近日，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)宏微科技發(fā)布投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表公告，披露公司在高端半導(dǎo)體器件研發(fā)、市場(chǎng)拓展及成本控制等方面的多項(xiàng)重要進(jìn)展，涵蓋AI服務(wù)器供應(yīng)鏈、第三代半導(dǎo)體技術(shù)、成本應(yīng)對(duì)及前沿領(lǐng)域布局。

公告顯示，公司自主研發(fā)的NCB SiC模塊已成功通過(guò)海外主流AI服務(wù)器廠商整機(jī)認(rèn)證，并實(shí)現(xiàn)小批量供貨，正式切入高端算力電源核心供應(yīng)鏈。

針對(duì)AI服務(wù)器電源的旺盛需求，宏微科技持續(xù)加碼相關(guān)產(chǎn)品布局，目前公司聚焦的高壓SST（固態(tài)變壓器）產(chǎn)品及GaN（氮化鎵）產(chǎn)品，正與國(guó)內(nèi)外行業(yè)頭部廠商開(kāi)展聯(lián)合研發(fā)及送樣工作，穩(wěn)步推進(jìn)產(chǎn)品市場(chǎng)化進(jìn)程。

為應(yīng)對(duì)上游貴金屬成本上漲帶來(lái)的經(jīng)營(yíng)壓力，公司已從4月1日起對(duì)部分非核心產(chǎn)品實(shí)施調(diào)價(jià)，平均漲幅約10%。據(jù)證券日?qǐng)?bào)報(bào)道，目前該調(diào)價(jià)方案已獲得大部分客戶認(rèn)可，接受度良好，公司計(jì)劃通過(guò)此次調(diào)價(jià)釋放利潤(rùn)彈性，后續(xù)將視上游晶圓廠漲價(jià)情況，決定是否進(jìn)一步向下游傳導(dǎo)成本壓力，保障公司經(jīng)營(yíng)穩(wěn)定。

在技術(shù)研發(fā)層面，公司持續(xù)發(fā)力第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，其子公司宏微愛(ài)賽自主研發(fā)的650V GaN HEMT芯片已研發(fā)成功，該產(chǎn)品憑借先進(jìn)技術(shù)可有效降低數(shù)據(jù)中心功耗，提升能源利用效率。

此外，公司還在前沿領(lǐng)域積極布局，正與多家電源廠商及科研院所聯(lián)合研發(fā)高壓大電流SiC模塊方案，重點(diǎn)聚焦國(guó)家隊(duì)的托卡馬克核聚變裝置，依托自身在高壓功率半導(dǎo)體芯片、模塊的設(shè)計(jì)、封裝及測(cè)試技術(shù)優(yōu)勢(shì)，為核聚變裝置的核心電源系統(tǒng)提供解決方案。同時(shí)，公司與北京懷柔實(shí)驗(yàn)室達(dá)成SiC技術(shù)成果轉(zhuǎn)化戰(zhàn)略合作，集中資源攻克高壓大電流SiC芯片技術(shù)，持續(xù)強(qiáng)化技術(shù)壁壘。

財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)方面，宏微科技2025年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入13.48億元，同比增長(zhǎng)1.23%，歸母凈利潤(rùn)1711.49萬(wàn)元，同比扭虧為盈。2026年一季度，公司營(yíng)業(yè)總收入3.09億元，歸母凈利潤(rùn)90.91萬(wàn)元，基本實(shí)現(xiàn)盈虧平衡。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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