據(jù)悉，本屆IEDM上，小米集團手機部與蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、香港科技大學(xué)合作的論文成功入選，率先報道了應(yīng)用于移動終端的高效率低壓硅基氮化鎵射頻功率放大器，并在GaN and III-V Integration for Next-Generation RF Devices分會場首個亮相。

小米技術(shù)官方微信表示，此次入選標(biāo)志著氮化鎵高電子遷移率晶體管技術(shù)在移動終端通信領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)歷史性突破，并獲得國際頂尖學(xué)術(shù)平臺的高度認(rèn)可。

1、研究背景

小米指出，在當(dāng)前移動通信技術(shù)從5G/5G-Advanced向6G演進(jìn)的關(guān)鍵階段，手機射頻前端器件正持續(xù)面臨超高效率、超寬帶、超薄化與小型化的多重技術(shù)挑戰(zhàn)。以氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其高臨界擊穿電場與優(yōu)異的熱導(dǎo)性能，被視為突破當(dāng)前射頻功放性能瓶頸的重要技術(shù)方向之一。

傳統(tǒng)GaN器件主要面向通信基站設(shè)計，通常需在28V/48V的高壓下工作，無法與手機終端現(xiàn)有的低壓供電系統(tǒng)相兼容，這成為其在移動設(shè)備中規(guī)?；瘧?yīng)用的關(guān)鍵障礙。

為攻克這一難題，研究團隊聚焦于硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術(shù)路線，通過電路設(shè)計與半導(dǎo)體工藝的協(xié)同創(chuàng)新，成功開發(fā)出面向手機低壓應(yīng)用場景的射頻氮化鎵高遷移率電子晶體管（GaN HEMT）技術(shù)，并率先在手機平臺上完成了系統(tǒng)級性能驗證，為6G時代終端射頻架構(gòu)的演進(jìn)奠定了關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)。

2、研究方法和實驗

在外延結(jié)構(gòu)方面，本研究重點圍繞降低射頻損耗與優(yōu)化歐姆接觸兩大關(guān)鍵問題展開技術(shù)攻關(guān)。

一方面，通過實施原位襯底表面預(yù)處理，并結(jié)合熱預(yù)算精確調(diào)控的 AlN成核層工藝，顯著抑制了Si基GaN外延中的界面反應(yīng)與晶體缺陷，有效降低了射頻信號傳輸過程中的襯底耦合損耗與緩沖層泄漏，使其射頻性能逼近當(dāng)前先進(jìn)的SiC基GaN器件水平。

另一方面，通過開發(fā)高質(zhì)量再生長歐姆接觸新工藝，在降低界面勢壘與提升載流子注入效率方面取得突破，實現(xiàn)了極低的接觸電阻與均勻一致的方塊電阻，為提升器件跨導(dǎo)、輸出功率及高溫穩(wěn)定性奠定了工藝基礎(chǔ)。

圖片來源：小米技術(shù)

得益于外延設(shè)計優(yōu)化與工藝創(chuàng)新，該#晶體管 能夠在10V工作電壓下，實現(xiàn)了功率附加效率突破80%、輸出功率密度達(dá)2.84W/mm的卓越性能。

圖片來源：小米技術(shù)

結(jié)合手機終端產(chǎn)品的器件需求定義，我們進(jìn)一步制定了器件的具體實現(xiàn)方案。該方案針對耗盡型高電子遷移率晶體管（D-Mode HEMT）的常開特性，設(shè)計了專用的柵極負(fù)壓供電架構(gòu)，通過精確的負(fù)壓偏置與緩啟動電路，確保器件在開關(guān)過程中保持穩(wěn)定可靠，有效規(guī)避誤開啟與擊穿風(fēng)險。

在模組集成層面，通過多芯片協(xié)同設(shè)計與封裝技術(shù)，實現(xiàn)了GaN HEMT工藝的功放芯片與Si CMOS工藝的電源管理芯片在模組內(nèi)進(jìn)行高密度封裝集成。最終，該器件在手機射頻前端系統(tǒng)中完成了關(guān)鍵性能指標(biāo)的全面驗證，為低壓氮化鎵技術(shù)在下一代移動通信終端中的應(yīng)用提供重要參考。

3、結(jié)語
小米認(rèn)為，相較于傳統(tǒng)的GaAs基功率放大器，在保持相當(dāng)線度性的同時，研究團隊開發(fā)的低壓氮化鎵功放展現(xiàn)出顯著的性能優(yōu)勢。最終，該器件實現(xiàn)了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同時兼顧通信系統(tǒng)的線性度和功率等級要求，在系統(tǒng)級指標(biāo)上達(dá)成重要突破。

這一成果的實現(xiàn)，標(biāo)志著低壓硅基氮化鎵射頻技術(shù)從器件研發(fā)成功跨越至系統(tǒng)級應(yīng)用。這不僅從學(xué)術(shù)層面驗證了該技術(shù)的可行性，更在產(chǎn)業(yè)層面彰顯了其在新一代高效移動通信終端中的巨大潛力。小米將持續(xù)深化與產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同創(chuàng)新，推動該技術(shù)向更復(fù)雜的通信場景拓展，加速其在移動終端領(lǐng)域的規(guī)?；逃眠M(jìn)程。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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據(jù)了解，這是雙方自1994年以來的第9次合作，累計融資額達(dá)42億歐元，資金將專項支持意法半導(dǎo)體在意大利和法國的半導(dǎo)體研發(fā)與大規(guī)模制造項目。其中60%資金用于提升卡塔尼亞、阿格拉特等核心生產(chǎn)基地的制造能力，40%投入技術(shù)研發(fā)，整體契合歐盟綠色轉(zhuǎn)型與技術(shù)主權(quán)戰(zhàn)略目標(biāo)。

協(xié)議核心資助對象之一是#意法半導(dǎo)體 卡塔尼亞工廠，該基地是規(guī)劃中的碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈晶圓廠，集8英寸碳化硅功率器件制造、封裝、測試于一體。這座總投資50億歐元的工廠，此前已獲意大利政府20億歐元支持，此次10億歐元信貸將進(jìn)一步補充建設(shè)與產(chǎn)能爬坡資金，其全面落成后碳化硅晶圓年產(chǎn)能可達(dá)72萬片（1.5萬片/周），將大幅提升全球碳化硅供給能力。

另一方面，資金中的研發(fā)部分將重點攻克8英寸碳化硅產(chǎn)線遷移與工藝優(yōu)化難題。相較于當(dāng)前主流的6英寸晶圓，8英寸晶圓面積提升1.78倍，在襯底價格優(yōu)化后能顯著降低碳化硅芯片成本，是意法半導(dǎo)體應(yīng)對市場價格波動、強化競爭力的關(guān)鍵抓手。目前其與三安合資的重慶8英寸碳化硅工廠已進(jìn)入試生產(chǎn)階段，歐洲本土產(chǎn)線的推進(jìn)將形成雙基地布局，覆蓋汽車、數(shù)據(jù)中心等核心需求場景。

意法半導(dǎo)體判斷2026年碳化硅業(yè)務(wù)將進(jìn)入高速增長期，歐洲和中國的電動化項目、AI數(shù)據(jù)中心高功率解決方案將成為核心增長點。碳化硅器件在電動汽車主驅(qū)逆變器、車載充電器，以及全主動懸架逆變器等新場景中已實現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用，此次產(chǎn)能擴張正是為承接即將釋放的市場需求。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：英諾賽科

該系統(tǒng)采用#英諾賽科 650V高壓氮化鎵功率器件，創(chuàng)新整合車載充電器（OBC）與車載直流變換器（DC-DC）功能，形成二合一電源產(chǎn)品，核心性能指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平：整機功率密度提升30%至4.8kW/L，綜合效率較傳統(tǒng)硅基方案高出2%，整機重量降低20%，不僅解決了新能源汽車“輕量化、高效率”的核心訴求，還通過優(yōu)化設(shè)計為整車節(jié)省了車內(nèi)空間，提升了集成設(shè)計靈活性。

作為國內(nèi)新能源汽車動力系統(tǒng)獨立供應(yīng)商領(lǐng)軍企業(yè)，聯(lián)合動力聚焦電驅(qū)與電源系統(tǒng)研發(fā)，擁有豐富的車載部件集成經(jīng)驗和整車適配能力；英諾賽科則是全球氮化鎵工藝創(chuàng)新和功率器件制造的領(lǐng)導(dǎo)者，GaN工藝節(jié)點電壓范圍覆蓋15V至1200V。

聯(lián)合動力作為長安汽車的核心零部件供應(yīng)商，此前已在電驅(qū)系統(tǒng)、傳統(tǒng)硅基電源產(chǎn)品等領(lǐng)域建立長期合作關(guān)系。此次氮化鎵OBC裝車，是在原有合作基礎(chǔ)上的技術(shù)升級延伸——長安汽車提供量產(chǎn)車型的應(yīng)用場景、整車參數(shù)及驗證資源，聯(lián)合動力則結(jié)合英諾賽科的器件優(yōu)勢，定制化開發(fā)適配長安車型的電源系統(tǒng)。

01、氮化鎵OBC為何成為車企下一代核心選擇

車載充電機（On-Board Charger，簡稱OBC）是新能源汽車（純電、插混）三電系統(tǒng)的核心組成部分，屬于車輛的 “內(nèi)置大功率智能充電核心”，是連接電網(wǎng)與車載動力電池的關(guān)鍵樞紐。

OBC的功率決定了車輛通過交流充電樁（如家用或公共慢充樁）充電的效率。例如，6.6kW OBC在220V電壓下可實現(xiàn)約30A的電流輸入，而11kW OBC則能提供更高的充電速度（需配套更高電壓或電流的充電樁）。注：國內(nèi)車企幾乎清一色地把OBC限制在6.6kW（因此沒有必要購買11kW交流充電樁）了。

OBC的核心功能圍繞 “安全、高效充電” 展開，主要包括將電網(wǎng)交流電轉(zhuǎn)換為電池可用的直流電；與BMS（電池管理系統(tǒng)）協(xié)同工作，確保充電安全；支持多種充電協(xié)議（如GB/T、IEC 62196等）。

OBC在電動汽車（EV）的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用，其性能將影響充電時間和電池壽命。車載充電機（OBC）需要在效率、可靠性、緊湊性和成本效益之間取得平衡。將氮化鎵（GaN）技術(shù)集成到車載充電機設(shè)計中，將能實現(xiàn)更小的體積、更高的效率和更大的功率密度。

效率更高：氮化鎵開關(guān)速度極快，幾乎無反向恢復(fù)損耗，適合高頻工作場景，使得車載充電系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率大幅提升，不僅能縮短充電時間，還能減少行駛中的能源消耗，間接提升整車?yán)m(xù)航里程。

體積更?。旱壍母哳l特性可大幅縮小相關(guān)元件體積，結(jié)合集成化設(shè)計能進(jìn)一步精簡系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，讓電源產(chǎn)品更小巧輕便，既節(jié)省車內(nèi)空間，又契合新能源汽車“輕量化”的發(fā)展趨勢。

可靠性更強：經(jīng)車規(guī)級認(rèn)證的氮化鎵器件，可適應(yīng)寬溫度范圍工作，抗震動、抗電磁干擾能力滿足汽車行業(yè)最高標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)過長期可靠性測試，在各類嚴(yán)苛條件下仍能保持穩(wěn)定性能，解決了早期半導(dǎo)體材料“實驗室性能優(yōu)異、裝車可靠性不足”的痛點。

成本更具潛力：隨著相關(guān)企業(yè)規(guī)模化量產(chǎn)推進(jìn)，器件良率持續(xù)提升，單位成本正快速下降，未來有望與中高端硅基方案持平，成為車企兼顧性能與成本的最優(yōu)解。

02、行業(yè)密集跟進(jìn)，氮化鎵OBC量產(chǎn)加速落地

除上述事件外，隨著氮化鎵技術(shù)在效率、體積、可靠性等方面的優(yōu)勢持續(xù)凸顯，越來越多車企與Tier1廠商加速布局，推動氮化鎵OBC從技術(shù)驗證走向規(guī)?；慨a(chǎn)。

2024年10月，長安汽車正式發(fā)布了全球首個基于氮化鎵（GaN）的商用車載充電器技術(shù)平臺，并將該平臺應(yīng)用于當(dāng)時即將量產(chǎn)的長安啟源?E07車型。平臺采用納微半導(dǎo)體（Navitas）提供的GaN功率IC（GaNSafe系列），實現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的96%以上充電效率和約6?kW/L的體積功率密度，標(biāo)志著長安汽車在新能源汽車電源系統(tǒng)上實現(xiàn)了氮化鎵技術(shù)的首次量產(chǎn)裝車。

2025年初，陽光電動力推出6.6kW氮化鎵二合一OBC方案，其采用氮化鎵器件與創(chuàng)新單級拓?fù)浼軜?gòu)，取代傳統(tǒng)兩級式拓?fù)?，僅需一次隔離變換即可實現(xiàn)交直流雙向功率控制。該方案額定輸出功率6.6kW，全電壓充電效率達(dá)96.2%，峰值效率超98%，功率密度更是達(dá)到6.1kW/L，較傳統(tǒng)方案重量減輕25%以上，同時通過去除母線電解電容提升了使用壽命，可直接適配新能源車型的車載電源需求，屬于成熟的可落地裝車類氮化鎵OBC產(chǎn)品。

2025年8月，欣銳科技發(fā)布車載電源9代平臺“銳虎”，該平臺實現(xiàn)全行業(yè)首次基于雙向氮化鎵器件的單級矩陣變換器拓?fù)淞慨a(chǎn)技術(shù)。此平臺方案是與某頭部主機廠聯(lián)合攻關(guān)研發(fā)且經(jīng)多次測試驗證，具備多重安全架構(gòu)與超緊湊設(shè)計，適配全行業(yè)車型，兼容獨立與大集成產(chǎn)品形態(tài)。欣銳科技此前已為比亞迪、小鵬、理想等100多家主機廠供應(yīng)車載電源產(chǎn)品。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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01、科創(chuàng)新材：6000噸碳化硅復(fù)合材料生產(chǎn)線延期一年達(dá)產(chǎn)

12月9日，洛陽科創(chuàng)新材料股份有限公司（簡稱“科創(chuàng)新材”）公告稱，公司擬將募投項目“年產(chǎn)6000噸新能源電池材料用碳化硅復(fù)合材料生產(chǎn)線”延期一年達(dá)產(chǎn)。

圖片來源：科創(chuàng)新材公告截圖

這個募投項目并非單一生產(chǎn)線，而是包含兩部分，分別是年產(chǎn)4000噸碳化硅復(fù)合材料坩堝生產(chǎn)線（一期）和年產(chǎn)2000噸碳化硅復(fù)合材料匣體生產(chǎn)線（二期），調(diào)整前計劃在2025年底達(dá)成預(yù)定可使用狀態(tài)。

根據(jù)公告，截至2025年11月30日，該項目累計投入募集資金2953.65萬元，僅完成40.09%的投入進(jìn)度，還有超4600萬元募集資金待投用。

關(guān)于延期原因，#科創(chuàng)新材 表示，為適應(yīng)市場需求并控制風(fēng)險，項目采用分期實施的策略。目前，年產(chǎn)4000噸坩堝生產(chǎn)線作為第一期工程，正在建設(shè)中。

而年產(chǎn)2000噸匣體生產(chǎn)線（第二期）的建設(shè)進(jìn)度，則因產(chǎn)品市場原因暫緩。具體來說，下游客戶對該產(chǎn)品的批量采購需求尚未完全釋放，且市場總體容量仍存在不確定性。

科創(chuàng)新材將上述募投項目達(dá)產(chǎn)日期由2025年12月31日延期至2026年12月31日。

資料顯示，科創(chuàng)新材成立于2002年，2022年在北交所上市，是一家聚焦高溫功能型耐火材料領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)。公司產(chǎn)品分為傳統(tǒng)耐火材料和新能源碳化硅復(fù)合材料兩大核心類別。

02、浙江一碳化硅與氮化硅粉體小試開發(fā)項目獲公示

12月1日，浙江省投資項目在線審批監(jiān)管平臺發(fā)布了關(guān)于湖州微納臻芯新材料有限公司特種陶瓷原料碳化硅與氮化硅粉體小試開發(fā)項目的備案公示。

圖片來源：公示截圖

該項目總投資700萬元，租賃6000平方米閑置工業(yè)廠房，購置生長爐、高溫爐等研發(fā)設(shè)備，研發(fā)周期預(yù)計24個月，聚焦這兩種適配半導(dǎo)體等領(lǐng)域的特種陶瓷原料的制造工藝研發(fā)。

湖州微納臻芯新材料有限公司 成立于2025年，主營特種陶瓷制品、非金屬礦物制品、耐火材料的制造與銷售，同時開展新材料技術(shù)研發(fā)及相關(guān)技術(shù)推廣服務(wù)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

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12月11日消息，國際半導(dǎo)體大廠Wolfspeed與豐田公司達(dá)成合作，將碳化硅器件引入車載充電系統(tǒng)，為電動汽車的電氣化進(jìn)程再添強勁動力。與此同時，國內(nèi)三安光電與格力電器在車用級碳化硅產(chǎn)品領(lǐng)域也捷報頻傳，不斷推動碳化硅在電動汽車領(lǐng)域的深度應(yīng)用，一場圍繞碳化硅“上車”的產(chǎn)業(yè)變革正蓬勃興起。

Wolfspeed近日宣布與豐田公司 (Toyota) 達(dá)成合作，豐田公司將在其車載充電系統(tǒng)采用 Wolfspeed 車規(guī)級 MOSFET。Wolfspeed 的碳化硅器件將被集成到豐田公司的純電動汽車中，Wolfspeed 的供應(yīng)鏈和碳化硅制造布局，確保了豐田實現(xiàn)其電氣化目標(biāo)所需的穩(wěn)定性和連續(xù)性。

圖片來源：Wolfspeed官微稿件截圖

碳化硅作為高壓車載功率系統(tǒng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體的廣泛應(yīng)用，支持著汽車行業(yè)向清潔能源車輛的快速轉(zhuǎn)型。碳化硅以其為快速、高效、高功率密度的電動汽車動力總成系統(tǒng)賦能而聞名，其在車載輔助功率系統(tǒng)（如車載充電器）中的應(yīng)用也提供了諸多優(yōu)勢，能在車輛的整個生命周期內(nèi)提升電動汽車的整體擁有體驗。通過提供更高功率、更優(yōu)效率的功率系統(tǒng)，碳化硅能夠縮短車主的充電時間，并最大限度地減少車輛整體的能量損耗，從而提高續(xù)航里程并降低每次充電的成本。

Wolfspeed直接與OEM對接或通過一級(Tier 1)合作伙伴，支持一系列廣泛的電動汽車平臺，使其技術(shù)成為快速擴張的電動汽車生態(tài)系統(tǒng)的基本要素，進(jìn)一步加速了碳化硅在電動汽車領(lǐng)域的“上車”步伐。

而在國內(nèi)，碳化硅“上車”的熱潮同樣洶涌澎湃。稍早之前，國內(nèi)三安光電與格力電器車用級碳化硅產(chǎn)品也傳出新進(jìn)展。

格力電器透露，公司于2022年成立珠海格力電子元器件有限公司，全面負(fù)責(zé)第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)晶圓制造、功率器件封裝測試及半導(dǎo)體檢測服務(wù)。

目前，電子元器件公司已經(jīng)通過IATF16949車規(guī)級質(zhì)量體系認(rèn)證，并采用全自動化天車搬運系統(tǒng)為車規(guī)級產(chǎn)品提供了高一致性、可靠性保障；現(xiàn)在公司主要生產(chǎn)的650V及1200V電壓等級碳化硅肖特基二極管均已通過了AECQ101車規(guī)級可靠性認(rèn)證，滿足了上車應(yīng)用的基本要求；另一主要產(chǎn)品碳化硅MOSFET，650V/1200V產(chǎn)品的工藝平臺的部分產(chǎn)品也通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證。

三安光電全資子公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（以下簡稱“湖南三安”）近期在長沙舉行三安碳化硅芯片上車儀式，三安1200V 13mΩ SiC MOSFET 芯片成功搭載理想高壓平臺車型，驗證了其在性能、可靠性與批量交付能力上的市場認(rèn)可度。

在未來三至五年，三安將持續(xù)加大在車規(guī)級SiC MOSFET與GaN（氮化鎵）制造服務(wù)平臺領(lǐng)域的研發(fā)投入，全力加速8英寸產(chǎn)線的產(chǎn)能爬坡與良率提升，進(jìn)一步鞏固其在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的核心競爭優(yōu)勢。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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1、山西中電科第二代立式碳化硅涂層裝備工藝迭代升級

近日，電科裝備山西中電科公司自主研發(fā)的第二代立式碳化硅涂層裝備成功實現(xiàn)工藝技術(shù)迭代升級，裝爐量提升70%，涂層周期縮短33%。

研發(fā)團隊歷經(jīng)30余次工藝試驗與結(jié)構(gòu)設(shè)計優(yōu)化，成功攻克流場與溫場均勻性控制、涂層工藝匹配、減少副產(chǎn)物等技術(shù)難題。通過持續(xù)優(yōu)化工藝參數(shù)，在保障產(chǎn)品性能的前提下，較第一代立式碳化硅涂層裝備裝爐量提升70%。該裝備所生產(chǎn)的涂層產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)全面達(dá)標(biāo)，有效滿足市場多樣化、規(guī)?；枨蟆?/p>

圖片來源：電科裝備

后續(xù)，電科裝備山西中電科公司將繼續(xù)深耕半導(dǎo)體涂層裝備領(lǐng)域，持續(xù)提升自主創(chuàng)新與核心技術(shù)能力，助力公司高質(zhì)量發(fā)展。

2、捷佳偉創(chuàng)：半導(dǎo)體清洗設(shè)備、碳化硅高溫?zé)崽幚砉に囋O(shè)備都已出貨給客戶

12月2日，捷佳偉創(chuàng)在互動平臺表示，公司持續(xù)拓展半導(dǎo)體及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，目前公司的半導(dǎo)體清洗設(shè)備、碳化硅高溫?zé)崽幚砉に囋O(shè)備都已出貨給客戶，并且公司在持續(xù)研發(fā)其他半導(dǎo)體及泛半導(dǎo)體相關(guān)設(shè)備。

早在9月份，該公司就透露，其碳化硅高溫?zé)崽幚碓O(shè)備已發(fā)貨給“行業(yè)頭部客戶”，半導(dǎo)體清洗設(shè)備亦不斷獲得新訂單，顯示出公司在第三代半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的快速推進(jìn)和客戶認(rèn)可度。

業(yè)績層面，捷佳偉創(chuàng)延續(xù)“九連增”勢頭。該公司2025年前三季度營業(yè)收入131.06億元，同比增長6.17%；歸母凈利潤26.88億元，同比增長32.9%；毛利率29.07%、凈利率20.52%，同比分別提升1.27和4.13個百分點。

公司指出，利潤增長主要得益于前期大額在手訂單的持續(xù)驗收；短期收入增速放緩則與光伏行業(yè)擴產(chǎn)節(jié)奏減緩有關(guān)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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該項目由陜西電子信息集團投資建設(shè)，由旗下陜西電子芯業(yè)時代科技有限公司（簡稱“芯業(yè)時代”）運營，項目位于西安高新綜合保稅區(qū)，總建筑面積17.39萬平方米，由17棟單體組成，包括生產(chǎn)廠房、動力站、特氣站等配套設(shè)施。

圖片來源：陜西建工

該生產(chǎn)線總投資額45億元，截至目前已完成一期投資32億元，設(shè)計月產(chǎn)能5萬片晶圓，2026年將將擴展至10萬片。該產(chǎn)線聚焦工業(yè)級、車規(guī)級功率器件（如IGBT、碳化硅芯片等），將直接服務(wù)新能源汽車、風(fēng)光儲能、人工智能等國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，有效緩解高端芯片進(jìn)口依賴。

該項目進(jìn)展迅速，具體來看：

2024年5月啟動主廠房樁基施工;
2025年3月首臺工藝設(shè)備搬入；
8月中旬完成通電聯(lián)調(diào)；
9月底實現(xiàn)流片試生產(chǎn)；
目前一期已完成2萬片/月產(chǎn)能建設(shè)，當(dāng)前產(chǎn)品良率已突破95%；
12月將實現(xiàn)數(shù)千片晶圓產(chǎn)出，全年產(chǎn)能已基本售罄。
該項目同時與位于西安的奕斯偉、華天科技等200余家半導(dǎo)體企業(yè)形成“材料—設(shè)計—制造—封測”全鏈條產(chǎn)業(yè)生態(tài)，進(jìn)一步增強陜西集成電路產(chǎn)業(yè)競爭力。生產(chǎn)線總投資額45億元，截至目前已完成一期投資32億元，設(shè)計月產(chǎn)能5萬片晶圓，2026年將將擴展至10萬片。

芯業(yè)時代總經(jīng)理張國偉透露，生產(chǎn)線在12月將實現(xiàn)數(shù)千片晶圓產(chǎn)出，目前公司已同8家上市或同等規(guī)模企業(yè)達(dá)成業(yè)務(wù)合作，明年全年晶圓產(chǎn)能已基本售罄。

據(jù)悉，該生產(chǎn)線同時預(yù)留12英寸生產(chǎn)線升級空間，并實現(xiàn)關(guān)鍵設(shè)備自主可控——主工藝設(shè)備國產(chǎn)化率超60%，輔機輔件國產(chǎn)化率接近90%。此外，超80%的設(shè)備可兼容第三代半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)，為碳化硅等前沿技術(shù)布局奠定基礎(chǔ)。

生產(chǎn)線在12月將實現(xiàn)數(shù)千片晶圓產(chǎn)出，目前公司已同8家上市或同等規(guī)模企業(yè)達(dá)成業(yè)務(wù)合作，明年全年晶圓產(chǎn)能已基本售罄。8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體生產(chǎn)線有效補齊了陜西集成電路制造短板，將有效帶動上下游設(shè)計、封裝、測試企業(yè)集聚。

（集邦化合物半導(dǎo)體 EMMA 整理）

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兩家公司均為無晶圓廠（fab?less）模式的功率器件供應(yīng)商，專注于車規(guī)級、工業(yè)控制及新能源等高增長應(yīng)用，并通過港交所平臺獲取國際資本，以支撐技術(shù)迭代、海外市場拓展及產(chǎn)業(yè)鏈升級。

