5月3日，據(jù)韓媒ETNEWS援引供應(yīng)鏈消息，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)已正式重啟碳化硅（SiC）半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，正與材料、組件及設(shè)備供應(yīng)商深入磋商8英寸SiC生產(chǎn)線建設(shè)事宜，討論已細(xì)化至設(shè)備采購(gòu)規(guī)模，項(xiàng)目進(jìn)入實(shí)質(zhì)性推進(jìn)階段?？萍济襟wSammyGuru隨后也報(bào)道稱三星將SiC業(yè)務(wù)定位為新增長(zhǎng)引擎，目標(biāo)2028年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

三星對(duì)SiC的布局始于2023年，當(dāng)時(shí)計(jì)劃將部分8英寸硅晶圓產(chǎn)能轉(zhuǎn)向碳化硅，推動(dòng)代工業(yè)務(wù)多元化。但受存儲(chǔ)市場(chǎng)低迷影響，公司戰(zhàn)略重心回歸存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，SiC商業(yè)化進(jìn)程一度擱置，僅保留基礎(chǔ)研發(fā)。2026 年行業(yè)環(huán)境逆轉(zhuǎn)，存儲(chǔ)業(yè)務(wù)強(qiáng)勢(shì)復(fù)蘇（一季度凈利潤(rùn)同比增 474.3%），疊加 AI 算力爆發(fā)帶動(dòng)功率半導(dǎo)體需求激增，為SiC項(xiàng)目重啟創(chuàng)造關(guān)鍵條件。

此次三星采用改造現(xiàn)有8英寸硅基產(chǎn)線的低成本策略，計(jì)劃將其轉(zhuǎn)化為SiC/GaN混合生產(chǎn)線，既規(guī)避新建廠房的高額投入，又提升成熟設(shè)備利用率。按照內(nèi)部規(guī)劃，2027年建成SiC原型試點(diǎn)線，2028年實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)；首款產(chǎn)品鎖定平面結(jié)構(gòu)SiC MOSFET，后續(xù)逐步向溝槽型等高性能結(jié)構(gòu)拓展。

在技術(shù)儲(chǔ)備上，三星已攻克多項(xiàng)SiC關(guān)鍵工藝難題，2025年底啟動(dòng)產(chǎn)線調(diào)試，2026年三季度計(jì)劃試產(chǎn)樣品。相較傳統(tǒng)硅基功率器件，SiC 具備耐高溫、低損耗、高頻化等優(yōu)勢(shì)，在 AI 數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、工業(yè)電源等領(lǐng)域需求爆發(fā)，成為第三代半導(dǎo)體核心賽道。

目前全球SiC市場(chǎng)由少數(shù)廠商主導(dǎo)，三星的強(qiáng)勢(shì)入局將加劇行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)。業(yè)內(nèi)認(rèn)為，三星依托晶圓代工產(chǎn)能與技術(shù)積累，有望快速搶占中高端市場(chǎng)，與現(xiàn)有廠商形成差異化競(jìng)爭(zhēng)格局。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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