2026年6月9日，Wolfspeed正式宣布推出第五代（Gen 5）碳化硅MOSFET技術，面向750V及1200V汽車與工業(yè)應用。

據Wolfspeed官方披露，第五代SiC MOSFET技術相較當前市售同類1200V競品解決方案，最高可降低27%的比導通電阻，顯著改善系統(tǒng)級導通損耗，助力終端設備實現更高能效。其中，1200V器件QEM50120-025D10在175°C下比導通電阻達3.4mΩ-cm2，750V器件QEM50075-025D10則為2.0mΩ-cm2，芯片尺寸均為5x5mm。

目前，上述兩款型號的樣品已通過Wolfspeed直接銷售代表向特定客戶提供，進入客戶驗證階段。按照規(guī)劃，隨著市場需求與客戶需求最終確定，公司預計在2026年至2027年初，陸續(xù)推出更多覆蓋750V至1200V電壓等級的第五代SiC MOSFET新產品，進一步完善產品矩陣。

Wolfspeed首席商務官Dr. Cengiz Balkas表示，繼第四代技術實現開關性能突破后，不到兩年時間推出第五代技術，核心是為客戶提供更小尺寸、更高電流密度的解決方案，加速高效、緊湊電力系統(tǒng)的落地。該技術基于Wolfspeed已量產、可快速擴產的200mm自動化制造平臺開發(fā)，為汽車與工業(yè)客戶提供低風險、快速落地路徑。

第五代SiC MOSFET技術主要面向新能源汽車主逆變器、車載充電、工業(yè)電源及儲能等場景，可幫助系統(tǒng)廠商設計更緊湊的牽引逆變器，提升車輛續(xù)航里程，同時優(yōu)化電動汽車充電基礎設施能效。此外，該技術還可支持以固態(tài)斷路器替代機械繼電器，拓展碳化硅在更多工業(yè)領域的應用空間。

（集邦化合物半導體整理）

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