1、納芯微港股上市

12月8日，納芯微正式在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。從2025年4月首次遞交H股上市申請，到10月獲中國證監(jiān)會境外發(fā)行上市備案，再到11月啟動招股，納芯微僅用8個月便完成了“A+H”雙平臺搭建。

圖片來源：納芯微電子

資料顯示，納芯微成立于2013年，深耕功率驅(qū)動芯片、隔離器件等核心產(chǎn)品，其車規(guī)級芯片已通過AEC-Q100認(rèn)證，廣泛應(yīng)用于比亞迪、小米等終端企業(yè)的汽車電子、工業(yè)控制場景，成為國產(chǎn)替代的關(guān)鍵力量。

根據(jù)招股書及上市公告，納芯微本次全球發(fā)售H股總數(shù)為1906.84萬股（行使超額配售權(quán)前），其中香港公開發(fā)售占10%，國際發(fā)售占90%，并附帶15%超額配售權(quán)。最終確定發(fā)行價為每股116港元，募資凈額約20.96億港元。

本次IPO的亮點之一是引入了陣容強大的基石投資者。比亞迪、小米集團等7家知名產(chǎn)業(yè)及投資機構(gòu)共同認(rèn)購了總額約10.89億港元的股份，占本次發(fā)售股份總數(shù)的近一半。

從資金用途來看，本次募資規(guī)劃精準(zhǔn)契合功率半導(dǎo)體行業(yè)“高端化+全球化”的核心趨勢：25%將用于擴展海外銷售網(wǎng)絡(luò)及市場推廣，強化全球客戶覆蓋；22%重點投入汽車電子應(yīng)用產(chǎn)品布局，加碼車規(guī)級芯片研發(fā)與量產(chǎn)；18%用于底層技術(shù)與工藝平臺升級，鞏固核心技術(shù)壁壘；剩余資金則用于戰(zhàn)略投資并購及補充營運資金。

2、功率半導(dǎo)體新秀尚鼎芯重啟IPO

12月2日，深圳市尚鼎芯科技股份有限公司（下稱“尚鼎芯”）再度向港交所遞交招股書，距離其4月首次遞表失效僅時隔8個月，獨家保薦人為金聯(lián)資本。

圖片來源：尚鼎芯招股書截圖

尚鼎芯成立于2011年，作為一家專注定制化功率器件的無晶圓廠（Fabless）的供應(yīng)商，尚鼎芯以MOSFET為核心產(chǎn)品，同時布局IGBT、GaN（氮化鎵）MOSFET及SiC（碳化硅）MOSFET等第三代半導(dǎo)體器件，應(yīng)用場景覆蓋消費電子、工業(yè)控制、汽車電子、新能源儲能等多個領(lǐng)域。

據(jù)招股書，2022年至2025年前三季度，公司營收分別為1.67億元、1.13億元、1.22億元、1.05億元，凈利潤對應(yīng)為5360.9萬元、3101.7萬元、3511.2萬元、3031.6萬元。數(shù)據(jù)可見，2023年公司營收同比銳減32.4%，雖在2024年實現(xiàn)小幅反彈，但整體增長乏力；不過毛利率穩(wěn)定在55%-57%，顯示出定制化業(yè)務(wù)較強的盈利韌性。

尚鼎芯科技此次IPO募集資金將主要用于三大方向：一是核心產(chǎn)品迭代與新技術(shù)研發(fā)，重點投入物聯(lián)網(wǎng)通信芯片、邊緣計算芯片性能優(yōu)化及車規(guī)級芯片研發(fā)；二是拓展海外市場與加密國內(nèi)銷售網(wǎng)點；三是補充營運資金，優(yōu)化現(xiàn)金流結(jié)構(gòu)。這一布局精準(zhǔn)指向公司當(dāng)前的短板與行業(yè)機遇。

車規(guī)級芯片是功率半導(dǎo)體企業(yè)的重要增長曲線。隨著新能源汽車滲透率提升，車規(guī)級MOSFET、SiC MOSFET需求持續(xù)增長，但車規(guī)級產(chǎn)品對可靠性、穩(wěn)定性要求極高，認(rèn)證周期長，需要大量研發(fā)投入。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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格力電器介紹，公司于2022年成立珠海格力電子元器件有限公司，全面負(fù)責(zé)第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)晶圓制造、功率器件封裝測試及半導(dǎo)體檢測服務(wù)。

