10月31日,安森美官微宣布推出垂直氮化鎵(vGaN)功率半導(dǎo)體,為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、能效和耐用性樹(shù)立新標(biāo)桿。該技術(shù)在安森美紐約錫拉丘茲的工廠研發(fā)和制造,并已獲得涵蓋垂直GaN技術(shù)的基礎(chǔ)工藝、器件設(shè)計(jì)、制造以及系統(tǒng)創(chuàng)新的130多項(xiàng)全球?qū)@?
圖片來(lái)源:安森美
據(jù)介紹,安森美的...  [詳內(nèi)文]
這家功率大廠宣布推出垂直GaN半導(dǎo)體! |
| 作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 11 月 03 日 14:57 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN |
