獲深交所受理，企業(yè)計(jì)劃募集資金18.84億元，全部用于稀土功能材料生產(chǎn)基地與前沿研發(fā)中心兩大項(xiàng)目建設(shè)。

圖片來(lái)源：深交所信息截圖

公司以液相提拉法晶體生長(zhǎng)技術(shù)為核心，主營(yíng)硅酸釔镥閃爍晶體、釩酸釔光通信晶體，同時(shí)布局氣相法碳化硅單晶研發(fā)，是全球少數(shù)同時(shí)掌握兩種晶體生長(zhǎng)工藝的企業(yè)。

2024年公司全球首發(fā)12英寸碳化硅單晶，切入第三代半導(dǎo)體襯底賽道，本次募投研發(fā)中心將重點(diǎn)攻關(guān)碳化硅散熱基板、光通信法拉第晶體等前沿材料。業(yè)績(jī)層面，公司2023至2025年?duì)I收持續(xù)攀升，虧損規(guī)模逐年收窄，企業(yè)預(yù)計(jì)2026年有望實(shí)現(xiàn)全年扭虧。

從產(chǎn)業(yè)定位來(lái)看，博雅新材橫跨醫(yī)療光子、光通信、第三代半導(dǎo)體三大賽道，碳化硅晶體業(yè)務(wù)可與車載、算力硬件需求形成聯(lián)動(dòng)。產(chǎn)能擴(kuò)建完成后，公司將進(jìn)一步鞏固全球晶體材料龍頭地位，為國(guó)內(nèi)光通信、寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈提供國(guó)產(chǎn)化核心基材。

04、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈機(jī)遇顯現(xiàn)

三家企業(yè)同步啟動(dòng)IPO申報(bào)，覆蓋襯底基材、制造檢測(cè)設(shè)備、功能晶體三大上游核心環(huán)節(jié)。

天科合達(dá)聚焦碳化硅襯底、中導(dǎo)光電補(bǔ)齊檢測(cè)設(shè)備短板、博雅新材打通光子與功率半導(dǎo)體材料，資本市場(chǎng)募資將加速各環(huán)節(jié)產(chǎn)能釋放，逐步降低全產(chǎn)業(yè)鏈對(duì)海外產(chǎn)品依賴。

此外，下游多元需求打開(kāi)長(zhǎng)期成長(zhǎng)空間，企業(yè)賽道差異化布局規(guī)避同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)。新能源車800V高壓平臺(tái)帶動(dòng)碳化硅襯底需求上行，AI算力、全光交換機(jī)拉動(dòng)光通信晶體增量，SiC晶圓擴(kuò)產(chǎn)催生檢測(cè)設(shè)備增量需求。

三家企業(yè)賽道各有側(cè)重，天科合達(dá)深耕功率半導(dǎo)體襯底，中導(dǎo)光電綁定晶圓制造設(shè)備，博雅新材兼顧醫(yī)療與光通信賽道，多元化下游分散單一行業(yè)周期波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)，具備更強(qiáng)經(jīng)營(yíng)韌性。

從募資金額來(lái)看，天科合達(dá)、中導(dǎo)光電和博雅新材的募資規(guī)模分別達(dá)到27.8億元、18億元和18.84億元，這反映出半導(dǎo)體上游屬于典型的資本與技術(shù)雙密集型行業(yè)。

無(wú)論是碳化硅襯底的“長(zhǎng)晶”工藝、前道微觀缺陷的“檢測(cè)”設(shè)備，還是高端人工晶體的“提拉”技術(shù)，都需要巨額、長(zhǎng)期的研發(fā)投入與產(chǎn)能建設(shè)支撐。資本市場(chǎng)對(duì)這些企業(yè)的密集受理，顯示出政策和市場(chǎng)對(duì)于補(bǔ)齊半導(dǎo)體底層鏈條短板的堅(jiān)定決心。

整體來(lái)看，本輪多家企業(yè)集中IPO，是國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成熟度提升的又一信號(hào)。資本市場(chǎng)融資渠道打通后，上游企業(yè)將擁有更充足資金推進(jìn)工藝迭代與產(chǎn)能擴(kuò)張，逐步構(gòu)建自主可控的寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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