近日,國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳平臺(tái)(深圳平湖實(shí)驗(yàn)室)宣布在碳化硅襯底加工領(lǐng)域取得里程碑式進(jìn)展。該團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)的全自動(dòng)化激光剝離系統(tǒng),成功將碳化硅襯底單片切割損耗從傳統(tǒng)工藝的280-300微米降至75微米以下,單片成本降低26%,技術(shù)水平達(dá)到國(guó)際先進(jìn)。
在第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]
我國(guó)碳化硅激光剝離技術(shù)實(shí)現(xiàn)重大突破,單片切割損耗降至75微米以下 |
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作者
KikiWang
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發(fā)布日期:
2025 年 07 月 10 日 14:14
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關(guān)鍵字:
SiC碳化硅
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