4月21日消息，華碩（ASUS）在其官網(wǎng)正式推出了TUF Gaming Platinum系列全模組電源。該系列產(chǎn)品通過了80 PLUS白金牌轉(zhuǎn)換效率認證，提供850W、1000W和1200W三種功率版本，均采用了氮化鎵（GaN）MOSFET，在主流定位的PC電源中較為少見。

TUF Gaming Platinum系列采用150mm長度的ATX外形規(guī)格，符合ATX 3.1與PCIe CEM 5.1標準。電源配備壓紋鍍錫實心銅模組線，支持通過12V-2×6接口實現(xiàn)600W輸出，并搭載一顆135mm雙滾珠軸承風扇。此外，該系列電源使用了TUF 5K黑金電容，PCB表面覆蓋保護性涂層，具備六大主要安全防護機制，并經(jīng)過跌落、高低溫循環(huán)、鹽霧、火焰等一系列嚴苛耐久測試，提供8年質(zhì)保服務。

氮化鎵（GaN）作為一種寬禁帶半導體材料，近年來在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET，氮化鎵器件具有更高的開關(guān)頻率、更低的導通電阻和更小的寄生電容，能夠顯著提升電源的轉(zhuǎn)換效率并減小體積。

當前，氮化鎵已廣泛應用于快充充電器、服務器電源、數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)以及電動汽車車載充電器等場景。隨著華碩等主流廠商將氮化鎵引入PC電源，標志著該技術(shù)正從高端小眾向大眾市場滲透。

展望未來，在5G通信基站、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)以及消費電子電源等領(lǐng)域，氮化鎵有望逐步替代傳統(tǒng)硅器件。

（集邦化合物半導體整理）

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