AIXTRON向瑞薩交付多套GaN MOCVD設(shè)備

作者 | 發(fā)布日期 2026 年 05 月 11 日 15:17 | 分類 氮化鎵GaN

近日,德國半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)AIXTRON(愛思強(qiáng))官方宣布,已向全球知名半導(dǎo)體制造商瑞薩電子交付多套Planetary G5+C型MOCVD系統(tǒng),用于擴(kuò)充瑞薩氮化鎵(GaN)功率器件的大規(guī)模量產(chǎn)(HVM)產(chǎn)能,設(shè)備已全部交付并投入滿負(fù)荷運(yùn)行。

瑞薩電子總部位于日本東京,2010年由瑞薩科技與NEC電子合并成立,是全球領(lǐng)先的嵌入式半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商。核心業(yè)務(wù)覆蓋汽車電子、工業(yè)控制、基礎(chǔ)設(shè)施及物聯(lián)網(wǎng),為全球第三大汽車半導(dǎo)體公司及最大微控制器(MCU)供應(yīng)商,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車動力總成、自動駕駛、工業(yè)自動化及電源管理等領(lǐng)域。

愛思強(qiáng)1983年創(chuàng)立于德國亞琛,總部位于黑措根拉特,是全球化合物半導(dǎo)體沉積設(shè)備的頭部企業(yè)。專注研發(fā)、生產(chǎn)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)設(shè)備,為 GaN、SiC、LED、激光器等提供核心制程裝備,客戶遍及全球,在氮化鎵MOCVD設(shè)備市場占據(jù)重要地位。

此次合作是瑞薩自2024年6月完成對GaN企業(yè)Transphorm收購后,加速GaN產(chǎn)能建設(shè)的關(guān)鍵舉措,核心瞄準(zhǔn)電動車、快充基建、AI數(shù)據(jù)中心電源及工業(yè)電源等領(lǐng)域?qū)Ω咝Чβ势骷谋l(fā)式需求。

MOCVD(金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)是制備高質(zhì)量GaN外延層的核心工藝,直接決定芯片性能與量產(chǎn)良率。愛思強(qiáng)Planetary G5+C系統(tǒng)為行業(yè)主流量產(chǎn)機(jī)型,具備高通量、高均勻性優(yōu)勢,適配6-8英寸晶圓量產(chǎn),可滿足瑞薩從6英寸向8英寸產(chǎn)線升級的技術(shù)需求,支撐其第二個(gè)GaN晶圓廠建設(shè)規(guī)劃(預(yù)計(jì)2027年投產(chǎn))。

瑞薩電子功率產(chǎn)品集團(tuán)GaN業(yè)務(wù)副總裁Rohan Samsi表示,GaN是公司增長最快的業(yè)務(wù)板塊,此次引入愛思強(qiáng)設(shè)備,將快速放大基于Transphorm技術(shù)的量產(chǎn)能力,鞏固在中高壓GaN市場的領(lǐng)先地位。愛思強(qiáng)GaN產(chǎn)品管理總監(jiān)Dr. Nicolas Müsgens則指出,該合作印證了行業(yè)對GaN大規(guī)模制造的信心,雙方將深化技術(shù)協(xié)同,助力瑞薩搶占第三代半導(dǎo)體市場先機(jī)。

(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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