當前，AI推理、智能體工作流與加速計算推動數(shù)據(jù)中心向AI工廠轉(zhuǎn)型，供電系統(tǒng)成為影響AI基礎(chǔ)設(shè)施性能、效率、密度與總擁有成本的關(guān)鍵因素。英諾賽科作為NVIDIA MGX生態(tài)系統(tǒng)成員，推出全GaN電源轉(zhuǎn)換技術(shù)方案，為800 VDC至GPU核心電壓的全鏈路供電提供支撐，助力高密度AI系統(tǒng)發(fā)展。

NVIDIA MGX是面向AI工廠的開放式模塊化參考架構(gòu)，可幫助系統(tǒng)廠商降低研發(fā)成本、加快產(chǎn)品落地。隨著AI機架功率不斷提升，從高壓直流到GPU核心供電的高效、小型化轉(zhuǎn)換成為行業(yè)難題。NVIDIA 800 VDC電源架構(gòu)可減少轉(zhuǎn)換級數(shù)，提升供電密度，但需要適配高頻、高效、高轉(zhuǎn)換比的功率器件。

GaN憑借低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、低寄生電容與零反向恢復(fù)特性，可實現(xiàn)更高開關(guān)頻率、更低損耗與更緊湊的電源設(shè)計，成為AI供電的關(guān)鍵技術(shù)。英諾賽科基于硅基GaN平臺，打造覆蓋800 VDC到GPU核心電壓的全鏈路解決方案，在多級轉(zhuǎn)換中實現(xiàn)效率與密度提升。

圖1. 從800 VDC到GPU核心電壓的轉(zhuǎn)換級，以及英諾賽科全GaN解決方案

在前端轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)，英諾賽科全GaN LLC方案可實現(xiàn)12 kW、800V至48V轉(zhuǎn)換，原邊采用650V GaN8×8雙面散熱器件，副邊采用100V GaN 5×6雙面散熱器件，峰值效率約99%，滿載效率98.2%，可在1 MHz高頻下運行。新款150V GaN器件可將副邊同步整流器件數(shù)量減少50%。同時，該方案可擴展至800V至12V、800V至6V轉(zhuǎn)換，滿足不同架構(gòu)需求。其中800V至12V采用40V GaN器件，提供5×6與3.3×3.3mm雙面散熱封裝；800V至6V采用15V GaN器件，適配更低總線架構(gòu)。

圖2. 英諾賽科800V至48V演示

在48V至12V中間總線轉(zhuǎn)換級，英諾賽科100V GaN方案優(yōu)化多相降壓轉(zhuǎn)換，提升功率密度與效率，降低大規(guī)模部署中的冷卻與運營成本，是MGX架構(gòu)AI服務(wù)器的重要組成部分。

圖3. 英諾賽科100V GaN帶來的功率密度提升

在GPU核心供電環(huán)節(jié)，英諾賽科15V GaN器件可支持3MHz至5MHz運行，縮小磁性元件與電容體積。公司正在開發(fā)雙通道DrGaN方案，適配垂直供電架構(gòu)，縮短電流路徑、降低寄生損耗，提升GPU動態(tài)瞬態(tài)響應(yīng)能力，滿足高電流密度需求。

為方便客戶應(yīng)用，英諾賽科提供完整評估板與參考設(shè)計，包括12kW 800V至48V演示板、48V至12V四相GaN評估板，以及面向垂直供電的6V DrGaN評估板。產(chǎn)品覆蓋650V、150V、100V、40V、15V等電壓等級，封裝形式適配不同應(yīng)用場景。

英諾賽科表示，未來將持續(xù)與NVIDIA MGX生態(tài)協(xié)同，完善全GaN供電方案，以更高效率、更高密度的電源技術(shù)，支撐下一代AI工廠規(guī)?；渴?，推動AI基礎(chǔ)設(shè)施供電體系持續(xù)升級。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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