一、戰(zhàn)略收縮：巨頭的理性“止損”與資產(chǎn)優(yōu)化

2025年下半年，兩大行業(yè)巨頭的動(dòng)作揭示了資本對(duì)射頻氮化鎵市場(chǎng)的重新定價(jià)。

1、恩智浦：5G夢(mèng)醒后的決斷

近期，隨著分析機(jī)構(gòu)EJL Wireless Research在Linkedin上的一則爆料，#恩智浦 正式確認(rèn)將關(guān)閉其位于美國(guó)亞利桑那州錢德勒（Chandler）的“Echo”晶圓廠，該廠定于2027年第一季度生產(chǎn)最后一批晶圓后謝幕。

“Echo”晶圓廠并非泛泛之輩，它是恩智浦于2020年9月高調(diào)投產(chǎn)的旗艦項(xiàng)目。彼時(shí)，恩智浦半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理保羅·哈特（Paul Hart）曾對(duì)其寄予厚望，豪言該廠將于當(dāng)年底達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)。為此，恩智浦在2018至2020年間投入約1億美元（超7億人民幣），專門打造6英寸GaN-on-SiC產(chǎn)線，意圖主宰5G基站射頻功率放大器（PA）市場(chǎng)。

然而，僅僅運(yùn)行不到五年，該工廠便黯然落幕。財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)揭示了背后的無(wú)奈：2024年，恩智浦“通信基礎(chǔ)設(shè)施及其他”業(yè)務(wù)收入下滑近20%，不足17億美元；進(jìn)入2025年，前九個(gè)月收入同比進(jìn)一步暴跌25%，僅余9.62億美元。

嚴(yán)酷的現(xiàn)實(shí)表明，在復(fù)蘇前景黯淡的射頻市場(chǎng)空耗現(xiàn)金流已不合時(shí)宜。恩智浦選擇向“Fab-Lite”（輕晶圓廠）模式轉(zhuǎn)型，關(guān)閉老舊產(chǎn)線，將資源聚焦于核心的汽車電子與工業(yè)控制，或通過(guò)參與德國(guó)ESMC等合資項(xiàng)目獲取更具成本優(yōu)勢(shì)的300mm產(chǎn)能。

2、臺(tái)積電：AI浪潮下的“戰(zhàn)略性斷舍離”

作為晶圓代工霸主，#臺(tái)積電 在2025年7月做出逐步退出GaN代工業(yè)務(wù)的決定，同樣震動(dòng)了業(yè)界。臺(tái)積電明確表示，將在2027年中前完全停止GaN代工服務(wù)，并將原本負(fù)責(zé)該業(yè)務(wù)的新竹Fab 5廠逐步轉(zhuǎn)型為先進(jìn)封裝（CoWoS）產(chǎn)能。

這一決策背后是極致的資源博弈。在AI芯片需求井噴的當(dāng)下，先進(jìn)制程與封裝產(chǎn)能“寸土寸金”。雖然GaN業(yè)務(wù)穩(wěn)步增長(zhǎng)，但其基于6英寸晶圓的營(yíng)收貢獻(xiàn)與利潤(rùn)率，遠(yuǎn)無(wú)法與服務(wù)于英偉達(dá)（NVIDIA）等客戶的12英寸AI產(chǎn)線相提并論。臺(tái)積電的退出，實(shí)質(zhì)上是先進(jìn)邏輯制程對(duì)特色功率工藝的一次資源擠出。

此舉迫使供應(yīng)鏈迅速重構(gòu)：格芯（GlobalFoundries）借機(jī)承接了溢出的商業(yè)與國(guó)防訂單，利用美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》資金強(qiáng)化本土制造；而力積電則利用其在存儲(chǔ)制造中的成本控制經(jīng)驗(yàn)，開(kāi)發(fā)基于180nm節(jié)點(diǎn)的200mm GaN-on-Si工藝，成為了Fabless（無(wú)晶圓設(shè)計(jì)）廠商新的避風(fēng)港。

二、陣痛與洗牌：Fabless模式邁入調(diào)整期

臺(tái)積電的離場(chǎng)，將高度依賴代工服務(wù)的Fabless廠商推向了風(fēng)口浪尖，其中納微半導(dǎo)體（Navitas）的遭遇尤為典型。

受臺(tái)積電業(yè)務(wù)調(diào)整影響，納微被迫在2025年宣布將其主要晶圓代工方轉(zhuǎn)移至力積電。在半導(dǎo)體行業(yè)，更換晶圓廠風(fēng)險(xiǎn)大、耗時(shí)長(zhǎng)，涉及長(zhǎng)達(dá)12-24個(gè)月的重新認(rèn)證周期與良率爬坡風(fēng)險(xiǎn)，期間極易被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手搶占市場(chǎng)份額。

供應(yīng)鏈危機(jī)疊加業(yè)績(jī)壓力，引發(fā)了納微管理層的劇烈動(dòng)蕩。聯(lián)合創(chuàng)始人兼CEO Gene Sheridan于2025年8月卸任，CTO Dan Kinzer也辭去高管職務(wù)。創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)的集體淡出，標(biāo)志著納微“創(chuàng)業(yè)講故事”時(shí)代的終結(jié)，公司被迫進(jìn)入由職業(yè)經(jīng)理人主導(dǎo)的“止血求生”階段。

與此同時(shí)，美國(guó)獨(dú)立IDM陣營(yíng)在2024-2025年間也經(jīng)歷了劇烈整合。Wolfspeed為了全力押注碳化硅（SiC），以1.25億美元的“白菜價(jià)”將射頻GaN業(yè)務(wù)剝離給MACOM，以支撐其莫霍克谷工廠的巨額開(kāi)支；曾被視為技術(shù)標(biāo)桿的Transphorm則被日本瑞薩電子收購(gòu)，標(biāo)志著美國(guó)本土又失去了一家獨(dú)立的GaN技術(shù)持有者。

三、西線反擊：歐美IDM巨頭的差異化進(jìn)擊

與代工業(yè)務(wù)的收縮相反，擁有垂直整合能力（IDM）的歐美巨頭正在通過(guò)差異化路線瘋狂擴(kuò)張。

1、MACOM：吃下CHIPS法案紅利的軍工巨鱷

MACOM走了一條“去商業(yè)化”的軍工高端路線。在收購(gòu)Wolfspeed射頻業(yè)務(wù)后，MACOM于今年1月宣布了高達(dá)3.45億美元的五年投資計(jì)劃，借助CHIPS法案資金，對(duì)其馬薩諸塞州和北卡羅來(lái)納州的工廠進(jìn)行現(xiàn)代化改造，核心是將產(chǎn)線升級(jí)為6英寸GaN-on-SiC。

2、德州儀器（TI）：95%自造率的成本碾壓

模擬芯片之王TI則試圖用“硅的邏輯”重塑GaN市場(chǎng)。2024年底，TI在日本會(huì)津工廠量產(chǎn)GaN器件，產(chǎn)能瞬間翻了兩番。更具威懾力的是，TI正在達(dá)拉斯總部利用12英寸產(chǎn)線進(jìn)行GaN試點(diǎn)。一旦導(dǎo)入成功，其成本將呈指數(shù)級(jí)下降。TI明確提出2030年實(shí)現(xiàn)95%芯片內(nèi)部制造的目標(biāo)，意圖通過(guò)超大規(guī)模制造壓低邊際成本，從而占領(lǐng)更大份額市場(chǎng)。

3、英飛凌（Infineon）：打造虛擬超級(jí)工廠

德國(guó)巨頭#英飛凌 正在執(zhí)行“One Virtual Fab（虛擬工廠）”戰(zhàn)略，打通奧地利菲拉赫與馬來(lái)西亞居林的產(chǎn)能。One Virtual Fab是一種先進(jìn)的制造模式，旨在通過(guò)數(shù)字技術(shù)將不同地理位置的生產(chǎn)基地緊密連接，實(shí)現(xiàn)技術(shù)、流程和產(chǎn)能的協(xié)同優(yōu)化，以提升效率和快速響應(yīng)市場(chǎng)需求。

2025年，投資高達(dá)50億歐元的居林第三工廠啟動(dòng)擴(kuò)建，重點(diǎn)生產(chǎn)8英寸GaN和SiC晶圓。英飛凌正試圖確立“硅+碳化硅+氮化鎵”的全能霸權(quán)，在AI數(shù)據(jù)中心急需的鈦金級(jí)電源市場(chǎng)構(gòu)筑防線。

四、東線崛起：中國(guó)力量的全產(chǎn)業(yè)鏈突圍

在中國(guó)市場(chǎng)，一條從設(shè)計(jì)到制造的全產(chǎn)業(yè)鏈正在快速發(fā)展，并展現(xiàn)出強(qiáng)大的市場(chǎng)穿透力。

