5月10日，中天晶科通過官方渠道發(fā)布消息稱，繼成功制備8英寸碳化硅晶體之后，公司已進一步實現(xiàn)12英寸碳化硅單晶生長技術的突破。

在大尺寸碳化硅晶體領域，中天晶科的技術演進路徑清晰：

2022年10月，公司首塊8英寸碳化硅晶體問世；2025年3月，首塊12英寸碳化硅晶體順利出爐。隨著晶圓尺寸增大，晶體內部的應力控制和缺陷管理難度顯著上升，這是行業(yè)公認的技術瓶頸。中天晶科研發(fā)團隊經(jīng)過多輪嚴格的技術攻關，逐步解決了大尺寸晶體生長中的核心難題。

值得注意的是，從2025年3月首塊12英寸晶體成功制備，到2026年5月正式對外公布，中間間隔了約14個月。

中天晶科在此期間持續(xù)進行技術驗證與優(yōu)化，最終確認工藝的穩(wěn)定性和可重復性。此次技術突破的取得，主要依托于公司自主設計制造的長晶設備，以及持續(xù)迭代的工藝技術體系。通過設備與工藝的深度協(xié)同，為大尺寸碳化硅晶體的穩(wěn)定生長提供了可靠保障。

（集邦化合物半導體整理）

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