近日，九峰山實(shí)驗(yàn)室化合物半導(dǎo)體中試工藝平臺(tái)攜手國(guó)內(nèi)本土原子層沉積（ALD）設(shè)備企業(yè)開(kāi)展聯(lián)合技術(shù)攻關(guān)，順利完成ALD金屬鉬工藝重大技術(shù)突破，此次技術(shù)成果落地也填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)相關(guān)工藝在8英寸量產(chǎn)平臺(tái)應(yīng)用領(lǐng)域的空白。

此次研發(fā)攻關(guān)過(guò)程中，研發(fā)團(tuán)隊(duì)選用穩(wěn)定性強(qiáng)、使用效率更高的二氯二氧化鉬作為工藝前驅(qū)體，在四百攝氏度工藝溫度條件下，成功制備出性能指標(biāo)優(yōu)異的金屬鉬薄膜，整套工藝方案運(yùn)行穩(wěn)定，薄膜成膜質(zhì)量、均勻性以及各項(xiàng)關(guān)鍵參數(shù)均達(dá)到行業(yè)先進(jìn)水準(zhǔn)，這也是國(guó)內(nèi)行業(yè)內(nèi)首次依托8英寸半導(dǎo)體工藝平臺(tái)順利完成該套ALD鉬工藝的完整開(kāi)發(fā)與驗(yàn)證工作。

原子層沉積設(shè)備是半導(dǎo)體先進(jìn)制造、化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)環(huán)節(jié)不可或缺的核心裝備，金屬鉬薄膜憑借優(yōu)良的導(dǎo)電性能與貼合度，廣泛應(yīng)用于第三代、第四代半導(dǎo)體功率器件、射頻芯片以及先進(jìn)封裝互聯(lián)層等核心場(chǎng)景，是提升器件耐壓能力、降低導(dǎo)通損耗、優(yōu)化整體電學(xué)性能的關(guān)鍵功能性薄膜材料。長(zhǎng)久以來(lái)，高端ALD配套金屬薄膜工藝長(zhǎng)期被海外技術(shù)壟斷，本土設(shè)備廠商在高端工藝適配與量產(chǎn)化應(yīng)用層面始終存在諸多壁壘。

九峰山實(shí)驗(yàn)室依托完善的化合物半導(dǎo)體中試研發(fā)載體，持續(xù)聯(lián)動(dòng)本土設(shè)備企業(yè)推進(jìn)工藝自研與技術(shù)適配，本次8英寸ALD鉬工藝順利突破，不僅充分驗(yàn)證了國(guó)產(chǎn)ALD設(shè)備在高端精密薄膜沉積領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力與適配能力，也標(biāo)志著國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈在設(shè)備端與工藝端協(xié)同發(fā)展邁出重要一步。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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