5月28日，美國(guó)普渡大學(xué)（Purdue University）官方發(fā)布公告，宣布與中國(guó)臺(tái)灣格棋化合物半導(dǎo)體股份有限公司（GeChi Compound Semiconductor Co., GCCS）達(dá)成戰(zhàn)略合作，聚焦碳化硅（SiC）先進(jìn)封裝領(lǐng)域協(xié)同研發(fā)，推進(jìn)微電子技術(shù)前沿落地。雙方已于5月27日在普渡大學(xué)霍德廳（Hovde Hall）簽署為期五年的諒解備忘錄（MOU），系普渡大學(xué)與格棋半導(dǎo)體首次建立合作關(guān)系。

本次合作核心目標(biāo)為攻克制約下一代高性能計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施的散熱、供電、6G通信三大關(guān)鍵瓶頸，加速SiC材料商業(yè)化進(jìn)程。

公告指出，伴隨AI算力密度持續(xù)提升，傳統(tǒng)硅基材料已逼近物理極限，SiC襯底技術(shù)可直接突破三大硬件壁壘。

散熱管理上，依托SiC襯底結(jié)合普渡CoWOS、CoPoS平臺(tái)微通道技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高效散熱；電力傳輸層面，以SiC高壓直流輸電、固態(tài)變壓器技術(shù)，提升電網(wǎng)至服務(wù)器電力轉(zhuǎn)換效率；6G通信領(lǐng)域，為下一代通信核心設(shè)備提供SiC材料性能支撐。

雙方聯(lián)合研究將聚焦SiC晶體缺陷控制、材料生長(zhǎng)工藝優(yōu)化，推動(dòng)技術(shù)向8英寸、12英寸高良率SiC晶圓平臺(tái)升級(jí)，推動(dòng)學(xué)術(shù)端散熱管理、材料特性成果快速轉(zhuǎn)化為規(guī)?；虡I(yè)制造能力。

格棋半導(dǎo)體為中國(guó)臺(tái)灣專業(yè)SiC技術(shù)供應(yīng)商，深耕SiC晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域十余年，專注8英寸、12英寸碳化硅晶圓研發(fā)制造，具備規(guī)?；a(chǎn)能力。

普渡大學(xué)為美國(guó)微電子研究核心機(jī)構(gòu)，依托伯克納米技術(shù)中心（Birck Nanotechnology Center）及Scifres納米制造實(shí)驗(yàn)室，擁有先進(jìn)學(xué)術(shù)潔凈室與表征設(shè)施，為全球半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)重要樞紐。

此次合作同時(shí)涵蓋產(chǎn)學(xué)研人才培養(yǎng)計(jì)劃，格棋提供半導(dǎo)體材料供給，普渡承擔(dān)技術(shù)研發(fā)樞紐角色，協(xié)同構(gòu)建SiC產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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