1、英諾賽科：產(chǎn)能怪獸的資本首秀

作為全球最大的8英寸硅基氮化鎵IDM廠商，#英諾賽科 被視為逼退臺(tái)積電消費(fèi)級(jí)業(yè)務(wù)的重要推手。2024年底至2025年初，英諾賽科成功登陸港股，募資約14億港元。其招股書披露的計(jì)劃顯示，產(chǎn)能將從2024年的1.25萬(wàn)片/月狂飆至2029年的7萬(wàn)片/月。

基石投資者意法半導(dǎo)體（ST）的出現(xiàn)，更暗示了“歐洲設(shè)計(jì)+中國(guó)制造”的新聯(lián)盟可能。2025年上半年，英諾賽科營(yíng)收大漲43%并首次實(shí)現(xiàn)毛利轉(zhuǎn)正，證明了其IDM模式在成本控制上的成功。然而，由于持續(xù)的高額研發(fā)投入和產(chǎn)線折舊，公司在凈利潤(rùn)層面仍處于虧損狀態(tài)，這在IDM企業(yè)的擴(kuò)張初期屬于典型特征。

2、三安集成與芯聯(lián)集成：車規(guī)與射頻的雙輪驅(qū)動(dòng)

三安集成在射頻與功率領(lǐng)域雙線并進(jìn)。其與意法半導(dǎo)體在重慶的合資工廠預(yù)計(jì)于2025年三季度量產(chǎn)8英寸SiC和GaN器件，精準(zhǔn)卡位中國(guó)電動(dòng)汽車市場(chǎng)。同時(shí)，其射頻GaN業(yè)務(wù)在5G-A基站和低軌衛(wèi)星領(lǐng)域保持了穩(wěn)定的現(xiàn)金流。

前身為中芯集成的#芯聯(lián)集成，則利用IGBT和SiC的車規(guī)經(jīng)驗(yàn)，將“零缺陷”管理引入GaN制造，并提供“系統(tǒng)代工”服務(wù)。其車規(guī)功率模塊收入在2024年實(shí)現(xiàn)翻倍增長(zhǎng)，成功實(shí)現(xiàn)EBITDA轉(zhuǎn)正，成為汽車Tier 1廠商的重要合作伙伴。

此外，潤(rùn)新微憑借D-Mode技術(shù)實(shí)現(xiàn)差異化發(fā)展，新微半導(dǎo)體在硅光與射頻SOI領(lǐng)域進(jìn)行工藝孵化，氮矽科技在驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)上取得突破，他們共同構(gòu)成了中國(guó)GaN產(chǎn)業(yè)豐富而堅(jiān)韌的生態(tài)底色。

五、結(jié)語(yǔ)：產(chǎn)業(yè)邏輯的深刻嬗變

縱觀2025年的產(chǎn)業(yè)全景，我們可以提煉出驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)變革的三大底層邏輯。

首先，射頻與功率徹底分道揚(yáng)鑣。NXP和Wolfspeed退出的皆是射頻GaN，而英飛凌、TI與英諾賽科爭(zhēng)奪的則是功率GaN。前者回歸軍工與特種應(yīng)用，后者則在AI與汽車?yán)顺敝杏瓉?lái)爆發(fā)。

其次，IDM模式加冕，F(xiàn)abless日漸式微。臺(tái)積電的退出與納微的危機(jī)證明，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，器件性能高度依賴材料與工藝的耦合。無(wú)法掌控生產(chǎn)流程的Fabless模式，在成本與良率上難以與IDM抗衡。

最后，供應(yīng)鏈邏輯正在深刻重構(gòu)。在追求自主可控與供應(yīng)穩(wěn)定的趨勢(shì)下，氮化鎵產(chǎn)業(yè)正從單一的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，轉(zhuǎn)向以區(qū)域化布局為特征的深度深耕。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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該平臺(tái)核心是300毫米導(dǎo)電型碳化硅襯底，該襯底有著低電阻率、低缺陷密度和高均質(zhì)性的特點(diǎn)，能有效降低器件能耗、提升開(kāi)關(guān)頻率與熱管理性能。

除了解決AI數(shù)據(jù)中心熱效率不足的痛點(diǎn)外，Coherent還計(jì)劃推動(dòng)該技術(shù)規(guī)?；慨a(chǎn)，同時(shí)拓展其在AR/VR設(shè)備以及電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用。比如用該技術(shù)制造更薄更高效的AR智能眼鏡與VR頭顯波導(dǎo)器件，也能在電力電子領(lǐng)域通過(guò)大尺寸晶圓特性降低單芯片成本。

資料顯示，Coherent成立于1971年，其業(yè)務(wù)覆蓋激光技術(shù)、光電子器件等多個(gè)核心領(lǐng)域。2022年7月，Coherent被II-VI公司以約70億美元收購(gòu)，合并后沿用“Coherent”作為新公司名稱。此次整合實(shí)現(xiàn)了技術(shù)互補(bǔ)——原II-VI在砷化鎵、磷化銦、碳化硅等光電子材料和光器件領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)，與原Coherent的激光系統(tǒng)技術(shù)相結(jié)合，讓新公司具備了從材料到終端產(chǎn)品的全產(chǎn)業(yè)鏈控制能力。

Coherent高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理GaryRuland表示：“人工智能正在改變數(shù)據(jù)中心的熱管理格局，碳化硅正成為實(shí)現(xiàn)這種可擴(kuò)展性的基礎(chǔ)材料之一?！薄拔覀兊?00毫米平臺(tái)計(jì)劃大規(guī)模生產(chǎn)，帶來(lái)新的熱效率水平，直接轉(zhuǎn)化為更快、更節(jié)能的AI數(shù)據(jù)中心?！?/p>

此前7月，Coherent位于越南的SiC工廠正式落成。該工廠耗資1.27億美元（約合人民幣9.12億元），將生產(chǎn)碳化硅半導(dǎo)體、光學(xué)玻璃和先進(jìn)光學(xué)器件。新工廠將對(duì)Coherent布局碳化硅及光學(xué)產(chǎn)品的產(chǎn)能發(fā)揮關(guān)鍵作用。

（文/集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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TrendForce集邦咨詢預(yù)估，2026年將是人形機(jī)器人邁向商用化的關(guān)鍵年，全球出貨量可望突破5萬(wàn)臺(tái)，年增逾700%。在國(guó)際機(jī)器人大會(huì)(iREX 2025) 上，Kawasaki Heavy Industries發(fā)表最新人形整機(jī)Kaleido 9，可搬30公斤貨架、學(xué)習(xí)使用清掃工具，并支援虛擬頭戴裝置遠(yuǎn)端操控，主攻災(zāi)害現(xiàn)場(chǎng)。Harmonic Drive針對(duì)人形機(jī)器人各部位提出減速機(jī)最佳化配置，如頸部、手臂著眼扁平高扭矩，以兼顧輸出與空間利用，手指則導(dǎo)入超小型系列產(chǎn)品，精進(jìn)抓取能力。

盡管iREX 2025以人形機(jī)器人為宣傳亮點(diǎn)，據(jù)TrendForce集邦咨詢現(xiàn)場(chǎng)觀察，各項(xiàng)展示仍以工業(yè)機(jī)器手臂、協(xié)作機(jī)器人為大宗，顯示日本機(jī)器人產(chǎn)業(yè)即便掌握高整合感測(cè)減速機(jī)、精密關(guān)節(jié)，以及先進(jìn)控制平臺(tái)等人形關(guān)鍵技術(shù)，現(xiàn)階段仍優(yōu)先用于需求成熟、導(dǎo)入流程明確，以及投資報(bào)酬率可計(jì)算的工業(yè)場(chǎng)景。

然而，日本長(zhǎng)期照顧人力缺口擴(kuò)大，且照護(hù)設(shè)施密度高，降低照護(hù)人員負(fù)荷并提升照顧品質(zhì)成為當(dāng)務(wù)之急，因此，預(yù)期照護(hù)將成為日本對(duì)人形機(jī)器人需求最強(qiáng)的場(chǎng)域，Kawasaki的Nyokkey、Fourier的GR-3皆以此為設(shè)計(jì)重點(diǎn)。

相形之下，目前美系人形機(jī)器人產(chǎn)業(yè)已由“技術(shù)展示”走向“實(shí)務(wù)驗(yàn)證”，核心競(jìng)爭(zhēng)點(diǎn)從單純的運(yùn)動(dòng)能力轉(zhuǎn)移至系統(tǒng)整合、場(chǎng)景落地。Tesla（特斯拉）、Boston Dynamics（波士頓動(dòng)力）與Agility Robotics（敏捷機(jī)器人）等整機(jī)廠商，將重心放在機(jī)器人長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)作的穩(wěn)定性、能源效率與AI模型的即時(shí)推理能力。TrendForce集邦咨詢預(yù)期，2026年將成為“場(chǎng)景切入”的分水嶺，美系業(yè)者能否在制造、物流乃至居家服務(wù)找到可持續(xù)的應(yīng)用模式，將成為產(chǎn)品由研發(fā)走向大規(guī)模商業(yè)部署的關(guān)鍵。

中國(guó)人形機(jī)器人產(chǎn)業(yè)則呈現(xiàn)“場(chǎng)景多元”、“價(jià)格分層”特征，Unitree（宇樹(shù)科技）與AgiBot（智元機(jī)器人）等廠商持續(xù)以低價(jià)產(chǎn)品推動(dòng)大規(guī)模試點(diǎn)，試圖打造消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)基礎(chǔ)；Fourier（傅利葉）鎖定康養(yǎng)、陪伴應(yīng)用，以情感交互與醫(yī)療經(jīng)驗(yàn)構(gòu)筑差異化；UBTECH（優(yōu)必選）憑借龐大資本，深入汽車制造場(chǎng)景。TrendForce集邦咨詢分析，中國(guó)人形機(jī)器人2026年關(guān)鍵在于如何平衡“低價(jià)普及化”與“高階差異化”兩條路徑，并逐步累積能支撐長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)的數(shù)據(jù)與應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)。

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TrendForce集邦咨詢指出，由于800G以上的高速光收發(fā)模塊的龐大需求，已在供應(yīng)鏈最上游激光光源造成嚴(yán)重供給瓶頸。特別是Nvidia（英偉達(dá)）因戰(zhàn)略考量而壟斷EML激光芯片供應(yīng)商的產(chǎn)能，導(dǎo)致EML激光交期已經(jīng)排到2027年后，使得激光光源市場(chǎng)發(fā)生供給短缺的現(xiàn)象。各家光收發(fā)模塊廠商與終端的CSP客戶也因受限于激光光源的短缺，紛紛尋求更多的供應(yīng)商與解決方案，牽動(dòng)激光產(chǎn)業(yè)格局變化。

Nvidia戰(zhàn)略性壟斷EML激光芯片

除應(yīng)用于短距離傳輸VCSEL激光外，目前中長(zhǎng)距離的光收發(fā)模塊的激光可以分為兩種形式，EML激光與CW激光。其中EML激光因在單一芯片內(nèi)整合了信號(hào)調(diào)變功能，生產(chǎn)門檻極高且光學(xué)組件復(fù)雜，因此全球供應(yīng)商屈指可數(shù)。目前主要的供應(yīng)商包括Lumentum、Coherent（Finisar菲尼薩）、Mitsubishi（三菱）、Sumitomo（住友）、Broadcom（博通）等。

由于超大型#數(shù)據(jù)中心 出現(xiàn)，面對(duì)超長(zhǎng)的傳輸距離，使得穿透距離更長(zhǎng)且信號(hào)穩(wěn)定的EML激光成為了關(guān)鍵戰(zhàn)略物資，再加上Nvidia的硅光/CPO量產(chǎn)進(jìn)度緩慢，短期仍需大規(guī)模依賴可插拔式的光收發(fā)模塊來(lái)滿足GPU集群需求。因此為了確保供貨無(wú)虞，向其EML激光芯片供應(yīng)商進(jìn)行包產(chǎn)，導(dǎo)致市面上EML激光芯片供給吃緊。

CW激光，云端大廠的新寵兒與產(chǎn)能競(jìng)賽

相較之下，CW（連續(xù)波）激光僅負(fù)責(zé)提供恒定光源，并搭配#半導(dǎo)體晶圓代工廠 制造的硅光子（Silicon Photonics）芯片作為外部調(diào)變器，才能將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)進(jìn)行傳輸。因此不需在激光芯片上整合調(diào)變功能，芯片結(jié)構(gòu)較單純，這也是在EML激光短缺之際，采用硅光子技術(shù)的CW激光方案成為各大CSP廠積極轉(zhuǎn)進(jìn)替代首選原因。

盡管CW激光的投入生產(chǎn)廠商相對(duì)較多，供貨吃緊程度不如EML激光。然而，面對(duì)龐大的AI高速傳輸需求，CW激光的產(chǎn)能擴(kuò)充幅度也受限于生產(chǎn)設(shè)備的交期而無(wú)法快速放大，因此短期內(nèi)也難以滿足龐大的客戶需求。為了滿足客戶的信賴性要求，后段的芯片切割與測(cè)試制程也會(huì)耗用相當(dāng)多的人力與相關(guān)資源，因此目前許多激光廠商自制最關(guān)鍵的磊晶之外，也選擇性的將后段的激光芯片切割與老化測(cè)試制程外包給其他的相關(guān)激光廠商，促使相關(guān)的激光供應(yīng)鏈產(chǎn)能逐漸吃緊，也紛紛展開(kāi)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。

高速PD需求同步飆升，磊晶廠迎來(lái)外溢商機(jī)

至于光收發(fā)模塊當(dāng)中，除了發(fā)射端的激光光源之外，同時(shí)也需要光二極管（PhotoDiode, PD）作為光接收元件。為了要搭配更高速的激光光源傳輸速度，目前各家PD廠商也紛紛投入開(kāi)發(fā)可以接收200G傳輸信號(hào)的高速PD，包括Coherent, Macom, Broadcom,Lumentum等廠商也推出了200G的高速PD。

由于高速PD和EML與CW激光一樣，皆采用INP(磷化銦) 基板再進(jìn)行磊晶。在激光光源短缺的情況下，激光廠商傾向?qū)⒍鄶?shù)磊晶產(chǎn)能配置于生產(chǎn)激光光源，同時(shí)通過(guò)外包的方式將INP磊晶交由iET-英特磊、全新等專業(yè)磊晶代工廠商協(xié)助生產(chǎn)。

TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，在AI龐大的需求推動(dòng)下，除了存儲(chǔ)器的嚴(yán)重短缺之外，高速傳輸也同樣帶動(dòng)了上游激光產(chǎn)業(yè)的供給吃緊。特別是Nvidia的EML激光的壟斷策略雖然保障了自身的出貨安全，卻也意外加速了非Nvidia陣營(yíng)對(duì)CW激光與硅光子技術(shù)的采用速度。同時(shí)，這場(chǎng)產(chǎn)能爭(zhēng)奪戰(zhàn)正在重塑供應(yīng)鏈分工，為具備高階化合物半導(dǎo)體磊晶與制程能力的相關(guān)供應(yīng)鏈帶來(lái)顯著的成長(zhǎng)動(dòng)能。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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公開(kāi)資料顯示，研微半導(dǎo)體成立于2022年，總部位于無(wú)錫，主要專注于高端原子層沉積（ALD）、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）以及特色外延設(shè)備技術(shù)，涵蓋熱原子層沉積（tALD）、等離子體增強(qiáng)原子層沉積（PEALD）、硅外延（SI EPI）、碳化硅外延（SiC EPI）、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）等核心技術(shù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于高端集成電路、功率器件、射頻元件及先進(jìn)封裝領(lǐng)域。

圖片來(lái)源：研微半導(dǎo)體官網(wǎng)

研微半導(dǎo)體目前重點(diǎn)突破的tALD、PEALD、低壓EPI等細(xì)分領(lǐng)域，市場(chǎng)份額主要由美日歐廠商占據(jù)，高端薄膜沉積設(shè)備進(jìn)口受限。憑借在金屬柵極、高深寬比溝槽填充等細(xì)分工藝的突破，研微半導(dǎo)體在最前沿半導(dǎo)體技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)中建立優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。此前11月7日，研微半導(dǎo)體披露，其自主研發(fā)的Spritz系列首臺(tái)新材料原子層沉積（tALD）設(shè)備在無(wú)錫完成出廠交付，并同步實(shí)現(xiàn)“雙機(jī)”發(fā)運(yùn)，成功交付國(guó)內(nèi)邏輯與存儲(chǔ)芯片雙領(lǐng)域頭部企業(yè)。

圖片來(lái)源：研微半導(dǎo)體

該設(shè)備聚焦AI算力芯片制造需求，在HKMG金屬層沉積、NAND WL、DRAM bWL及SN區(qū)域薄膜填充等關(guān)鍵工藝實(shí)現(xiàn)突破，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)金屬原子層沉積空白，憑借先進(jìn)進(jìn)氣、混氣與勻流系統(tǒng)顯著提升薄膜均勻性和產(chǎn)能穩(wěn)定性，助力先進(jìn)制程國(guó)產(chǎn)化。研微半導(dǎo)體自2022年10月在無(wú)錫成立以來(lái)，短短三年內(nèi)已完成多輪融資：當(dāng)年12月獲天使輪，2023年7月再獲天使+輪，2024年1月完成數(shù)億元Pre-A輪，并于今年內(nèi)連續(xù)完成三輪數(shù)億元融資。

隨著邏輯芯片制程的持續(xù)升級(jí)和3D存儲(chǔ)芯片對(duì)多層高深寬比結(jié)構(gòu)要求的不斷提高，ALD技術(shù)憑借其原子層級(jí)沉積特點(diǎn)，具有薄膜厚度精確度高、均勻性好、極佳的臺(tái)階覆蓋率（Conformal Coverage）、溝槽填充性能極佳等優(yōu)勢(shì)。ALD/PEALD技術(shù)在高深寬比結(jié)構(gòu)（如3D NAND閃存的多層堆疊、先進(jìn)邏輯芯片的接觸孔）中的高保形性是傳統(tǒng)CVD難以比擬的，特別適合在對(duì)薄膜質(zhì)量和臺(tái)階覆蓋率有較高要求的領(lǐng)域應(yīng)用，在45nm以下節(jié)點(diǎn)、先進(jìn)封裝、3D結(jié)構(gòu)等半導(dǎo)體薄膜沉積環(huán)節(jié)有大量需求。

此外，研微半導(dǎo)體的SiC EPI設(shè)備，瞄準(zhǔn)的是第三代半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)。這一特色外延設(shè)備與高端集成電路薄膜沉積設(shè)備同為國(guó)家重點(diǎn)鼓勵(lì)的國(guó)產(chǎn)替代方向。2025年，除研微半導(dǎo)體外，微導(dǎo)納米、拓荊科技和中微公司等企業(yè)也在高端薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域加速突破：微導(dǎo)納米的ALD批量與單片設(shè)備已通過(guò)多家客戶驗(yàn)證，在手訂單超23億元；拓荊科技完成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD全系列布局，核心指標(biāo)達(dá)國(guó)際水平；中微公司LPCVD設(shè)備首臺(tái)銷售后半年收入達(dá)1.99億元，同比增長(zhǎng)約6倍，共同推進(jìn)國(guó)產(chǎn)設(shè)備進(jìn)程。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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2025年11月27日，由全球高科技產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢主辦的“MTS 2026存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)研討會(huì)”在深圳舉辦。會(huì)上，TrendForce集邦咨詢發(fā)布了“2026十大科技市場(chǎng)趨勢(shì)預(yù)測(cè)”：

1、AI芯片逐鹿戰(zhàn)升級(jí)，液冷散熱大規(guī)模滲透AI數(shù)據(jù)中心

2026年受惠于北美大型CSPs提高資本支出，以及各國(guó)主權(quán)云興起，對(duì)AI數(shù)據(jù)中心建置需求旺盛，預(yù)估全球AI Server出貨年增將逾20%。AI市場(chǎng)霸主NVIDIA（英偉達(dá)）將面臨更高強(qiáng)度競(jìng)爭(zhēng)，首先，AMD（超威）將效法NVIDIA GB/VR機(jī)柜方案，推出MI400整柜式產(chǎn)品，主攻CSPs客戶；其次，北美CSPs自研ASIC力道持續(xù)增強(qiáng)；最后，受國(guó)際形勢(shì)影響，ByteDance（字節(jié)跳動(dòng)）、Baidu（百度）、Alibaba（阿里巴巴）、Tencent（騰訊）自研ASIC，以及Huawei（華為）、Cambricon（寒武紀(jì)）等強(qiáng)化AI芯片自主研發(fā)，將AI市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)推向白熱化。

隨著AI芯片算力提升，單芯片熱設(shè)計(jì)功耗(TDP)將從NVIDIA H100、H200的700W，上升至B200、B300的1,000W以上或更高，Server機(jī)柜須以液冷散熱系統(tǒng)對(duì)應(yīng)高密度熱通量需求，推升2026年AI芯片液冷滲透率達(dá)47%。Microsoft（微軟）亦提出新一代芯片封裝層級(jí)的微流體冷卻技術(shù)。整體而言，短中期市場(chǎng)仍以水冷板液冷為主，CDU架構(gòu)將自L2A (Liquid-to-Air)轉(zhuǎn)向L2L (Liquid-to-Liquid)設(shè)計(jì)，長(zhǎng)期則朝更精細(xì)化的芯片級(jí)散熱演進(jìn)。

2、突破帶寬限制、實(shí)現(xiàn)高速傳輸，HBM與光通訊建構(gòu)智能運(yùn)算新體系

AI運(yùn)算從訓(xùn)練到推理的數(shù)據(jù)量與存儲(chǔ)器帶寬需求呈爆炸性成長(zhǎng)，導(dǎo)致傳輸速度與能耗瓶頸浮上臺(tái)面。為解決AI運(yùn)算受存儲(chǔ)器帶寬與數(shù)據(jù)傳輸速率限制的問(wèn)題，HBM與光通訊技術(shù)逐漸成為次世代AI架構(gòu)的核心突破口。

目前HBM通過(guò)3D堆棧與TSV技術(shù)，有效縮短處理器與存儲(chǔ)器之間的距離，并在即將量產(chǎn)的HBM4中，導(dǎo)入更高通道密度與更寬I/O帶寬，以支撐AI GPU與加速器的超大規(guī)模運(yùn)算。然而，當(dāng)模型參數(shù)突破兆級(jí)、GPU集群規(guī)模成倍數(shù)擴(kuò)張時(shí)，存儲(chǔ)器的傳輸瓶頸又重新被凸顯出來(lái)。目前各家存儲(chǔ)器廠商通過(guò)HBM堆棧結(jié)構(gòu)優(yōu)化，封裝與接口創(chuàng)新，并且與邏輯芯片協(xié)同設(shè)計(jì)，藉由各方面的努力來(lái)提升了AI芯片的本地帶寬。

解決了存儲(chǔ)器的傳輸瓶頸之后，跨芯片、跨模組間的數(shù)據(jù)傳輸仍成為限制系統(tǒng)效能的新瓶頸，為突破此限制，光電整合與CPO（Co-Packaged Optics）技術(shù)逐步成為主流GPU廠商與云端供應(yīng)商的研發(fā)重點(diǎn)。現(xiàn)階段800G/1.6T pluggable光模組已啟動(dòng)大量生產(chǎn)，而2026年起預(yù)期將有更高帶寬的SiPh/CPO平臺(tái)導(dǎo)入AI交換機(jī)（Switch）之內(nèi)。借由新型的光通訊技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)高帶寬、低功耗的數(shù)據(jù)互連，并優(yōu)化系統(tǒng)整體帶寬密度與能源效率。

綜觀趨勢(shì)，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)正邁向以「帶寬效率」為核心競(jìng)爭(zhēng)力。而處理跨芯片、跨模塊間的新型光通訊技術(shù)，也是突破電性接口在長(zhǎng)距離與高密度數(shù)據(jù)傳輸上的局限的最佳方案。因此高速傳輸技術(shù)將成為AI基礎(chǔ)架構(gòu)演進(jìn)的關(guān)鍵方向。

3、NAND Flash供應(yīng)商強(qiáng)化AI方案，加速推理工作、降低儲(chǔ)存成本

AI 訓(xùn)練與推理工作需要高速存取具有不可預(yù)測(cè)I/O模式的龐大數(shù)據(jù)集，與現(xiàn)有技術(shù)間產(chǎn)生效能差距。為此，NAND Flash供應(yīng)商加速推進(jìn)專門的解決方案，包含兩項(xiàng)關(guān)鍵產(chǎn)品：儲(chǔ)存級(jí)存儲(chǔ)器(SCM) SSD/KV Cache SSD/HBF技術(shù)，定位介于DRAM與傳統(tǒng)NAND間，提供超低延遲與高帶寬特性，為加速實(shí)時(shí)AI推理工作負(fù)載的理想選擇。

另一項(xiàng)是Nearline QLC SSD，QLC技術(shù)正以前所未有的速度被應(yīng)用于AI的溫/冷數(shù)據(jù)儲(chǔ)存層，例如模型檢查點(diǎn)與數(shù)據(jù)集歸檔。QLC的每晶粒儲(chǔ)存容量較TLC將高出33%，大幅降低儲(chǔ)存巨量AI數(shù)據(jù)集的單位成本。預(yù)估至2026年，QLC SSD于Enterprise SSD的市場(chǎng)滲透率將達(dá)30%。

4、儲(chǔ)能系統(tǒng)躍升AI數(shù)據(jù)中心能量核心，需求將迎爆發(fā)式成長(zhǎng)

AI數(shù)據(jù)中心朝向超大規(guī)模集群化發(fā)展，其負(fù)載波動(dòng)大，嚴(yán)格要求電力穩(wěn)定度，促使儲(chǔ)能系統(tǒng)由「應(yīng)急備電」轉(zhuǎn)為「AI數(shù)據(jù)中心的能量核心」。預(yù)估未來(lái)五年內(nèi)，AI數(shù)據(jù)中心儲(chǔ)能除了現(xiàn)有的短時(shí)UPS備電和電能質(zhì)量改善，2至4小時(shí)的中長(zhǎng)時(shí)儲(chǔ)能系統(tǒng)占比將迅速提升，以同時(shí)滿足備電、套利和電網(wǎng)服務(wù)需求。部署方式也將從數(shù)據(jù)中心級(jí)的集中式BESS (battery energy storage system)，逐步向機(jī)柜級(jí)或叢集級(jí)的分散式BESS滲透，如電池備用單元，以提供更快的瞬時(shí)響應(yīng)。

預(yù)期北美將成為全球最大AI數(shù)據(jù)中心儲(chǔ)能市場(chǎng)，由超大規(guī)模云端廠商主導(dǎo)。中國(guó)「東數(shù)西算」策略將推動(dòng)數(shù)據(jù)中心向綠電豐富的西部遷移，AI數(shù)據(jù)中心+儲(chǔ)能將成為西部大型基地的標(biāo)準(zhǔn)配備。預(yù)期全球AI數(shù)據(jù)中心儲(chǔ)能新增容量將從2024年的15.7GWh，激增至2030年的216.8GWh，復(fù)合年平均成長(zhǎng)率達(dá)46.1%。

5、AI數(shù)據(jù)中心邁向800V HVDC架構(gòu)，推升第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)需求

數(shù)據(jù)中心正經(jīng)歷徹底的電力基礎(chǔ)設(shè)施變革，服務(wù)器機(jī)柜功率從千瓦級(jí)(kW)迅速攀升至兆瓦級(jí)(MW)，供電模式正轉(zhuǎn)向800V HVDC(高壓直流)架構(gòu)，以最大限度地提高效率和可靠性，大幅減少銅纜用量，并支持更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，第三代半導(dǎo)體SiC/GaN正是實(shí)現(xiàn)這一轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵，多家半導(dǎo)體供應(yīng)商已宣布加入NVIDIA的800V HVDC計(jì)劃。

SiC主要應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)的前端、中端環(huán)節(jié)，負(fù)責(zé)處理最高電壓和最大功率的轉(zhuǎn)換操作。盡管目前SiC功率半導(dǎo)體在最高電壓額定值方面仍落后于傳統(tǒng)Si，但其具備卓越的熱性能和開(kāi)關(guān)特性，對(duì)于下一代的固態(tài)變壓器(SST)技術(shù)至關(guān)重要。

GaN則憑借高頻率、高效能優(yōu)勢(shì)，在供電鏈路的中端和末端發(fā)揮重要作用，追求極致的功率密度和動(dòng)態(tài)響應(yīng)。預(yù)估第三代半導(dǎo)體SiC/GaN在數(shù)據(jù)中心供電中的滲透率在2026年將上升至17%，至2030年有望突破30%。

6、2nm GAAFET革新，2.5D/3D封裝突破

隨著2nm進(jìn)入量產(chǎn)，在先進(jìn)制程商業(yè)競(jìng)逐中，形成了向內(nèi)追求更高晶體管密度、向外追求更大封裝尺寸的趨勢(shì)，同時(shí)強(qiáng)調(diào)異質(zhì)整合 (Heterogeneous Integration)能力，通過(guò)不同功能的多芯片堆棧與不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)的結(jié)合，滿足高效能運(yùn)算與人工智能應(yīng)用需求。

在追求更高晶體管密度的部分，半導(dǎo)體晶圓制造正式由FinFET轉(zhuǎn)進(jìn)GAAFET，通過(guò)Gate-Oxide完整包覆硅通道，在追逐高強(qiáng)度算力同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高效的電流控制。向外部分，2.5D與3D封裝技術(shù)提供多重芯片堆棧的高密度封裝解決方案，使芯片間互連更快速、功耗更低，為下一代數(shù)據(jù)中心及高性能運(yùn)算領(lǐng)域帶來(lái)突破。

隨著各家2nm GAAFET進(jìn)入量產(chǎn)，TSMC（臺(tái)積電）、Intel（英特爾）與Samsung（三星）則分別推出CoWoS/SoIC、EMIB/FOVEROS、I-Cube/X-Cube等2.5D/3D封裝技術(shù)，提供前后段整合代工服務(wù)。如何在產(chǎn)能利用率、可靠性、成本與良率間取得平衡與商業(yè)優(yōu)勢(shì)，將是各大晶圓代工與封裝廠的核心挑戰(zhàn)。

7、2026年人形機(jī)器人出貨成長(zhǎng)逾700%，聚焦AI自適應(yīng)與場(chǎng)景應(yīng)用性

2026年將是人形機(jī)器人邁向商用化的關(guān)鍵一年，全球出貨量預(yù)估年增逾七倍、突破5萬(wàn)臺(tái)，市場(chǎng)動(dòng)能聚焦于兩大主軸：AI自適應(yīng)（AI Adaptivity）技術(shù)與場(chǎng)景應(yīng)用導(dǎo)向。AI自適應(yīng)技術(shù)結(jié)合高效AI芯片、感測(cè)融合與大型語(yǔ)言模型（LLM）的進(jìn)化，使機(jī)器人能在非結(jié)構(gòu)化環(huán)境中實(shí)時(shí)學(xué)習(xí)與動(dòng)態(tài)決策，展現(xiàn)「謀定而后動(dòng)」的行為能力。

于此背景下，2026年的人形機(jī)器人新品將不再以規(guī)格或靈活度為唯一賣點(diǎn)，而是自設(shè)計(jì)階段即鎖定特定場(chǎng)景價(jià)值，從預(yù)期最早切入之制造搬運(yùn)、倉(cāng)儲(chǔ)分揀到檢測(cè)輔助等，皆能支持場(chǎng)域完整任務(wù)。2026年將是人形機(jī)器人正式進(jìn)入以AI為驅(qū)動(dòng)、以應(yīng)用為核心之產(chǎn)業(yè)新階段。

8、筆電顯示高階化提速，折疊機(jī)主流化進(jìn)程迎關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)

OLED顯示迎來(lái)跨世代的轉(zhuǎn)折時(shí)刻。中、韓面板廠的高世代（8.6代）AMOLED產(chǎn)線持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，隨著成本結(jié)構(gòu)與良率持續(xù)改善，OLED顯示技術(shù)正加速覆蓋從小到大的全尺寸產(chǎn)品，同步帶動(dòng)相關(guān)供應(yīng)鏈如驅(qū)動(dòng)IC、TCON、觸控模塊與散熱設(shè)計(jì)等高階零部件平均單價(jià)（ASP）與供應(yīng)商議價(jià)能力。

OLED以自發(fā)光、高對(duì)比、輕薄化與可變刷新率等特性，突破LCD在厚度與能耗的物理瓶頸，符合Apple（蘋果）對(duì)影像精度與能源效率的雙重要求。Apple預(yù)計(jì)2026年正式將OLED面板導(dǎo)入MacBook Pro，將帶動(dòng)高階筆電顯示規(guī)格由mini-LED轉(zhuǎn)向OLED，預(yù)估2025年OLED筆電滲透率可望來(lái)到5%，2026年之后，在Apple帶動(dòng)下，2027–2028年可望提升至9–12%。

另外，隨著Apple有機(jī)會(huì)于2026下半年至2027年間正式進(jìn)入折疊手機(jī)市場(chǎng)，將以軟硬整合、品牌信任與供應(yīng)鏈協(xié)同優(yōu)勢(shì)重新定義折疊手機(jī)價(jià)值，推動(dòng)市場(chǎng)焦點(diǎn)由「外觀炫技」轉(zhuǎn)向「生產(chǎn)力與體驗(yàn)深化」，預(yù)估將帶動(dòng)全球折疊手機(jī)出貨量于2027年突破3,000萬(wàn)支。目前折疊手機(jī)仍面臨邁向主流的最后障礙—鉸鏈可靠度、柔性面板封裝、良率與成本控制。Apple對(duì)產(chǎn)品驗(yàn)證與質(zhì)量的謹(jǐn)慎，反映其對(duì)進(jìn)場(chǎng)時(shí)機(jī)與使用體驗(yàn)的重視，也凸顯折疊手機(jī)要真正跨入成熟期，仍需時(shí)間與實(shí)力跨越鴻溝。

