文章分類： 企業(yè)

兩家碳化硅設(shè)備廠商披露最新進展！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 10 日 15:16 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，碳化硅設(shè)備領(lǐng)域動態(tài)頻頻，山西中電科率先完成第二代立式碳化硅涂層裝備迭代，裝爐量猛漲七成、節(jié)拍壓縮三分之一；同一時段，捷佳偉創(chuàng)宣布其半導(dǎo)體清洗與碳化硅高溫?zé)崽幚碓O(shè)備雙雙在客戶端落地。 1、山西中電科第二代立式碳化硅涂層裝備工藝迭代升級 近日，電科裝備山西中電科公司自主研發(fā)的第...  [詳內(nèi)文]

西北芯片搶跑！首條8英寸產(chǎn)線投產(chǎn)，國產(chǎn)化率超60%

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 09 日 14:25 | | 分類: 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
近日，我國在西北地區(qū)布局建設(shè)的首條8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體生產(chǎn)線，已正式通線投產(chǎn)。 該項目由陜西電子信息集團投資建設(shè)，由旗下陜西電子芯業(yè)時代科技有限公司（簡稱“芯業(yè)時代”）運營，項目位于西安高新綜合保稅區(qū)，總建筑面積17.39萬平方米，由17棟單體組成，包括生產(chǎn)廠房、動力站、特...  [詳內(nèi)文]

成功登陸/二次沖關(guān)，兩家功率半導(dǎo)體IPO進展更新

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 09 日 14:19 |
| 分類: 企業(yè)
近日，國內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來兩起備受關(guān)注的資本事件：納芯微于12月8日在香港聯(lián)合交易所主板完成A+H雙平臺布局，實現(xiàn)首次港股上市；而同月2日，深圳市尚鼎芯科技股份有限公司重新遞交招股書，啟動港交所IPO。 兩家公司均為無晶圓廠（fab?less）模式的功率器件供應(yīng)商，專注于車規(guī)級...  [詳內(nèi)文]

格力電器透露碳化硅芯片業(yè)務(wù)新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 08 日 17:08 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，格力電器在投資者關(guān)系平臺上透露了碳化硅業(yè)務(wù)最新進展。 格力電器介紹，公司于2022年成立珠海格力電子元器件有限公司，全面負責(zé)第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)晶圓制造、功率器件封裝測試及半導(dǎo)體檢測服務(wù)。 目前，電子元器件公司已經(jīng)通過IATF16949車規(guī)級質(zhì)量體系認證，并采用全自...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體、威世相繼推出SiC重磅新品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 08 日 17:06 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
進入12月，全球碳化硅（SiC）功率器件領(lǐng)域迎來密集技術(shù)落地，頭部企業(yè)紛紛加碼高壓、高可靠性產(chǎn)品布局。納微半導(dǎo)體與威世（Vishay）相繼發(fā)布重磅SiC新品，分別聚焦超高壓場景突破與中功率市場適配。 1、納微半導(dǎo)體發(fā)布3300V/2300V超高壓SiC全系產(chǎn)品組合 12月1日，納...  [詳內(nèi)文]

華為、比亞迪押注！碳化硅外延“第一股”港股敲鐘，募資2.24億美元

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 08 日 17:00 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
12月5日，廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“天域半導(dǎo)體”）正式在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。作為中國碳化硅（SiC）外延片領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，天域半導(dǎo)體的成功上市不僅打破了國內(nèi)同類企業(yè)在港股的“零記錄”，也標(biāo)志著松山湖科學(xué)城在培育高科技上市梯隊方面取得了重要突破。 圖片來源：...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵入選浙江省重大科技成果

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 05 日 17:02 |
| 分類: 企業(yè) , 氧化鎵
近期，浙江省科技廳公布2025年度重大科技成果，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司的氧化鎵系列成果入選。 圖片來源：鎵仁半導(dǎo)體 半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷經(jīng)數(shù)代更迭：從以硅、鍺為代表的第一代，到以砷化鎵等化合物為代表的第二代，再到以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代。如今，被譽為“第四代半導(dǎo)體”的氧化鎵...  [詳內(nèi)文]

揚杰科技與頭部車企達成長期合作

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 05 日 16:57 |
| 分類: 企業(yè)
12月2日，揚杰科技與奔馳正式簽署長期合作協(xié)議，標(biāo)志著揚杰科技在核心產(chǎn)品競爭力與全球市場拓展方面取得積極進展。 圖片來源：揚杰科技 根據(jù)雙方披露的合作細節(jié)，早在協(xié)議簽署的兩年前，揚杰科技便已啟動與奔馳技術(shù)團隊的深度對接。面對奔馳及其供應(yīng)鏈在應(yīng)用適配、可靠性驗證等方面的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)，...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)紹興集成電路產(chǎn)業(yè)基金成立，兩大半導(dǎo)體項目同步落地

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 05 日 16:37 |
| 分類: 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
近期，芯聯(lián)集成在資本、財務(wù)及技術(shù)端密集布局。12月2日，公司正式設(shè)立產(chǎn)業(yè)基金并綁定關(guān)鍵供應(yīng)商，此前三季報顯示營收增長近兩成且虧損大幅收窄。結(jié)合最新發(fā)布的碳化硅G2.0技術(shù)平臺，公司正通過“補鏈”與“擴產(chǎn)”雙管齊下，為2026年預(yù)期的扭虧為盈目標(biāo)積蓄動能。 圖片來源：芯聯(lián)集成官微...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科“朋友圈”+1，攜手安森美劍指200毫米氮化鎵技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 05 日 16:29 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
12月3日，英諾賽科（Innoscience）與安森美（Onsemi）半導(dǎo)體共同宣布，雙方簽署諒解備忘錄，探討利用Innoscience經(jīng)過驗證的200毫米氮化鎵對硅工藝，擴大氮化鎵（GaN）功率器件的生產(chǎn)。 圖片來源：英諾賽科新聞稿截圖 此次合作將結(jié)合Onsemi的系統(tǒng)集成、...  [詳內(nèi)文]