文章分類： 碳化硅SiC

聚焦碳化硅核心材料，三孚股份關(guān)鍵項(xiàng)目驗(yàn)收

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 05 日 15:38 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，唐山三孚硅業(yè)股份有限公司（簡(jiǎn)稱“三孚股份”）發(fā)布公告披露，其全資子公司唐山三孚電子材料有限公司新建的“正硅酸乙酯充裝及儲(chǔ)存項(xiàng)目”已正式通過(guò)驗(yàn)收并取得相關(guān)批復(fù)許可，標(biāo)志著公司8000噸/年高純正硅酸乙酯的生產(chǎn)及充裝能力全面落地，為半導(dǎo)體關(guān)鍵輔材國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程再添助力。 圖片來(lái)源...  [詳內(nèi)文]

比亞迪公開(kāi)新款1500V碳化硅功率模塊規(guī)格書(shū)

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 05 日 15:34 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，比亞迪半導(dǎo)體對(duì)外發(fā)布碳化硅（SiC）功率模塊BME1400B15JE34U5N的完整規(guī)格書(shū)，這意味著這款此前僅用于自研車型的核心部件，如今已具備批量對(duì)外供貨能力。 圖片來(lái)源：比亞迪半導(dǎo)體規(guī)格書(shū)截圖 該模塊為比亞迪超級(jí)e平臺(tái)千伏高壓架構(gòu)配套部件，基于#第三代半導(dǎo)體 材料研發(fā)...  [詳內(nèi)文]

總投資30億元，12英寸硅基晶圓襯底項(xiàng)目正式簽約

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 04 日 15:34 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，總投資30億元的集成電路級(jí)12英寸硅基晶圓襯底材料研發(fā)中心及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目投資簽約活動(dòng)舉行，該項(xiàng)目正式落地麒麟科創(chuàng)園，將為區(qū)域半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供支撐，助力提升我國(guó)關(guān)鍵半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化水平。 據(jù)悉，此次落地項(xiàng)目由江蘇卓航致遠(yuǎn)科技有限公司主導(dǎo)建設(shè)，該公司由江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司全資...  [詳內(nèi)文]

這家廠商發(fā)布高純度P型SiC襯底，賦能IGBT產(chǎn)業(yè)升級(jí)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 31 日 17:23 |
| 分類: 碳化硅SiC
近期，江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱超芯星）正式在全球同步發(fā)布High Purity P-type SiC（高純度P型碳化硅）襯底。 圖片來(lái)源：超芯星 資料顯示，P型碳化硅襯底是制備超高壓IGBT的核心基礎(chǔ)材料。長(zhǎng)期以來(lái)，全球P型碳化硅襯底行業(yè)始終被一個(gè)致命痛點(diǎn)困擾——Fe...  [詳內(nèi)文]

這家設(shè)備廠實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅單晶爐小批量發(fā)貨

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 30 日 15:09 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
2025年12月，晶升股份在碳化硅單晶爐領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步：公司自主研發(fā)的12英寸碳化硅單晶爐已于12月29日完成小批量發(fā)貨，正式交付客戶投入應(yīng)用。這一進(jìn)展不僅填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)300mm SiC長(zhǎng)晶設(shè)備的空白，也為12英寸碳化硅襯底在先進(jìn)封裝、AR眼鏡等新興場(chǎng)景的落地奠定了“材料之基”。...  [詳內(nèi)文]

這家公司水導(dǎo)激光技術(shù)成功實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅晶錠一次性高效精密加工

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 29 日 15:53 |
| 分類: 碳化硅SiC
近期，晟光硅研成功應(yīng)用水導(dǎo)激光加工技術(shù)，對(duì)12英寸超大尺寸碳化硅晶錠實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量、高效率的精密加工，具備應(yīng)對(duì)超厚材料能力強(qiáng)、加工質(zhì)量卓越、適用于大尺寸工件、環(huán)保與高效等特點(diǎn)，未來(lái)有望提升襯底制備能力、降低綜合成本，為我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主可控與高質(zhì)量發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)能。 圖片...  [詳內(nèi)文]

晶盛機(jī)電12英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備順利交付

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 26 日 16:38 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，晶盛機(jī)電在碳化硅（SiC）核心裝備領(lǐng)域取得重大突破，12英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備順利交付全球頭部SiC外延晶片生產(chǎn)商#瀚天天成。 新設(shè)備采用獨(dú)創(chuàng)“垂直分流進(jìn)氣”結(jié)構(gòu)，可在同一平臺(tái)兼容8/12英寸工藝，實(shí)現(xiàn)晶圓表面溫度≤±0.5℃的高精度閉環(huán)控制、工藝氣體多區(qū)獨(dú)立控制、全...  [詳內(nèi)文]

產(chǎn)學(xué)簽約！聯(lián)合攻關(guān)8英寸液相法SiC制備

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 26 日 16:33 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，常州臻晶半導(dǎo)體有限公司與南昌大學(xué)國(guó)際材料創(chuàng)新研究院正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將聚焦“8英寸厚SiC單晶的低成本制備”這一產(chǎn)業(yè)核心課題，依托臻晶半導(dǎo)體自主研發(fā)的液相法碳化硅長(zhǎng)晶爐及全套工藝技術(shù)支持，開(kāi)展深度聯(lián)合攻關(guān)。 圖片來(lái)源：江西省公共資源交易平臺(tái)截圖 臻晶半導(dǎo)體成立于2...  [詳內(nèi)文]

7.5億+20億，安徽兩大碳化硅相關(guān)項(xiàng)目開(kāi)工/投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 26 日 16:27 |
| 分類: 碳化硅SiC
12月26日，安徽半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一日連傳兩大捷報(bào)：合肥高新區(qū)，總投資7.5億元的“四象半導(dǎo)體部件總部基地”破土動(dòng)工。向北400公里的穆棱，北一半導(dǎo)體20億元的三期項(xiàng)目宣布投產(chǎn)。 總投資7.5億！一半導(dǎo)體部件總部生產(chǎn)基地項(xiàng)目在皖開(kāi)工 近日，四象半導(dǎo)體部件總部生產(chǎn)基地項(xiàng)目在高新區(qū)正式開(kāi)工...  [詳內(nèi)文]

全球首發(fā)！瀚天天成12英寸SiC外延晶片正式發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 24 日 16:27 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，瀚天天成全球首發(fā)12英寸碳化硅外延晶片。 作為寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，SiC外延晶片是制造高壓、高溫、高頻功率器件的關(guān)鍵基礎(chǔ)，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、軌道交通、航空航天等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。 隨著下游行業(yè)對(duì)器件性能、能效要求的不斷提升，大尺寸SiC外延晶片成為產(chǎn)業(yè)升級(jí)的...  [詳內(nèi)文]