9、Meta驅(qū)動(dòng)全球近眼顯示躍進(jìn)，LEDoS技術(shù)蓄積成長(zhǎng)能量

伴隨AI應(yīng)用深化，Meta推出具顯示功能的Meta Ray-Ban Display AR眼鏡，鎖定「信息提供」應(yīng)用，讓AI更貼近日常、重塑用戶使用行為，通過(guò)第一視角的數(shù)據(jù)搜集與反饋，強(qiáng)化AI與用戶的雙向互動(dòng)體驗(yàn)。顯示技術(shù)采用在全彩化與成熟度表現(xiàn)穩(wěn)健的LCoS，既為尚未完全成熟的LEDoS 爭(zhēng)取技術(shù)發(fā)展時(shí)間，也藉由良好的用戶體驗(yàn)累積市場(chǎng)聲量。

隨著市場(chǎng)預(yù)期與Meta迭代產(chǎn)品規(guī)劃的推進(jìn)，趨勢(shì)正指向具備更高亮度、對(duì)比度的LEDoS 技術(shù)，以拓展應(yīng)用場(chǎng)景，加上Apple、Google（谷歌）、RayNeo（雷鳥(niǎo)創(chuàng)新）、INMO（影目科技）、Rokid（樂(lè)奇）、Vuzix等廠商持續(xù)布局，成本有望加速下探至大眾預(yù)期的甜蜜點(diǎn)，有利于LEDoS發(fā)展。預(yù)估2027-2028年將出現(xiàn)更成熟的全彩LEDoS解決方案，Meta也預(yù)計(jì)推出新一代搭載LEDoS的AR眼鏡。

10、2026年輔助駕駛滲透率提升，Robotaxi 開(kāi)啟全球多區(qū)域擴(kuò)張

預(yù)估2026年L2(含)以上輔助駕駛的滲透率將逾40%，智能化將接續(xù)電動(dòng)車成為汽車產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)動(dòng)力。L2輔助駕駛技術(shù)已趨成熟，普及關(guān)鍵轉(zhuǎn)向成本，有助降低系統(tǒng)總成本的艙駕一體單晶片與控制器將于2026年進(jìn)入規(guī)模量產(chǎn)，初期主攻中國(guó)中階汽車市場(chǎng)。傳統(tǒng)車廠同時(shí)積極推動(dòng)燃油車智能化轉(zhuǎn)型，也是輔助駕駛?cè)娉蔀檐囕v標(biāo)配的驅(qū)動(dòng)力。

另一方面，以L4級(jí)為目標(biāo)的Robotaxi正迎來(lái)全球性的擴(kuò)張浪潮。除了各地法規(guī)松綁，車隊(duì)平臺(tái)商、服務(wù)商對(duì)Robotaxi的采用態(tài)度轉(zhuǎn)為積極，以及開(kāi)發(fā)商探索端到端(E2E)、VLA(Vision Language Action)等泛化性更強(qiáng)的AI模型，皆有助Robotaxi市場(chǎng)擴(kuò)大。預(yù)計(jì)至2026年，Robotaxi將加速覆蓋歐洲、中東、日本、澳洲等市場(chǎng)，不再僅限于中國(guó)、美國(guó)。

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全球科技巨頭正加速布局AR/VR領(lǐng)域，蘋果VisionPro的發(fā)布推動(dòng)OLEDoS顯示技術(shù)落地，Meta Ray-BanAI眼鏡憑借輕量化設(shè)計(jì)在2025年上半年銷量突破預(yù)期。據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)測(cè)，2025年全球VR/MR產(chǎn)品出貨量達(dá)560萬(wàn)臺(tái)，預(yù)估2030年全球出貨量將達(dá)到1,440萬(wàn)臺(tái)。

與此同時(shí)，近眼顯示產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體價(jià)值凸顯。其中，第三代半導(dǎo)體以高折射率、強(qiáng)散熱特性，突破其光學(xué)與散熱瓶頸；高密度低功耗存儲(chǔ)器則滿足數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與低耗需求。二者協(xié)同發(fā)力，深度賦能，推動(dòng)近眼顯示產(chǎn)業(yè)向高性能、便攜化、沉浸式方向迭代升級(jí)。

01、近眼顯示的定義、產(chǎn)品及產(chǎn)業(yè)鏈全景

近眼顯示（Near-Eye Display, NED）是一種將微型顯示單元與光學(xué)系統(tǒng)集成，在用戶眼球前方近距離（通常10-30厘米）形成虛擬影像的顯示技術(shù)。其核心原理是通過(guò)微型顯示面板（如MicroOLED、MicroLED等）生成圖像，再經(jīng)光學(xué)模組（光波導(dǎo)、棱鏡等）放大、折射后，投射到用戶視網(wǎng)膜上，無(wú)需依賴遠(yuǎn)距離實(shí)體屏幕即可呈現(xiàn)虛擬內(nèi)容。近眼顯示技術(shù)廣泛應(yīng)用于AR、VR、MR及新型AI眼鏡等產(chǎn)品，覆蓋消費(fèi)級(jí)、行業(yè)級(jí)等多個(gè)場(chǎng)景。

AR眼鏡是一種佩戴式終端，是近眼顯示技術(shù)的典型應(yīng)用產(chǎn)品，它利用光學(xué)元件（如光波導(dǎo)、棱鏡或全息鏡片）將計(jì)算生成的圖像疊加到用戶的真實(shí)視野中，實(shí)現(xiàn)“虛實(shí)融合”。

從產(chǎn)業(yè)鏈角度，以AR眼鏡為主的近眼顯示產(chǎn)品主要由四大模塊構(gòu)成：光學(xué)系統(tǒng)、顯示面板、驅(qū)動(dòng)芯片與傳感器、以及存儲(chǔ)與供電系統(tǒng)。

光學(xué)模塊負(fù)責(zé)光路折射與出射角度控制，常見(jiàn)方案包括Birdbath（結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低）和光波導(dǎo)（輕薄高透光）兩大類；顯示面板則分為MicroLED、MicroOLED、LCoS、硅基OLED等技術(shù)路線；芯片與傳感器提供圖像渲染、姿態(tài)追蹤、AI加速等功能；存儲(chǔ)與供電則決定系統(tǒng)的響應(yīng)速度與續(xù)航時(shí)間。

02、存儲(chǔ)賦能：AR眼鏡高性能運(yùn)行的關(guān)鍵支撐

AR眼鏡等產(chǎn)品在佩戴端必須同時(shí)完成高分辨率微顯示、實(shí)時(shí)姿態(tài)追蹤、環(huán)境感知以及本地AI推理等任務(wù)。與傳統(tǒng)手機(jī)、平板相比，眼鏡的體積受限、散熱空間極小、功耗嚴(yán)格控制，這決定了存儲(chǔ)必須具備高密度、低功耗、快速讀寫三大特性，才能在毫秒級(jí)的幀率下支撐。這些需求直接推動(dòng)了NAND、NOR以及嵌入式封裝（ePOP）等非易失性存儲(chǔ)在AR眼鏡中的落地。

具體來(lái)看，3D NAND Flash的優(yōu)勢(shì)在于位密度極高，寫入功耗相對(duì)低，成本隨層數(shù)提升而下降，在AR眼鏡中可以容納大容量離線內(nèi)容（地圖、視頻素材）以及系統(tǒng)固件；NOR Flash讀取速度快，功耗更低，支持片上ROM+RAM組合，可直接在芯片內(nèi)部實(shí)現(xiàn)高速緩存，在AR眼鏡中存儲(chǔ)并快速調(diào)用本地AI推理模型、實(shí)時(shí)KV- Cache、系統(tǒng)啟動(dòng)代碼。另外，作為臨時(shí)工作內(nèi)存的LPDDR5/LPDDR5X具有超高帶寬，功耗可通過(guò)深度睡眠模式進(jìn)一步壓縮。

佰維存儲(chǔ)在10月20日披露的《投資者關(guān)系活動(dòng)記錄匯總表》顯示，該公司產(chǎn)品目前已被Meta、Google、小米、小天才、Rokid、雷鳥(niǎo)創(chuàng)新等國(guó)內(nèi)外知名企業(yè)應(yīng)用于其AI/AR眼鏡、智能手表等智能穿戴設(shè)備上。2025年上半年，Meta仍是公司出貨量最大的AI眼鏡客戶。該公司為其提供ROM+RAM存儲(chǔ)器芯片，是國(guó)內(nèi)的主力供應(yīng)商。

