隨著高功率器件性能需求的持續(xù)提升，氧化鎵憑借超寬禁帶、高擊穿電場等優(yōu)勢，被視為理想的第四代功率半導體材料，吸引國內廠商不斷布局，近期氧化鎵領域再次傳出新動態(tài)。 “晉江產經報道”官微消息，近日，晉江西安離岸創(chuàng)新中心孵化出的第一個產業(yè)化項目，專注于第四代超寬禁帶半導體材料——氧化鎵科...  [詳內文]

近日，中國科學院院士、西安電子科技大學教授郝躍團隊的教授張進成、寧靜在氧化鎵散熱難題上取得突破——用金剛石（鉆石）為散熱體，并通過石墨烯緩沖層實現(xiàn)高效熱傳導。該成果已在《Nature?Communications》上發(fā)表。 圖片來源：西安電子科技大學——圖為郝躍（中）團隊在實驗...  [詳內文]

近日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）宣布在氧化鎵同質外延技術上取得重大突破，成功實現(xiàn)了高質量6英寸氧化鎵同質外延生長。 此次鎵仁半導體 的6英寸氧化鎵同質外延片表現(xiàn)優(yōu)異。外延層厚度超過10微米，厚度均勻性優(yōu)異，方差σ小于1%。高分辨XRD搖擺曲線半高寬小于40弧...  [詳內文]

近日，由西安電子科技大學集成電路學部郝躍院士團隊張進成教授、寧靜教授等在寬禁帶半導體材料集成領域取得取得突破性進展，研究成果以“Van der Waals β-Ga?O?thin ?lms on polycrystalline diamond substrates”為題在線發(fā)表于...  [詳內文]

9月3日，“鎵仁半導體”官微透露，杭州鎵仁半導體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導體”) 8英寸氧化鎵襯底今年7月通過了國內/國外知名機構的檢測，并聯(lián)合發(fā)布檢測結果。 深圳平湖實驗室檢測結果顯示，本次測試樣品為氧化鎵8英寸襯底，取點共計5個，XRD搖擺曲線半高寬測試結果：22~26 a...  [詳內文]

近日，據(jù)上杭融媒公眾號消息，福建晶旭半導體科技有限公司二期項目——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產項目迎來新進展。 目前最新進展是該項目整個主體建筑已全部封頂；辦公大樓、研發(fā)樓、宿舍正在進行內部精裝修；主體廠房潔凈車間班組已入駐；動力中心正在內部調試，預計8月可進行機...  [詳內文]