目前，電子元器件公司已經(jīng)通過IATF16949車規(guī)級質(zhì)量體系認(rèn)證，并采用全自動化天車搬運系統(tǒng)為車規(guī)級產(chǎn)品提供了高一致性、可靠性保障；現(xiàn)在公司主要生產(chǎn)的650V及1200V電壓等級碳化硅肖特基二極管均已通過了AECQ101車規(guī)級可靠性認(rèn)證，滿足了上車應(yīng)用的基本要求；另一主要產(chǎn)品碳化硅MOSFET，650V/1200V產(chǎn)品的工藝平臺的部分產(chǎn)品也通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證。

產(chǎn)線與客戶方面，格力電器表示，格力碳化硅芯片工廠以“自主可控、開放代工”為核心經(jīng)營策略，已建成國內(nèi)領(lǐng)先的#碳化硅晶圓產(chǎn)線，目前對外合作客戶覆蓋超20家芯片設(shè)計公司，業(yè)務(wù)模式以晶圓代工為主，同時提供封裝測試服務(wù)，客戶領(lǐng)域涵蓋新能源汽車、光伏儲能、工業(yè)控制、家用電器等，不斷推動國產(chǎn)碳化硅芯片在多場景的替代應(yīng)用。

格力碳化硅功率芯片憑借耐高壓、耐高溫、高效率特性，已從家電領(lǐng)域拓展至新能源、工業(yè)及特種場景。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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1、納微半導(dǎo)體發(fā)布3300V/2300V超高壓SiC全系產(chǎn)品組合

12月1日，納微半導(dǎo)體宣布，其全新3300V與 2300V超高壓（UHV）SiC產(chǎn)品已正式開始向市場提供樣品，覆蓋功率模塊、分立器件及裸片（KGD）等多種形態(tài)。該系列產(chǎn)品在超高壓功率電子器件領(lǐng)域樹立了全新的可靠性與性能標(biāo)桿。

納微全新3300V和2300V SiC器件基于其第四代GeneSiC?平臺研發(fā)，采用TAP（溝槽輔助平面柵技術(shù)）架構(gòu)，通過多級電場管理設(shè)計顯著降低電壓應(yīng)力、提升耐壓能力，相較傳統(tǒng)trench或平面型SiC MOSFET展現(xiàn)更優(yōu)的電壓特性和可靠性。

此外，納微進(jìn)一步擴展3300V/2300V UHV SiC產(chǎn)品組合，提供靈活多樣的封裝格式，以滿足客戶端不同應(yīng)用的需求。針對高功率密度與高可靠性系統(tǒng)，推出了先進(jìn)的SiCPAK? G+功率模塊，支持半橋與全橋拓?fù)洹?/p>

據(jù)悉，SiCPAK? G+模塊采用獨特的環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)，相比業(yè)內(nèi)常見的硅膠灌封方案，可實現(xiàn) >60%的功率循環(huán)壽命提升，以及>10倍的熱沖擊可靠性改進(jìn)。

資料顯示，納微半導(dǎo)體成立于2014年，是全球下一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，核心技術(shù)聚焦氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）寬禁帶材料，產(chǎn)品覆蓋消費電子、AI數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等領(lǐng)域，氮化鎵芯片發(fā)貨超1.25億顆。

2、威世推出1200V SiC MOSFET功率模塊

12月4日，威世（Vishay ）正式推出兩款1200V SiC MOSFET功率模塊——VS-MPY038P120與VS-MPX075P120，兩款產(chǎn)品均基于威世新一代碳化硅技術(shù)打造，針對中高頻、高功率密度的功率轉(zhuǎn)換場景進(jìn)行深度優(yōu)化，為能源、汽車、工業(yè)等領(lǐng)域提供高效可靠的解決方案。

圖片來源：Vishay威世科技

其中，VS-MPY038P120采用全橋逆變器拓?fù)?，?dǎo)通電阻低至38mΩ，在+80℃工況下可支持35A連續(xù)漏極電流；VS-MPX075P120 則采用三相逆變器拓?fù)?，?dǎo)通電阻為75mΩ，+80℃下連續(xù)漏極電流可達(dá)18A，兩款模塊均具備 1200V耐壓值與175℃最高工作結(jié)溫，能適配復(fù)雜工況下的長期穩(wěn)定運行。

目前，這兩款1200V SiC MOSFET功率模塊已正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，客戶可申請樣品測試，批量供貨周期約為13周，能夠快速響應(yīng)行業(yè)對高性能碳化硅功率器件的批量需求。

資料顯示，威世是全球電子元器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，成立于1962年，專注無源與半導(dǎo)體器件研發(fā)制造。產(chǎn)品線覆蓋電阻、電容、電感等無源元件，以及二極管、傳感器等半導(dǎo)體與光電子產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、消費電子、航空航天等領(lǐng)域。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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