國內(nèi)碳化硅龍頭談產(chǎn)業(yè)供需格局與未來前景

作者 | 發(fā)布日期 2026 年 05 月 21 日 15:08 | 分類 企業(yè)

在5月19日舉行的2025年度暨2026年第一季度業(yè)績說明會(huì)上,天岳先進(jìn)董事長兼總經(jīng)理宗艷民披露,得益于行業(yè)供需關(guān)系持續(xù)優(yōu)化,公司2026年一季度毛利率環(huán)比大幅改善25個(gè)百分點(diǎn),核心產(chǎn)品8英寸碳化硅襯底的全球市場占有率已達(dá)到51.3%。

宗艷民指出,碳化硅材料的應(yīng)用邏輯正從單一的電力電子功率器件,向基于其多元物理特性的“多功能應(yīng)用”轉(zhuǎn)變,在先進(jìn)封裝、微納光學(xué)、超高壓電力等領(lǐng)域均已取得實(shí)質(zhì)性突破。

在解讀當(dāng)前碳化硅襯底的供需格局時(shí),宗艷民強(qiáng)調(diào)需要按照應(yīng)用級(jí)別分層看待。

車規(guī)級(jí)市場對(duì)“零缺陷、高可靠性、耐高溫高壓”的要求極為苛刻,全球能夠?qū)崿F(xiàn)高端大尺寸(如8英寸)產(chǎn)品穩(wěn)定量產(chǎn)和規(guī)?;桓兜墓?yīng)商數(shù)量較少,因此該領(lǐng)域一直保持供需平衡狀態(tài)。而非車規(guī)級(jí)領(lǐng)域則經(jīng)歷了一輪產(chǎn)能出清,缺乏核心技術(shù)、規(guī)模效應(yīng)和質(zhì)量優(yōu)勢的低效產(chǎn)能被加速淘汰,市場份額正快速向具備技術(shù)代差和成本控制能力的頭部企業(yè)集中。

天岳先進(jìn)憑借技術(shù)優(yōu)勢,已與全球前十大功率半導(dǎo)體器件制造商中的過半企業(yè)深度綁定,客戶驗(yàn)證壁壘與長期黏性持續(xù)增強(qiáng),覆蓋新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)等傳統(tǒng)賽道,競爭優(yōu)勢不斷深化。

談及碳化硅材料的未來應(yīng)用前景,宗艷民表示,其應(yīng)用邏輯正在發(fā)生根本性轉(zhuǎn)變。

在先進(jìn)封裝領(lǐng)域,碳化硅憑借優(yōu)異的熱導(dǎo)率,能夠有效解決高性能芯片的“熱管理”難題,可作為大功率芯片的散熱基板或封裝材料;在微納光學(xué)領(lǐng)域,公司已與光學(xué)頭部客戶合作,在AR/VR及精密光學(xué)傳感領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了初步應(yīng)用;在超高壓電力領(lǐng)域,P型碳化硅襯底在智能電網(wǎng)、特高壓直流輸電等方向的應(yīng)用正進(jìn)入實(shí)測階段。

技術(shù)層面,天岳先進(jìn)已完成從2英寸到12英寸全尺寸產(chǎn)品矩陣的產(chǎn)業(yè)化閉環(huán),首創(chuàng)液相法制備無宏觀缺陷的8英寸襯底,突破了傳統(tǒng)PVT法的局限,公司碳化硅襯底專利數(shù)量已位居全球前五。

(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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