近日，國內(nèi)第三代化合物半導體廠商英諾賽科（蘇州）半導體有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）發(fā)生工商變更，注冊資本增至44億元，相較此前的37億元，增幅達19%。

資料顯示，英諾賽科成立于2015年，由英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司全資持股，是氮化鎵工藝創(chuàng)新與功率器件制造廠商，其氮化鎵產(chǎn)品主要應用于低壓、中壓和高壓產(chǎn)品領域，服務于消費電子、汽車電子、數(shù)據(jù)中心、可再生能源及工業(yè)電源等領域。

英諾賽科是全球首家實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵大規(guī)模量產(chǎn)的IDM企業(yè)，擁有蘇州和珠海兩座8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)基地，其中蘇州工廠8英寸氮化鎵晶圓月產(chǎn)能達1.5萬片、良率穩(wěn)定在97%。

據(jù)官方披露，英諾賽科氮化鎵產(chǎn)品累計出貨量已達20億顆，不僅于2025年與安森美、意法半導體等國際半導體巨頭達成合作，還在今年初正式宣布進入全球科技巨頭谷歌（Google）供應鏈。

英諾賽科今年2月3日發(fā)布的公告顯示，公司旗下相關產(chǎn)品已完成了在谷歌公司相關AI硬件平臺的重要設計導入，并簽訂了合規(guī)的供貨協(xié)議。

財務數(shù)據(jù)方面，2025年上半年，英諾賽科營收5.53億元，同比增長43.4%，毛利率實現(xiàn)6.8%的正向突破，結束此前的虧損狀態(tài)。

（集邦化合物半導體整理）

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