今年7月，時(shí)創(chuàng)意自研推出的超薄ePOP厚度僅為0.6mm，相比上一代0.8mm厚度產(chǎn)品減少了近25%，整體尺寸僅為8.0×9.5×0.6mm，極大減少了存儲(chǔ)設(shè)備及內(nèi)存組件的占用空間，使智能穿戴設(shè)備更為輕薄化。目前，時(shí)創(chuàng)意ePOP已成功應(yīng)用于AI眼鏡領(lǐng)域。

圖片來(lái)源：時(shí)創(chuàng)意

稍早之前的2月，江波龍推出0.6mm超薄ePOP4x，實(shí)現(xiàn)了更精簡(jiǎn)的穿戴物理布局。與標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)方案相比，ePOP4x采用了創(chuàng)新的封裝技術(shù)和高度集成設(shè)計(jì)。其最大厚度僅為0.6mm（max），有效提高智能穿戴設(shè)備的輕薄化、高性能化水平，據(jù)悉已通過(guò)高通等廠商認(rèn)證，適配多款消費(fèi)級(jí)AR眼鏡的存儲(chǔ)需求。此外，有媒體報(bào)道，XREAL One AR眼鏡采用內(nèi)置存儲(chǔ)方案，搭載了江波龍超小尺寸eMMC存儲(chǔ)芯片。

03、三代半革新：AR眼鏡輕量化與高畫質(zhì)突破

傳統(tǒng)硅基器件在功率密度、散熱和光學(xué)性能方面已接近瓶頸，而以碳化硅為代表的#第三代半導(dǎo)體 憑借其獨(dú)特的物理特性，為AR眼鏡的輕量化、高亮度、低功耗和高速通信提供了全新可能。

具體來(lái)看，碳化硅具備高折射率、輕質(zhì)高強(qiáng)、優(yōu)異散熱，能夠制造輕薄且不易變形的光學(xué)元件，突破傳統(tǒng)玻璃或塑料鏡片的重量與熱積累瓶頸。

首先，在波導(dǎo)設(shè)計(jì)中，材料的折射率決定了光的傳播模式及其效率，碳化硅高折射率的特點(diǎn)使其可在更小的波導(dǎo)中高效傳光，幫助AR眼鏡實(shí)現(xiàn)更薄、更輕的設(shè)計(jì)。

2025年以來(lái)，碳化硅光波導(dǎo)眼鏡市場(chǎng)上多家企業(yè)不斷突破推出新品，例如Meta的Orion、秋果的WigainOmnision、潮芒的CorayAir2、歌爾光學(xué)的碳化硅刻蝕全彩衍射光波導(dǎo)眼鏡、廣納四維的C45C碳化硅全彩刻蝕波導(dǎo)眼鏡以及光嶼高維的CorayAir2彩色智能AR眼鏡等。

在今年9月的光博會(huì)上，歌爾光學(xué)首次發(fā)布了碳化硅刻蝕全彩衍射光波導(dǎo)，該產(chǎn)品采用全貼合技術(shù)，厚度僅0.65mm，重量3.5g，在30°FOV可視范圍內(nèi)畫面顏色均勻且無(wú)彩虹紋，大幅提升佩戴舒適度與視覺(jué)體驗(yàn)。

圖片來(lái)源：歌爾光學(xué)

7月，成都光嶼高維旗下品牌Coray正式發(fā)布新一代旗艦產(chǎn)品CorayAir2彩色智能AR眼鏡，是全球首款采用刻蝕碳化硅波導(dǎo)+全彩MicroLED方案的消費(fèi)級(jí)AR設(shè)備，具有49克超輕機(jī)身和6000nits峰值亮度。

除高折射率外，碳化硅輕質(zhì)高強(qiáng)，在相同體積下比玻璃更輕且更耐劃傷，這使得它在保持良好性能的同時(shí)，可以被加工成更薄的鏡片。

今年8月，西湖大學(xué)與慕德微納宣布，采用碳化硅（SiC）材料成功研發(fā)出超輕、超薄的衍射光波導(dǎo)，單片重量?jī)H2.7克，厚度僅0.55毫米，相比傳統(tǒng)AR鏡片大大減輕了重量和厚度，提升了佩戴的舒適性。

此外，在產(chǎn)業(yè)合作層面，第三代半導(dǎo)體企業(yè)正與光學(xué)公司加速聯(lián)手，搶占AR眼鏡賽道的增長(zhǎng)紅利。

7月14日，天岳先進(jìn)與舜宇?yuàn)W來(lái)正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將聚焦碳化硅光波導(dǎo)鏡片領(lǐng)域展開(kāi)深度合作。天岳先進(jìn)是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的SiC襯底供應(yīng)商，舜宇?yuàn)W來(lái)則在光學(xué)鏡片及微結(jié)構(gòu)加工方面具備深厚技術(shù)積累。

圖片來(lái)源：天岳先進(jìn)

6月16日，中電化合物與甬江實(shí)驗(yàn)室簽署了戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，雙方將圍繞AR眼鏡用SiC光學(xué)晶片開(kāi)展聯(lián)合研發(fā)。中電化合物是國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體材料的龍頭企業(yè)，甬江實(shí)驗(yàn)室在新型顯示、光學(xué)器件及AR/VR技術(shù)方面擁有豐富的科研實(shí)力。

04、結(jié) 語(yǔ)

近眼顯示技術(shù)的消費(fèi)級(jí)滲透，正推動(dòng)#AR眼鏡 從單一設(shè)備向 “空間計(jì)算終端” 進(jìn)化，而這一進(jìn)化離不開(kāi)核心部件與關(guān)鍵材料的雙重賦能。存儲(chǔ)技術(shù)以高密度、低功耗、快讀寫的特性，筑牢了AR眼鏡本地運(yùn)算與內(nèi)容承載的基礎(chǔ)；第三代半導(dǎo)體則憑借高折射率、輕質(zhì)高強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，破解了設(shè)備輕量化與顯示畫質(zhì)的核心矛盾，成為AR眼鏡從 “可用” 向 “好用” 跨越的關(guān)鍵。

未來(lái)，隨著存儲(chǔ)技術(shù)向更高集成度、更低功耗迭代，以及碳化硅等三代半材料在光學(xué)應(yīng)用中進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)成本下探與技術(shù)成熟，AR眼鏡將在工業(yè)、醫(yī)療、消費(fèi)娛樂(lè)等場(chǎng)景中實(shí)現(xiàn)更深度的落地。同時(shí)，產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的協(xié)同創(chuàng)新 —— 從材料企業(yè)與光學(xué)廠商的技術(shù)聯(lián)手，到終端品牌與核心部件供應(yīng)商的深度綁定，將持續(xù)推動(dòng)AR眼鏡行業(yè)突破體驗(yàn)瓶頸、擴(kuò)大市場(chǎng)滲透率，最終開(kāi)啟人機(jī)交互的全新篇章。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來(lái)源：國(guó)博電子公告截圖

國(guó)博電子表示，公司與國(guó)內(nèi)頭部終端廠商共同研發(fā)的硅基氮化鎵功放芯片，針對(duì)手機(jī)等終端應(yīng)用進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化，填補(bǔ)了業(yè)內(nèi)硅基氮化鎵功放終端射頻應(yīng)用的空白。新產(chǎn)品攻克了硅基氮化鎵外延的晶格缺陷比例高的材料難題，充分發(fā)揮了新型三代半導(dǎo)體材料的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，在兼顧功率、效率、帶寬等指標(biāo)的前提下，實(shí)現(xiàn)了對(duì)傳統(tǒng)砷化鎵功放的性能提升，并突破了硅基氮化鎵功放芯片的量產(chǎn)技術(shù)，在業(yè)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)了硅基氮化鎵功放芯片在終端射頻領(lǐng)域的量產(chǎn)交付。

此外，新產(chǎn)品具備高功率、高效率、高寬帶特性，可為客戶進(jìn)一步降低能耗，降低系統(tǒng)鏈路設(shè)計(jì)的復(fù)雜度，助力客戶進(jìn)一步提升手機(jī)等終端的數(shù)據(jù)傳輸速率、降低工作能耗。

國(guó)博電子預(yù)計(jì)公司新產(chǎn)品將持續(xù)對(duì)現(xiàn)有砷化鎵終端功放產(chǎn)品形成替代，并有望在終端射頻功放領(lǐng)域全頻段、全場(chǎng)景推廣應(yīng)用，該產(chǎn)品系列有望為公司營(yíng)收提供第二增長(zhǎng)曲線。

資料顯示，國(guó)博電子成立于2000年，主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品覆蓋防務(wù)與民用領(lǐng)域。在防務(wù)領(lǐng)域，為陸、海、空、天等各型裝備配套關(guān)鍵產(chǎn)品；在民用領(lǐng)域，是基站射頻器件核心供應(yīng)商，產(chǎn)品性能達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平。

