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納微半導(dǎo)體發(fā)布第五代 GeneSiC?技術(shù)平臺(tái)
作者 |發(fā)布日期 2026 年 02 月 24 日 15:52 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）推出其第五代（Gen 5）GeneSiC?碳化硅技術(shù)平臺(tái)。這一全新平臺(tái)的發(fā)布標(biāo)志著高性能功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的一項(xiàng)重大飛躍，其核心在于引入了行業(yè)領(lǐng)先的“溝槽輔助平面網(wǎng)格”（Trench-Assisted Planar，簡稱TA...  [詳內(nèi)文]

又有兩家功率半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)布漲價(jià)函！
作者 |發(fā)布日期 2026 年 02 月 14 日 13:58 | 分類 企業(yè)
近日，華潤微電子（簡稱“華潤微”）與杭州士蘭微電子股份有限公司（簡稱“士蘭微”）相繼發(fā)布產(chǎn)品價(jià)格調(diào)整通知函，宣布上調(diào)相關(guān)半導(dǎo)體產(chǎn)品價(jià)格。 華潤微發(fā)布漲價(jià)函稱，受全球上游原材料及關(guān)鍵貴金屬價(jià)格大幅攀升影響，公司晶圓制造與封測成本持續(xù)上升，同時(shí)半導(dǎo)體市場部分產(chǎn)品需求旺盛、產(chǎn)能緊張，即...  [詳內(nèi)文]

芬蘭半導(dǎo)體激光器廠商Vexlum獲千萬歐元融資
作者 |發(fā)布日期 2026 年 02 月 14 日 13:58 | 分類 企業(yè)
近期，芬蘭半導(dǎo)體激光技術(shù)開發(fā)商Vexlum正式宣布完成總額為1000萬歐元（約合1100萬美元）的綜合融資。這筆資金將專門用于擴(kuò)大其在芬蘭的專有半導(dǎo)體芯片制造業(yè)務(wù)及激光技術(shù)規(guī)模。 根據(jù)Vexlum發(fā)布的官方新聞稿及芬蘭政府投資機(jī)構(gòu)Tesi的聯(lián)合聲明，本次融資結(jié)構(gòu)包含了股權(quán)投資、政...  [詳內(nèi)文]

EPC與瑞薩電子達(dá)成氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2026 年 02 月 14 日 13:57 | 分類 氮化鎵GaN
近日，全球增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN）功率器件企業(yè)宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布，已與瑞薩電子（Renesas）簽署一項(xiàng)全面的技術(shù)許可及第二來源（Second Sourcing）合作協(xié)議。 根據(jù)該協(xié)議，瑞薩將獲得EPC經(jīng)市場驗(yàn)證的低壓eGaN技術(shù)及其成熟供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的使用權(quán)，旨在通...  [詳內(nèi)文]

泛林集團(tuán)與CEA-Leti達(dá)成協(xié)議，加速化合物半導(dǎo)體及特種工藝研發(fā)
作者 |發(fā)布日期 2026 年 02 月 13 日 15:21 | 分類 化合物半導(dǎo)體
近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體工藝設(shè)備供應(yīng)商泛林集團(tuán)（Lam Research）與法國微電子研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti正式宣布達(dá)成一項(xiàng)新的長期戰(zhàn)略合作協(xié)議。 圖片來源：泛林集團(tuán)新聞稿 根據(jù)雙方發(fā)布的官方新聞通稿，此次合作旨在加速下一代“特種技術(shù)”（Specialty Technologi...  [詳內(nèi)文]

東方日升首發(fā)全液冷碳化硅儲(chǔ)能一體機(jī)
作者 |發(fā)布日期 2026 年 02 月 13 日 15:17 | 分類 碳化硅SiC
2026年2月12日，東方日升正式首發(fā)推出全液冷碳化硅（SiC）131kW/261kWh工商業(yè)儲(chǔ)能一體機(jī)，該產(chǎn)品從系統(tǒng)架構(gòu)、功率平臺(tái)到安全與智能運(yùn)維實(shí)現(xiàn)全面升級(jí)，針對(duì)性解決工商業(yè)儲(chǔ)能項(xiàng)目效率損失、高溫降額、運(yùn)維復(fù)雜等核心痛點(diǎn)，為行業(yè)提供高功率、高效率、高可靠的儲(chǔ)能解決方案。 據(jù)悉...  [詳內(nèi)文]

碳化硅大廠動(dòng)態(tài)：英飛凌拿下關(guān)鍵訂單，安森美業(yè)績即將復(fù)蘇？
作者 |發(fā)布日期 2026 年 02 月 13 日 15:13 | 分類 碳化硅SiC
近期，全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的兩大頭部企業(yè)——英飛凌（Infineon）與安森美（onsemi）相繼發(fā)布最新動(dòng)態(tài)。英飛凌宣布其碳化硅（SiC）技術(shù)成功切入豐田汽車核心供應(yīng)鏈；安森美發(fā)布最新財(cái)報(bào)，盡管季度營收同比下滑，但業(yè)績指引顯示出市場即將結(jié)束調(diào)整期的信號(hào)。 01、英飛凌：技術(shù)落地，...  [詳內(nèi)文]

青禾晶元聯(lián)合西電取得金剛石半導(dǎo)體技術(shù)重大突破
作者 |發(fā)布日期 2026 年 02 月 12 日 16:28 | 分類 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
2026年2月9日，青禾晶元官網(wǎng)正式對(duì)外公布，其與西安電子科技大學(xué)聯(lián)合技術(shù)團(tuán)隊(duì)在金剛石半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得重大技術(shù)突破，成功開發(fā)基于常溫鍵合與H-Cut技術(shù)的金剛石薄膜高質(zhì)量轉(zhuǎn)移工藝，為金剛石半導(dǎo)體從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用掃清關(guān)鍵障礙。 金剛石被譽(yù)為“終極半導(dǎo)體材料”，憑借超高熱導(dǎo)率...  [詳內(nèi)文]

英飛凌發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》：氮化鎵市場進(jìn)入高速增長爆發(fā)期
作者 |發(fā)布日期 2026 年 02 月 12 日 16:23 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN
全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌（Infineon）近日正式發(fā)布白皮書《2026年GaN技術(shù)展望》，深度揭示了氮化鎵（GaN）技術(shù)在未來幾年的發(fā)展趨勢、創(chuàng)新突破及其在塑造可持續(xù)未來中的關(guān)鍵作用 。 英飛凌指出，氮化鎵（GaN）正作為一種變革性創(chuàng)新技術(shù)脫穎而出，在AI數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人...  [詳內(nèi)文]

長光華芯扭虧、芯導(dǎo)科技并購，功率半導(dǎo)體釋放兩大信號(hào)！
作者 |發(fā)布日期 2026 年 02 月 12 日 16:19 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
2026年2月，長光華芯與芯導(dǎo)科技相繼披露了2025年業(yè)績動(dòng)態(tài)：前者受益于高功率激光業(yè)務(wù)回暖實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，后者則在披露科創(chuàng)板首份年報(bào)的同時(shí)啟動(dòng)重大資產(chǎn)重組。兩家公司的最新動(dòng)向，折射出當(dāng)前功率半導(dǎo)體賽道在技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈整合層面的最新演進(jìn)。 1、長光華芯：高功率激光業(yè)務(wù)驅(qū)動(dòng)業(yè)績修復(fù)...  [詳內(nèi)文]