近日，國產(chǎn)設(shè)備商中微精儀宣布，已率先實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅激光剝離量產(chǎn)總損耗邁入40μm時(shí)代，打破行業(yè)長期以來60–80μm的損耗瓶頸，為國產(chǎn)大尺寸SiC產(chǎn)業(yè)化提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。

圖片來源：中微精儀

當(dāng)前，碳化硅應(yīng)用從新能源汽車、儲(chǔ)能向先進(jìn)封裝、射頻通信等高端領(lǐng)域延伸，8英寸憑借產(chǎn)能與成本優(yōu)勢成為企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)主流方向。但碳化硅硬度趨近金剛石，屬硬脆性難加工材料，傳統(tǒng)線切割損耗高達(dá)250μm左右，且易產(chǎn)生微裂紋，效率低、耗材成本高。即便激光剝離逐步替代傳統(tǒng)工藝，業(yè)內(nèi)多數(shù)設(shè)備仍因光路精度不足、能量控制不均等問題，難以突破60μm損耗關(guān)口，無法滿足車規(guī)級(jí)、先進(jìn)封裝的高標(biāo)準(zhǔn)需求。

針對行業(yè)痛點(diǎn)，中微精儀深耕激光加工核心技術(shù)，完成設(shè)備架構(gòu)、光路調(diào)控、工藝算法全鏈路迭代。通過自研光源、精密光路設(shè)計(jì)及熱效應(yīng)抑制算法，精準(zhǔn)控制激光能量作用深度與加工范圍，抑制材料損傷，最終實(shí)現(xiàn)8英寸SiC量產(chǎn)總損耗穩(wěn)定≤40μm，較行業(yè)主流水平降低30%以上，較傳統(tǒng)線切割降幅達(dá)80%。

在量產(chǎn)價(jià)值上，該技術(shù)可讓400μm晶錠穩(wěn)定產(chǎn)出350μm合格襯底片，無耗材、無化學(xué)試劑的綠色加工模式，既規(guī)避二次污染，又大幅提升晶錠出片量。同時(shí)，設(shè)備單片剝離時(shí)長＜15分鐘，加工效率較傳統(tǒng)工藝提升20–30倍，支持24小時(shí)不間斷量產(chǎn)，良率穩(wěn)定，已通過多家頭部SiC企業(yè)現(xiàn)場驗(yàn)證與小批量導(dǎo)入。

從行業(yè)格局看，此次40μm級(jí)技術(shù)突破，是國產(chǎn)SiC激光剝離裝備從跟跑到領(lǐng)跑的關(guān)鍵跨越。隨著第三代半導(dǎo)體高端需求擴(kuò)容，工藝精細(xì)化、成本極致化將成核心壁壘。中微精儀表示，未來將持續(xù)迭代8寸、12寸量產(chǎn)技術(shù)，以自主可控裝備助力國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)降本增效、高端突圍。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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