文章分類： 企業(yè)

華東理科大學氮化鎵晶圓檢測研究新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 11 日 17:11 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，華東理科大學上海市智能感知與檢測技術(shù)重點實驗室智能傳感團隊在氮化鎵晶圓檢測研究中取得重要進展。 圖片來源：華東理科大學 團隊利用開發(fā)的二維有機薄膜憶阻器實現(xiàn)了有圖案晶圓的缺陷檢測和無圖案晶圓的表面粗糙度分類。 相關(guān)研究成果以“Covalent organic framew...  [詳內(nèi)文]

東芝公布碳化硅新技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 11 日 17:08 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，東芝發(fā)布公告表示，其基于自主研發(fā)的“小型芯片布局設計技術(shù)”和“基于AI設計優(yōu)化技術(shù)”，開發(fā)出了一種“樹脂絕緣型SiC功率半導體模塊”，能顯著提高使用“樹脂”作為絕緣基板的SiC功率模塊的功率密度（單位面積的功率處理能力）。 東芝介紹，無論何種絕緣類型（包括陶瓷）的功率模塊都...  [詳內(nèi)文]

繼武漢碳化硅基地投產(chǎn)后，長飛先進再獲進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 11 日 17:03 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)長飛先進官微消息，近日，北京經(jīng)緯恒潤科技股份有限公司（簡稱 “經(jīng)緯恒潤”）與安徽長飛先進半導體股份有限公司（簡稱 “長飛先進”）順利完成戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約。未來，雙方將充分發(fā)揮各自在汽車動力及碳化硅功率半導體領域的資源優(yōu)勢，共同推進國產(chǎn)碳化硅模塊的車規(guī)認證進程及批量生產(chǎn)、交付，助...  [詳內(nèi)文]

日月光授予漢高2024最佳供應商：材料創(chuàng)新賦能可持續(xù)未來

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 11 日 11:48 |
| 分類: 企業(yè)
近日，材料科學巨頭漢高（Henkel）獲全球領先的半導體封裝和測試服務提供商日月光投資控股股份有限公司（ASE）頒發(fā)的2024年度最佳供應商獎。此次獲獎，是漢高與日月光長期戰(zhàn)略合作的重要里程碑，標志著雙方在技術(shù)創(chuàng)新和綠色可持續(xù)發(fā)展方向的深度協(xié)同將邁入新的階段。 以技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動行...  [詳內(nèi)文]

瞻芯電子與浙江大學聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 09 日 14:56 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，瞻芯電子與浙江大學在一場行業(yè)會議上聯(lián)合發(fā)表了10kV等級SiC MOSFET的最新研究成果，受到了各界廣泛關(guān)注。這一成果彰顯了瞻芯電子在SiC功率器件領域的創(chuàng)新引領地位。 10kV等級SiC MOSFET器件在下一代智能電網(wǎng)、高壓大容量功率變換系統(tǒng)等領域有廣闊的應用場景。但...  [詳內(nèi)文]

借力IPO，基本半導體中山百萬級SiC封裝線項目獲批

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 09 日 14:17 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月4日，廣東省投資項目在線審批監(jiān)管平臺發(fā)布了基本半導體（中山）有限公司（以下簡稱“基本半導體”）年產(chǎn)100萬只碳化硅模塊封裝產(chǎn)線建設項目備案公示，這一重大進展，與基本半導體此前5月27日向香港聯(lián)合交易所遞交上市申請的消息相呼應。 圖片來源：廣東省投資項目在線審批監(jiān)管平臺 此次...  [詳內(nèi)文]

穩(wěn)懋半導體發(fā)布基于SiC襯底的0.12μm GaN HEMT

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:56 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）技術(shù)正迎來重大突破。近日，純化合物半導體代工廠#穩(wěn)懋半導體（WIN Semiconductors）推出基于SiC襯底的0.12微米柵極長度D型GaN HEMT技術(shù)，預計2025年第三季度量產(chǎn)，這將顯著提升高頻射頻電路性能，加速GaN技術(shù)在5G/...  [詳內(nèi)文]

瞄準車規(guī)級碳化硅，理想發(fā)表重要成果

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:53 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月5日，理想汽車官方公眾號發(fā)文表示，近期理想汽車在第37屆ISPSD（功率半導體器件和集成電路國際會議）上發(fā)表了與車規(guī)級碳化硅相關(guān)的論文。 該篇論文來自理想汽車自研SiC芯片團隊，論文題為《1200V汽車級碳化硅MOSFET芯片擊穿電壓離群芯片的分析與篩選技術(shù)研究》，展示了碳化...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)首顆機器人關(guān)節(jié)“氮化鎵驅(qū)動器芯片”正式商用

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:49 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，中科無線半導體有限公司正式宣布，其基于氮化鎵（GaN）HEMT工藝的機器人關(guān)節(jié)ASIC驅(qū)動器芯片已成功推出并投入商用。該芯片作為中科半導體機器人動力系統(tǒng)芯片家族 “機器人關(guān)節(jié)驅(qū)動器芯片系列” 的重要一員，具備卓越性能，可有效滿足高功率密度場景需求。 圖片來源：中科半導體 ...  [詳內(nèi)文]

瑞薩電子：從SiC“斷臂”到GaN戰(zhàn)略性布局

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 05 日 15:30 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，日本半導體大廠瑞薩電子（Renesas）傳出解散其碳化硅（SiC）團隊，并取消原定于2025年初的SiC功率半導體量產(chǎn)計劃，這一消息在半導體行業(yè)激起千層浪。 結(jié)合多方消息顯示，目前瑞薩電子正準備出售其位于群馬縣高崎工廠的全新碳化硅設備，而其群馬縣高崎工廠或改回做傳統(tǒng)的硅基市...  [詳內(nèi)文]