相關資訊：碳化硅

華潤微電子第四代碳化硅MOS主驅模塊批量上車
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 06 日 16:01 | 分類 碳化硅SiC
近期，華潤微電子功率器件事業(yè)群（以下簡稱PDBG）SiC主驅模塊板塊再獲重要進展，PDBG自主研發(fā)的第四代SiC MOS主驅模塊成功導入某頭部車企并實現(xiàn)批量上車。 #PDBG 是華潤微電子旗下全面負責功率器件設計、研發(fā)、制造與銷售服務的業(yè)務單元。其下設有中低壓MOS產品線，高壓M...  [詳內文]

捷捷微電/三安光電披露，碳化硅取得新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 18 日 14:06 | 分類 碳化硅SiC
近日，捷捷微電和三安光電在碳化硅領域的最新研發(fā)進展引發(fā)了行業(yè)關注。捷捷微電與中科院微電子研究所等合作研發(fā)碳化硅器件，目前處于小批量封測階段；三安光電熱沉散熱用碳化硅材料研發(fā)進入送樣階段，其8英寸襯底準量產產品已進入主流新能源汽車企業(yè)供應鏈。 捷捷微電：攜手科研機構，推進碳化硅器件...  [詳內文]

AI、機器人、氮化鎵等浪潮來襲，英飛凌四大新品亮劍
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 31 日 15:35 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月14日，英飛凌在2025英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會（ICIC 2025，以下同）上，就AI、機器人、邊緣計算、氮化鎵應用等話題展開了深度探討，其首次在國內展示了英飛凌的兩款突破性技術——300mm氮化鎵功率半導體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，引起行業(yè)諸多關注。 英飛凌...  [詳內文]

注冊資本20億，度亙核芯上海成立新公司！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 21 日 14:45 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，度亙核芯光電技術（蘇州）股份有限公司（以下簡稱“度亙核芯”）在上海成立新公司——度亙核芯光電技術（上海）有限公司，注冊資本高達20億元人民幣。 據(jù)悉，新公司專注光通信設備制造、集成電路芯片及產品制造、光電子器件制造、半導體分立器件制造、電子元器件制造、電子專用材料制造和研發(fā)...  [詳內文]

安世半導體推出采用行業(yè)領先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 20 日 10:52 | 分類 碳化硅SiC
近日，Nexperia（安世半導體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧...  [詳內文]

意法半導體與重慶郵電大學戰(zhàn)略合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 20 日 10:41 | 分類 碳化硅SiC
近日，意法半導體與重慶郵電大學在重慶安意法半導體碳化硅晶圓廠通線儀式后的“碳化硅產業(yè)發(fā)展論壇”上正式簽署產學研戰(zhàn)略合作協(xié)議。 雙方將在以下三方面展開產學研資源深度融合： 共建創(chuàng)新平臺：意法半導體在智能功率技術、寬禁帶帶隙半導體、汽車芯片、邊緣人工智能、傳感以及數(shù)字和混合信號技術等...  [詳內文]

芯粵能半導體成功開發(fā)第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 18 日 9:02 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)長三角國際半導體博覽會消息，近期，廣東芯粵能半導體有限公司（以下簡稱“芯粵能”）經過近兩年時間的技術研發(fā)和測試，已成功開發(fā)出第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺。 該平臺采用芯粵能自主知識產權的溝槽MOSFET結構，可顯著降低比導通電阻、提高電流密度，并在確保產品可靠性的同時，...  [詳內文]

芯聯(lián)集成獲聯(lián)合電子“卓越技術創(chuàng)新獎”
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 17 日 10:42 | 分類 碳化硅SiC
近日，聯(lián)合電子2025年供應商大會隆重舉行，芯聯(lián)集成作為聯(lián)合電子的重要供應鏈合作伙伴出席此次大會。會上，芯聯(lián)集成控股子公司芯聯(lián)動力，憑借高性能碳化硅（SiC）MOSFET等技術產品供應，榮獲“2024年度供應商卓越技術創(chuàng)新獎”。 作為一家半導體產業(yè)界的創(chuàng)新科技公司，芯聯(lián)集成致力于...  [詳內文]

歐洲九國聯(lián)盟，第三代半導體劃重點
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 16:32 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，德國、荷蘭、法國、比利時、芬蘭、意大利、奧地利、波蘭和西班牙九個國家正式簽署協(xié)議，組建“半導體聯(lián)盟”（Semicon Coalition），旨在通過協(xié)同合作提升芯片自給能力，并強化自身在全球半導體版圖的地位。 上述聯(lián)盟主攻技術主權、供應鏈韌性與創(chuàng)新競爭力三大核心方向，將重點...  [詳內文]

兩條8英寸產線新進展：涉及碳化硅、氮化鎵
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 16:23 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
杰立方8英寸碳化硅產線之后，香港再傳出兩條第三代半導體產線進展。 近期，明報新聞網報道，香港微電子研發(fā)院（MRDI）正在設立兩條8英寸第三代半導體中試線，分別負責碳化硅及氮化鎵研發(fā)和生產，預計在今年內完成安裝及調試。 2024年5月，香港立法會批準28.4億港元設立香港微電子研發(fā)...  [詳內文]