近日,天成半導(dǎo)體官微宣布,依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長晶設(shè)備成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料,12英寸N型碳化硅單晶材料晶體?有效厚度突破35mm厚。
據(jù)悉,天成半導(dǎo)體現(xiàn)已掌握12英寸高純半絕緣和N型單晶生長雙成熟工藝,且自研的長晶設(shè)備可產(chǎn)出直徑達到350mm的單晶材...  [詳內(nèi)文]
國產(chǎn)12英寸SiC再傳捷報 |
| 作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 10 月 16 日 18:27 | 分類 碳化硅SiC |