10月30日，國(guó)博電子公布最新財(cái)報(bào)，數(shù)據(jù)顯示，2025年三季度，國(guó)博電子實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入15.69億元，當(dāng)期凈利潤(rùn)為2.47億元，其中，T/R 組件和射頻模塊收入9.44億元，占比88.19%；射頻芯片收入9086.8萬(wàn)元，占比8.49%。

射頻企業(yè)錨定氮化鎵，競(jìng)逐新賽道

射頻企業(yè)布局氮化鎵（GaN）領(lǐng)域具有諸多優(yōu)勢(shì)。一方面，射頻企業(yè)本身具備射頻設(shè)計(jì)、電路優(yōu)化等全鏈條經(jīng)驗(yàn)，能降低氮化鎵研發(fā)門檻，加速量產(chǎn)轉(zhuǎn)化；同時(shí)，氮化鎵的高頻、高功率等特性，可精準(zhǔn)匹配5G、毫米波通信等場(chǎng)景需求，與射頻企業(yè)技術(shù)升級(jí)方向高度契合。此外，從市場(chǎng)看，5G、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域催生大量氮化鎵器件需求，射頻企業(yè)布局可搶占新市場(chǎng)，構(gòu)建第二增長(zhǎng)曲線。

除國(guó)博電子外，行業(yè)內(nèi)還有銳石創(chuàng)芯、銳捷創(chuàng)芯、慧智微、卓勝微、昂瑞微、唯捷創(chuàng)芯、紫光展銳等多家射頻企業(yè)在氮化鎵前端模塊、功率放大器等方向持續(xù)技術(shù)攻堅(jiān)。

例如，銳石創(chuàng)芯聚焦氮化鎵射頻前端模塊開(kāi)發(fā)，采用低溫共燒陶瓷（LTCC）封裝技術(shù)，將功率放大器模塊尺寸縮小50%，顯著提升散熱效率，其產(chǎn)品在專網(wǎng)通信、衛(wèi)星載荷等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定供貨，成為細(xì)分市場(chǎng)的重要參與者。

中瓷電子原是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的電子陶瓷供應(yīng)商，2023年通過(guò)資產(chǎn)重組，收購(gòu)了河北博威集成電路有限公司和北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司的部分股權(quán)，新增了氮化鎵通信基站射頻芯片與器件等業(yè)務(wù)，構(gòu)建了氮化鎵通信基站射頻芯片的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來(lái)源：前海產(chǎn)發(fā)集團(tuán)

這一舉措成為夢(mèng)工場(chǎng)與企業(yè)深度共建、協(xié)同賦能前?？苿?chuàng)生態(tài)的核心亮點(diǎn)，也為深港半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展注入新動(dòng)能。

前海深港青年夢(mèng)工場(chǎng)是深圳市前海管理局打造的面向香港青年、香港企業(yè)、具有國(guó)際影響力的新質(zhì)生產(chǎn)力創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)平臺(tái)，由前海管理局、香港青年協(xié)會(huì)、深圳市青年聯(lián)合會(huì)共同發(fā)起成立2014年12月7日正式運(yùn)營(yíng)。

資料顯示，大乙半導(dǎo)體科技有限公司由全球知名材料科學(xué)家、香港大學(xué)機(jī)械工程系主任黃明欣教授（香港工程院院士、長(zhǎng)江學(xué)者、國(guó)家杰青、科學(xué)探索獎(jiǎng)得主）帶領(lǐng)科研團(tuán)隊(duì)發(fā)起。

據(jù)了解，大乙半導(dǎo)體成功開(kāi)發(fā)出全球獨(dú)有的固態(tài)銅燒結(jié)技術(shù)，破解了新能源領(lǐng)域特別是電動(dòng)車長(zhǎng)里程、高壓快充帶來(lái)的大功率半導(dǎo)體熱管理難題。

這一突破性技術(shù)讓大乙成為全球少數(shù)在芯片頂部覆蓋超薄銅領(lǐng)域具備自主技術(shù)能力的企業(yè)，其產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、AI服務(wù)器、風(fēng)光儲(chǔ)、低空經(jīng)濟(jì)、機(jī)器人等多元場(chǎng)景，為高功率設(shè)備提供可靠散熱支持，也為雙方共建的創(chuàng)新服務(wù)中心積累了核心技術(shù)資源。

深圳：打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地

從2019年起，深圳開(kāi)始集中發(fā)力培育第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，目前實(shí)現(xiàn)了從材料、設(shè)備、器件到應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室作為國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)的運(yùn)營(yíng)主體，在第三代半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)方面取得了多項(xiàng)突破。

在襯底加工工藝上，率先實(shí)現(xiàn)碳化硅激光剝離技術(shù)和效率突破，實(shí)現(xiàn)8吋單片總損耗＜75um，切割時(shí)間≤20min，成本降低26%，整體性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。在碳化硅外延技術(shù)方面，突破了200um超厚膜缺陷控制、少子壽命提升難題，超厚膜外延達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

企業(yè)方面，深圳的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域涌現(xiàn)出重投天科、基本半導(dǎo)體、方正微電子等一批核心代表企業(yè)，覆蓋襯底材料、芯片設(shè)計(jì)、器件制造等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，成為產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定運(yùn)行的重要支撐。

其中，方正微電子成立于2003年，是中國(guó)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域領(lǐng)先的IDM企業(yè)。公司主要從事SiC晶圓、器件、模組的研發(fā)、生產(chǎn)制造與銷售，為新能源汽車、光儲(chǔ)充、UPS、工業(yè)電源等眾多領(lǐng)域提供高質(zhì)量的SiC解決方案與服務(wù)，其高質(zhì)量車規(guī)SiC MOS已大規(guī)模應(yīng)用于新能源乘用車主驅(qū)。

重投天科由北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司和深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團(tuán)有限公司兩家企業(yè)為主要股東合資成立，聚焦于碳化硅襯底和外延的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是深圳第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的重要企業(yè)，為深圳市新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等重點(diǎn)領(lǐng)域的原材料穩(wěn)定供應(yīng)提供了支撐。

基本半導(dǎo)體掌握了碳化硅芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵技術(shù)，完成了自主可控的IDM產(chǎn)業(yè)鏈布局，其自主研發(fā)的碳化硅二極管、MOSFET、車規(guī)級(jí)功率模塊已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)交付，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來(lái)源：木壘零距離

公開(kāi)資料顯示，該項(xiàng)目于2025年2月簽約，4月開(kāi)工?？偼顿Y4.7億元，占地60畝。項(xiàng)目采用國(guó)際領(lǐng)先的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，具備高效環(huán)保、成本低、可生產(chǎn)大尺寸產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)，能實(shí)現(xiàn)高純度金剛石單晶的規(guī)?；慨a(chǎn)，產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水準(zhǔn)。

據(jù)現(xiàn)場(chǎng)負(fù)責(zé)人介紹，項(xiàng)目產(chǎn)品將應(yīng)用于高精度機(jī)械加工工具、半導(dǎo)體、航空航天光學(xué)窗口等尖端領(lǐng)域。項(xiàng)目建成后，不僅可填補(bǔ)區(qū)域產(chǎn)業(yè)空白，更有望提升我國(guó)在人造金剛石領(lǐng)域的技術(shù)水平和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。

人造金剛石是一種#超寬帶隙半導(dǎo)體，具有超高載流子遷移率、熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)和超高擊穿電壓等優(yōu)勢(shì)。這些特性使得基于人造金剛石的半導(dǎo)體器件有望在高頻、大功率和高溫高壓以及極端環(huán)境中運(yùn)行，能滿足5G甚至6G網(wǎng)絡(luò)、大功率高頻電氣設(shè)備等對(duì)半導(dǎo)體材料的高端需求。

此外，半導(dǎo)體材料的性能直接決定了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平，自人造金剛石問(wèn)世以來(lái)，憑借其卓越的半導(dǎo)體特性，被譽(yù)為 “終極半導(dǎo)體”。它通過(guò)摻雜等方式可呈現(xiàn)n型導(dǎo)電和p型導(dǎo)電，綜合性能遠(yuǎn)超GaAs、GaN和SiC等材料，是未來(lái)最有前景的（超）寬禁帶半導(dǎo)體材料，有望推動(dòng)半導(dǎo)體材料的升級(jí)換代。

相較于傳統(tǒng)#硅基半導(dǎo)體，金剛石器件所需晶圓面積更小，成本更低。在一些特定的高功率、高頻、高溫、高輻射、紫外光探測(cè)和高精度傳感器應(yīng)用中，人造金剛石的獨(dú)特物理和化學(xué)特性使其能夠提供更優(yōu)的解決方案。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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