文章分類： 企業(yè)

強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，雙巨頭碳化硅合作+1

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 28 日 17:06 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
7月24日，安森美（onsemi）在官網(wǎng)宣布與舍弗勒擴(kuò)大合作，雙方簽署了一項(xiàng)新的設(shè)計(jì)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，安森美的下一代EliteSiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線將為舍弗勒的牽引逆變器提供動(dòng)力，該逆變器將應(yīng)用于某全球領(lǐng)先汽車制造商的高端插電式混合動(dòng)力汽車（PHEV）平臺(tái)。 圖片來(lái)源：安...  [詳內(nèi)文]

100億！重慶12英寸晶圓廠擴(kuò)充產(chǎn)能

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 28 日 15:42 |
| 分類: 企業(yè)
7月25日，新微集團(tuán)正式宣布，其完成對(duì)重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司的戰(zhàn)略收購(gòu)，并計(jì)劃分步啟動(dòng)百億增資計(jì)劃。 圖片來(lái)源：新微科技集團(tuán) 重慶萬(wàn)國(guó)成立于2016年，由中國(guó)及兩江新區(qū)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)基金與美國(guó)功率半導(dǎo)體巨頭AOS共同出資設(shè)立，是中國(guó)首家、全球第二家12英寸功率半導(dǎo)體芯片制造...  [詳內(nèi)文]

山西國(guó)科完成A輪億元融資，加速引領(lǐng)Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 25 日 15:09 |
| 分類: 企業(yè)
今年7月，山西國(guó)科半導(dǎo)體光電有限公司（以下簡(jiǎn)稱“山西國(guó)科”）完成A輪億元融資，由太行基金、山證投資、騰飛資本、首業(yè)資本、上海彧好等聯(lián)合投資。 山西國(guó)科表示，此次融資將推動(dòng)公司實(shí)現(xiàn)”研發(fā)—生產(chǎn)—市場(chǎng)”的良性循環(huán)，加速光電半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。 資料顯示，山西...  [詳內(nèi)文]

華為海思進(jìn)軍碳化硅領(lǐng)域，兩款工規(guī)SiC器件發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 25 日 15:03 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，華為旗下海思技術(shù)有限公司正式進(jìn)軍碳化硅功率器件領(lǐng)域，推出了兩款1200V工規(guī)SiC單管產(chǎn)品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M1T4，專門面向工業(yè)高溫、高壓場(chǎng)景場(chǎng)景。 圖片來(lái)源：海思官網(wǎng)截圖 海思此次推出的兩款1200V SiC單管均采用TO-247-...  [詳內(nèi)文]

兩家企業(yè)同步攻破，12英寸SiC襯底入局新玩家！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 24 日 13:51 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
7月23日，浙江晶越半導(dǎo)體有限公司宣布已成功研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠，這標(biāo)志晶越成功進(jìn)入12英寸SiC襯底梯隊(duì)。 圖片來(lái)源：浙江晶越半導(dǎo)體有限公司 2025年上半年，晶越半導(dǎo)體已經(jīng)成功量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底，后續(xù)持續(xù)投入并不斷加大研發(fā)力度，并在熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、籽晶粘接、厚度提升以...  [詳內(nèi)文]

1.02億，碳化硅領(lǐng)域再現(xiàn)重大并購(gòu)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 23 日 16:13 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
7月22日，蘇州珂瑪材料科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱“珂瑪科技”）發(fā)布公告，擬以現(xiàn)金人民幣1.02 億元收購(gòu)蘇州鎧欣半導(dǎo)體科技有限公司（簡(jiǎn)稱“蘇州鎧欣”）73.00%的股權(quán)。本次交易完成后，公司將直接持有蘇州鎧欣73.00%的股權(quán)，并成為蘇州鎧欣的控股股東。這一舉措旨在進(jìn)一步完善珂瑪科...  [詳內(nèi)文]

天域半導(dǎo)體再次遞交港股上市申請(qǐng)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 23 日 16:09 |
| 分類: 企業(yè)
中國(guó)碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“天域半導(dǎo)體”）已于7月22日再次向香港聯(lián)合交易所提交上市申請(qǐng)。據(jù)悉，此前6月13日，天域半導(dǎo)體已獲港股上市備案通知書(shū)，允許發(fā)行不超過(guò)46,408,650股普通股，并于港交所上市。 圖片來(lái)源：天域半導(dǎo)體上市...  [詳內(nèi)文]

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率廠商中晶微電再獲融資

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 22 日 15:03 |
| 分類: 企業(yè) , 功率
近期，中晶微電（上海）半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中晶微電）再獲融資，此次投資人為常州創(chuàng)星聚能投資合伙企業(yè)（有限合伙）（以下簡(jiǎn)稱“創(chuàng)星聚能”）。 自成立以來(lái)，中晶微電已完成三輪融資。2024年2月，該公司完成天使輪融資，由上海芯璉領(lǐng)投。上海芯璉關(guān)聯(lián)上市公司芯聯(lián)集成。 2024年4月...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵x機(jī)器人，中科半導(dǎo)體發(fā)布新品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 22 日 15:01 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
7月21日，中科半導(dǎo)體宣布正式發(fā)布氮化鎵機(jī)器人智能快充芯片。 據(jù)了解，本次發(fā)布的氮化鎵（GaN）ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007與CT-1901）四個(gè)型號(hào)，通過(guò)“氮化鎵ASIC芯片+GaN功率管”集成的差異設(shè)計(jì)，是為機(jī)器人定制化的快充專用芯片...  [詳內(nèi)文]

碳化硅領(lǐng)域新增兩起合作！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 22 日 14:49 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
在新能源汽車、智能電網(wǎng)與5G通信等驅(qū)動(dòng)下，碳化硅如火如荼發(fā)展，產(chǎn)業(yè)“抱團(tuán)”合作屢見(jiàn)不鮮。近期，業(yè)內(nèi)再增兩起合作。 瞻芯電子與中導(dǎo)光電達(dá)成戰(zhàn)略合作 近期，中導(dǎo)光電設(shè)備股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中導(dǎo)光電”）與浙江瞻芯電子科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“瞻芯電子”）正式宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。...  [詳內(nèi)文]